[LT] Pasiūlymas yra iš puslaidininkinės elektronikos srities, o būtent – skaitmeninės informacijos saugojimo ir apdorojimo įrenginiai, ir gali būti vartojamas elektroninėse automatikos sistemose, operatyvinės atminties įtaisuose skaitmeninės informacijos saugojimui bei apdorojimui, ir t. t. Pasiūlytame atminties elemente yra panaudoti tik puslaidininkiniai tetrodai, kurių dvejuose variantuose yra trys, o jų patobulintose dvejuose versijose – keturi, kas padidina atminties elemento funkcines galimybes įrašant ir nuskaitant informaciją. Atminties elemento schemoje yra panaudotas dviejų galvaniškai išrištų „žemių“ principas, kas padidina atminties elemento atsparumą trukdžiams. Palyginus su analogu šie atminties elementai pasižymi didesne veikimo sparta, didesne įrašyto signalo verte, bei didesnėmis informacijos įrašymo bei nuskaitymo funkcinėmis galimybėmis, ir nereikalauja informacijos regeneracijos laike, juos naudojant operatyvinės atminties įrenginiuose.
[EN] The proposal is in the field of semiconductor electronics, namely - the digital information storage and processing devices, and can be used in electronic automation systems, random-access memory devices for digital information storage and processing, and for similar applications. In the proposed memory element only semiconductor tetrodes are used, including three tetrodes in two versions, and four – in an improved version, which increases the memory element functionality for recording and retrieving information. The two galvanic ally separated “grounds” approach is used in memory element scheme, which increases the memory cell resistance to interference. Compared with analogue devices, these memory elements are characterized by a higher operating speed, the higher the recorded signal value, and greater information recording and reading functionality, and does not require regeneration of information in time, when using in the RAM devices.
[0001] Pasiūlymas yra iš puslaidininkinės elektronikos srities, o būtent – skaitmeninės informacijos saugojimo ir apdorojimo įrenginiai, ir gali būti vartojamas elektroninėse automatikos sistemose, operatyvinės atminties įtaisuose skaitmeninės informacijos saugojimui bei apdorojimui, ir t. t.
[0002] Analogas yra sudarytas iš dviejų dvipolių tranzistorių, kurių kolektoriai – išėjimai per atitinkamus apkrovos rezistorius yra sujungti su maitinimo šaltinio vienu iš polių, kurio kitas polius yra sujungtas su tranzistorių emiteriais, o pirmojo ir antrojo tranzistorių bazės – įėjimai yra sujungtos su antrojo ir pirmojo tranzistoriaus kolektoriais, atitinkamai (Dailidėnas V., Lašas A., Mickūnas N., Šurna R. Impulsinė technika.- "Mokslas", 1976, 388 p. (122 p., 5.5 pav. )).
[0003] Analogo trukumas yra tai, jog persijungiant atminties elementui – trigeriui, jo tranzistorių kolektorių įtampos beveik nesikeičia ir soties atveju yra santykiai mažos: 0,1–0,3 V. Kitas esminis analogo trukumas yra tai, jog stabili trigerio būsena yra pasiekiama tik gyliai įsotinant atidarytoje būsenoje esantį tranzistorių, o tai, savo ruožtu, mažina trigerio ir tuo pačiu atminties elemento perjungimo spartą iš vienos stabilios būsenos į kitą stabilią būseną, nes dvipolio tranzistorius perjungimo laikas iš soties į aktyvią veiką reikalauja papildomo laiko, būtino nepusiausvyrinių krūvininkų išsiurbimui iš bazės bei kolektoriaus sričių. Kitas esminis analogo trukumas yra pastovus maitinimo galios vartojimas.
[0004] Analogo trūkumams pašalinti, atminties elemente, sudarytame iš įtampos šaltinio ir apkrovos rezistoriaus, papildomai yra įjungti antras įtampos šaltinis ir trys puslaidininkiniai tetrodai – pirmasis–trečiasis, kurių pirmojo tetrodo kolektorius ir bazės pirmasis kontaktas – išvadas yra atitinkamai sujungti su pirmojo ir antrojo įtampos šaltinių vienu iš polių, kurių antrieji poliai yra sujungti su pirmąja ir antrąja "žemėmis" – atitinkamai nulinio potencialo pirmąja ir antrąja šinomis, kurios yra galvaniškai atskirtos viena nuo kitos, pirmojo tetrodo emiteris ir bazės antrasis išvadas yra sujungti atitinkamai su antrojo tetrodo bazės pirmuoju išvadu ir kolektoriumi, kurio bazės antrasis išvadas ir trečiojo tetrodo bazės antrasis išvadas yra atitinkamai sujungti su pirmąja ir antrąja "žemėmis", o antrojo tetrodo emiteris yra sujungtas su trečiojo tetrodo bazės pirmuoju išvadu, kurio kolektorius yra sujungtas su informacijos apklausos įėjimu, o emiteris – su informacijos nuskaitymo išėjimu, kuris yra sujungtas su apkrovos rezistoriumi, prijungtu prie pirmosios "žemės", o skaitmeninės informacijos įrašymo įėjimas yra sujungtas su pirmojo tetrodo emiteriu.
[0005] Kitame atminties elemento variante pirmojo ir antrojo tetrodų kolektoriai yra atitinkamai sujungti su pirmojo ir antrojo įtampos šaltinių vienu iš polių, kurių antrieji poliai yra atitinkamai sujungti su antrąja ir pirmąja "žemėmis", pirmojo ir antrojo tetrodų emiteriai yra atitinkamai sujungti su antrojo ir pirmojo tetrodų bazių pirmaisiais išvadais, pirmojo ir trečiojo tetrodų bazių antrieji išvadai yra atitinkamai sujungti su pirmąja ir antrąja "žemėmis", antrojo ir trečiojo tetrodų bazių antrasis ir pirmasis išvadai yra atitinkamai sujungti tarpusavyje, trečiojo tetrodo kolektorius yra sujungtas su informacijos apklausos įėjimu, o emiteris – su informacijos nuskaitymo išėjimu, kuris yra sujungtas su apkrovos rezistoriumi, prijungtu prie pirmosios "žemės", o skaitmeninės informacijos įrašymo įėjimais yra sujungtas su pirmojo tetrodo bazės pirmuoju išvadu.
[0006] Dar kitame atminties elemento variante, skirtingai pirmajam variantui, tarp skaitmeninės informacijos įrašymo įėjimo ir pirmojo tetrodo emiterio yra įjungtas papildomas ketvirtasis tetrodas, kurio emiteris yra sujungtas su informacijos įrašymo įėjimu, o kolektorius – su pirmojo tetrodo emiteriu, bazės antrasis išvadas – su pirmąja "žeme", o pirmasis išvadas – su atminties elemento informacijos įrašymo leidimo įėjimu.
[0007] Dar kitame atminties elemento variante, skirtingai antrajam variantui, tarp skaitmeninės informacijos įrašymo įėjimo ir pirmojo tetrodo bazės pirmojo išvado yra įjungtas papildomas ketvirtasis tetrodas, kurio emiteris yra sujungtas su informacijos įrašymo įėjimu, o kolektorius – su pirmojo tetrodo bazės pirmuoju išvadu, bazės antrasis išvadas – su pirmąja "žeme", o pirmasis išvadas – su atminties elemento informacijos įrašymo leidimo įėjimu.
[0008] Atminties elementų principinės schemos yra parodytos Fig. 1–Fig. 4, čia skaičiais pažymėta: 1–3 ir 24 – atitinkamai pirmasis–trečiasis ir ketvirtasis tetrodai; 4 ir 5 – atitinkamai pirmasis ir antrasis įtampų šaltiniai; 6 – apkrovos rezistorius; 7 ir 8 – atitinkamai pirmoji ir antroji "žemės"; 9, 13, 17 ir 26 – atitinkamai pirmojo–ketvirtojo tetrodų kolektoriai; 10, 14, 18 ir 25 – atitinkamai pirmojo–ketvirtojo tetrodų emiteriai; 11, 15, 19 ir 27 – atitinkamai pirmojo–ketvirtojo tetrodų bazių pirmųjų išvadų kontaktai; 12, 16, 20, ir 28 atitinkamai pirmojo–ketvirtojo tetrodų bazių antrųjų išvadų kontaktai; 21, ir 22 – atitinkamai atminties elemente įrašytos skaitmeninės informacijos apklausos įėjimas ir nuskaitymo išėjimas; 23 ir 29 – atitinkamai skaitmeninės informacijos įrašymo ir įrašymo leidimo įėjimai.
[0009] Atminties elementas (Fig. 1) yra sudarytas iš trijų tetrodų 1–3 – pirmasis 1–trečiasis 3, kurių pirmojo tetrodo 1 kolektorius 9 ir bazės pirmasis kontaktas 11 – išvadas 11 yra atitinkamai sujungti su pirmojo 4 ir antrojo 5 įtampos šaltinių vienu iš polių, kurių antrieji poliai yra sujungti atitinkamai su pirmąja 7 ir antrąja 8 "žemėmis", kurios yra galvaniškai atskirtos viena nuo kitos. Pirmojo tetrodo 1 emiteris 10 ir bazės antrasis išvadas 12 yra atitinkamai sujungti su antrojo tetrodo 2 bazės pirmuoju išvadu 15 ir kolektoriumi 13, kurio bazės antrasis išvadas 16 ir trečiojo tetrodo 3 bazės antrasis išvadas 20 yra atitinkamai sujungti su pirmąja 7 ir antrąja 8 "žemėmis", o antrojo tetrodo 2 emiteris 14 yra sujungtas su trečiojo tetrodo 3 bazės pirmuoju išvadu 19, kurio kolektorius 17 yra sujungtas su informacijos apklausos įėjimu 21, o emiteris 18 – su informacijos nuskaitymo išėjimu 22, kuris yra sujungtas su apkrovos rezistoriumi 6, prijungtu prie pirmosios 7 "žemės", o skaitmeninės informacijos įrašymo įėjimas 23 yra sujungtas su pirmojo tetrodo 1 emiteriu 10.
[0010] Kitame atminties elemento variante (Fig. 2) pirmojo 1 ir antrojo 2 tetrodų kolektoriai atitinkamai 9 ir 13 yra atitinkamai sujungti su pirmojo 4 ir antrojo 5 įtampos šaltinių vienu iš polių, kurių antrieji poliai yra sujungti atitinkamai su antrąja 8 ir pirmąja 7 "žemėmis", kurios yra galvaniškai atskirtos viena nuo kitos. Pirmojo 1 ir antrojo 2 tetrodų emiteriai atitinkamai 10 ir 14 yra sujungti atitinkamai su antrojo 2 ir pirmojo 1 tetrodų bazių pirmaisiais išvadais 15 ir 11. Pirmojo 1 ir trečiojo 3 tetrodų bazių antrieji išvadai 12 ir 20 yra atitinkamai sujungti su pirmąja 7 ir antrąja 8 "žemėmis", o antrojo 2 ir trečiojo 3 tetrodų bazių atitinkamai antrasis 16 ir pirmasis 19 išvadai yra sujungti tarpusavyje. Trečiojo tetrodo 3 kolektorius 17 yra sujungtas su informacijos apklausos įėjimu 21, o emiteris 18 – su informacijos nuskaitymo išėjimu 22, kuris yra sujungtas su apkrovos rezistoriumi 6, prijungtu prie pirmosios 7 "žemės". Skaitmeninės informacijos įrašymo įėjimais 23 yra sujungtas su pirmojo tetrodo 1 bazės pirmuoju išvadu 11.
[0011] Dar kitame atminties elemento variante (Fig. 3), skirtingai pirmajam variantui (Fig. 1), tarp skaitmeninės informacijos įrašymo įėjimo 23 ir pirmojo tetrodo 1 emiterio 10 yra įjungtas papildomas ketvirtasis tetrodas 24, kurio emiteris 25 yra sujungtas su informacijos įrašymo įėjimu 23, o kolektorius 26 – su pirmojo tetrodo 1 emiteriu 10. Papildomo ketvirtojo tetrodo 24 bazės antrasis išvadas 28 yra sujungtas su pirmąja 7 "žeme", o pirmasis išvadas 27 – su atminties elemento informacijos įrašymo leidimo įėjimu 29.
[0012] Dar kitame atminties elemento variante (Fig. 4), skirtingai antrajam variantui (Fig. 2), tarp skaitmeninės informacijos įrašymo įėjimo 23 ir pirmojo tetrodo 1 bazės pirmojo išvado 11 yra įjungtas papildomas ketvirtasis tetrodas 24, kurio emiteris 25 yra sujungtas su informacijos įrašymo įėjimu 23, o kolektorius 26 – su pirmojo tetrodo 1 bazės pirmuoju išvadu 11. Papildomo ketvirtojo tetrodo 24 bazės antrasis išvadas 28 yra sujungtas su pirmąja 7 "žeme", o pirmasis išvadas 27 – su atminties elemento informacijos įrašymo leidimo įėjimu 29.
[0013] Dar kituose atminties elemento variantuose, skirtingai Fig. 1–Fig. 2 parodytiems variantams, informacijos apklausos įėjimas 21 yra sujungtas su pirmojo 4 arba antrojo 5 įtampos šaltinio "neįžemintu" poliumi.
[0014] Atminties elementas (Fig. 1) veikia tokiu būdu. Įjungus įtampos šaltinius 4 ir 5, kurių atitinkamos įtampos ± Ɛ1, 2, pavyzdžiui, yra vienodos: |± Ɛ1| ( |± Ɛ2| ir tenkina būtiną sąlygą: |( Ɛ1, 2 | ( IBB s·(2·RBB s + RKE s), čia: R BB s – tetrodų 1–3 bazių varžų RBB 1–5 tarp atitinkamų jų išvadų vertė, kai IBB 1–5 ( IBB s – visų tetrodų bazių srovių IBB vertė, kuriai esant tetrodai persijungia į "atidarytą" būseną, kurioje jų varža RKE tarp jų kolektorių ir emiterių yra santykinai maža: RKE ( RKE s ( 1–10 ( ir mažiau, visi tetrodai 1–3 yra "išjungtoje" – "uždarytoje" būsenoje, kurioje jų varža RKE ( 0,1–1 M( ir daugiau, ir todėl srovės IBB 1–3 per atitinkamų tetrodų 1–3 bazes neteka: IBB 1–3 ( 0. Esant šiai atminties elemento būsenai, jame yra įrašytas skaitmeninis informacijos bitas "0", nes, padavus į informacijos apklausos įėjimą 21 nuskaitymo signalą |±U"1"| ( 0, informacijos nuskaitymo išėjime 22 turime Uiš ( 0, nes tetrodas 3 yra "uždarytas". Į atminties elementą informacinis bitas "1" yra įrašomas padavus loginio vieneto "1" signalą (U"1" į atminties elemento skaitmeninės informacijos įrašymo įėjimą 23, ir kai signalui (U"1" yra tenkinama būtina sąlyga: |(U"1"| ( > IBB s·RBB s, tetrodas 2 persijungia į "atidarytą" būseną. Todėl antrojo įtampos šaltinio 5 generuojama srovė I2 teka grandine: 11-12-13-14-19-20, ir, esant būtinai sąlygai: I2 ( ( |( Ɛ2| /(2·RBB s + RKE s ) ( IBB s, tetrodas 3 taip pat "atsidaro" ir ši atminties elemento "atidaryta" būsena, kai visi tetrodai 1–3 yra "atidaryti", išlieka panaikinus poveikį (U"1" informacijos įrašymo įėjime 23, nes tetrodą 2 "atidarytoje" būsenoje palaiko pirmojo įtampos šaltinio 4 generuojama srovė I1, tekanti grandine: 9-10-15-16, ir kai šiai srovei I1 yra tenkinama būtina sąlyga: I1 ( |( Ɛ1| /(RBB s + RKE s) ( IBB s. Todėl šioje situacijoje tetrodas 3 išlieka "atidarytoje" būsenoje, ir, padavus į informacijos apklausos įėjimą 21 nuskaitymo signalą |±U"1"| ( 0, informacijos nuskaitymo išėjime 22 turime Uiš ( |±U"1"| ( 0, tai atitinka atminties elemente įrašytą informacijos bitą "1". Į atminties elementą informacinis bitas "0" yra įrašomas padavus priešingo poliaringumo loginio vieneto "1" signalą (U"1" į atminties elemento skaitmeninės informacijos įrašymo įėjimą 23, ir kai signalui (U"1" yra tenkinama būtina sąlyga: |(U"1"| ( |( Ɛ 1|, tetrodas 2 persijungia į "uždarytą" būseną, nes, esant šiai sąlygai, tetrodo 2 bazės srovė IBB 2 ( 0, ir kartu "užsidaro" tetrodai 1 ir 3, nes jų bazių srovės IBB 1, 3 ( 0. Todėl šioje situacijoje tetrodas 3 išlieka "uždarytoje" būsenoje ir nutraukus poveikį (U"1" = 0, ir todėl į atminties elemento informacijos apklausos įėjimą 21 padavus nuskaitymo signalą |±U"1"| ( 0, informacijos nuskaitymo išėjime 22 turime Uiš ( 0, tai atitinka atminties elemente įrašytą bitą "0". Yra galimas ir kitas informacinio bito "0" įrašymo būdas, kai informacijos įrašymo įėjimas 23 yra trumpam sujungiamas su pirmąja 7 "žeme", nes šiuo atveju šaltinio 4 generuojamos srovės I1 dalis ( I atsišakoja į pirmąją 7 "žemę", ir todėl tetrodo 2 baze tekanti srovė IBB 2 sumažėja, ir, esant sąlygai: IBB 2 ( I1 – ( I ( IBB s, tetrodas 2 "užsidaro" ir todėl "užsidaro" tetrodai 1 ir 3, o kartu atminties elemente yra įrašomas informacinis bitas "0".
[0015] Kitas atminties elemento variantas (Fig. 2) veikia tokiu būdu.
[0016] Įjungus įtampos šaltinius 4 ir 5, kurių atitinkamos įtampos ± Ɛ1, 2, pavyzdžiui, yra vienodos: |± Ɛ1| ( |± Ɛ2| ir tenkina būtiną sąlygą: |( Ɛ1, 2| ( IBB s·(2·RBB s + RKE s), visi tetrodai 1–3 yra "uždarytoje" būsenoje, nes jų bazių srovės IBB 1–3 ( 0. Esant šiai atminties elemento būsenai, jame yra įrašytas skaitmeninis informacijos bitas "0", nes, padavus į informacijos apklausos įėjimą 21 nuskaitymo signalą |±U"1"|(0, informacijos nuskaitymo išėjime 22 turime Uiš ( 0, nes tetrodas 3 yra "uždarytas". Į atminties elementą informacinis bitas "1" yra įrašomas padavus loginio vieneto "1" signalą (U"1" į atminties elemento skaitmeninės informacijos įrašymo įėjimą 23, ir kai signalui (U"1" yra tenkinama būtina sąlyga: |( U"1"| ( IBB s·RBB s, tetrodas 1 persijungia į "atidarytą" būseną. Todėl pirmojo įtampos šaltinio 4 generuojama srovė I1 teka grandine: 9-10-15-16-19-20, ir, esant būtinai sąlygai: I1 ( |( Ɛ1| /(2·RBB s + RKE s) ( IBBs, tetrodai 2 ir 3 taip pat "atsidaro", ir ši atminties elemento "atidaryta" būsena, kai visi tetrodai 1–3 yra "atidaryti", išlieka panaikinus poveikį (U"1" = 0 informacijos įrašymo įėjime 23, nes tetrodą 1 "atidarytoje" būsenoje palaiko antrojo įtampos šaltinio 5 generuojama srovė I2, tekanti grandine: 13-14-11-12, ir esant būtinai sąlygai: I2 ( |( Ɛ2| /(RBB s + RKE s) ( IBB s. Todėl šioje situacijoje tetrodas 3 išlieka "atidarytoje" būsenoje ir į atminties elemento informacijos apklausos įėjimą 21 padavus nuskaitymo signalą |±U"1"| ( 0, informacijos nuskaitymo išėjime 22 turime Uiš ( |±U"1"| ( 0, tai atitinka atminties elemente įrašytą informacijos bitą "1". Į atminties elementą informacinis bitas "0" yra įrašomas, kai į atminties elemento skaitmeninės informacijos įrašymo įėjimą 23 yra paduodamas priešingo poliaringumo loginio vieneto "1" signalas (U"1", tenkinantis sąlyga: |(U"1"| ( |( Ɛ2|, ir šiuo atveju tetrodas 2 persijungia į "uždarytą" būseną, nes, esant šiai sąlygai, tetrodo 1 bazės srovė IBB 1 ( 0, o kartu "užsidaro" ir tetrodai 2 ir 3, nes jų bazių srovės IBB 2, 3 ( 0. Todėl šioje situacijoje tetrodas 3 išlieka "uždarytoje" būsenoje ir nutraukus poveikį (U"1" = 0, todėl į informacijos apklausos įėjimą 21 padavus nuskaitymo signalą |±U"1"| ( 0, informacijos nuskaitymo išėjime 22 turime Uiš ( 0, o tai atitinka atminties elemente įrašytą bitą "0". Yra galimas ir kitas informacinio bito "0" įrašymo būdas, kai informacijos įrašymo įėjimas 23 yra trumpam sujungiamas su pirmąja 7 "žeme", nes šiuo atveju šaltinio 5 generuojamos srovės I2 dalis ( I atsišakoja į pirmąją 7 "žemę", ir todėl tetrodo 1 baze tekanti srovė IBB 1 sumažėja, ir, esant sąlygai: IBB 1 ( I2 – ( I (IBBs, tetrodas 1 "užsidaro" ir kartu "užsidaro" tetrodai 2 ir 3, o šiuo atveju atminties elemente yra įrašomas informacinis bitas "0".
[0017] Dar kitas atminties elemento variantas (Fig. 3) veikia taip pat, kaip ir parodytas Fig. 1, su skirtumu, jog skaitmeninės informacijos bitas "0" arba "1" gali būti įrašytas tik kai papildomas – ketvirtasis tetrodas 24 yra "atidarytoje" būsenoje. Ši būsena yra pasiekiama į atminties elemento informacijos įrašymo leidimo įėjimą 29 padavus signalą |±U"1"| ( 0. Čia taip pat yra galimas ir kitas informacinio bito "0" įrašymo būdas, kai informacijos įrašymo įėjimas 23 yra trumpam sujungiamas su pirmąja 7 "žeme".
[0018] Dar kitas atminties elemento variantas (Fig. 4) veikia taip pat, kaip ir parodytas Fig. 2, su skirtumu, jog skaitmeninės informacijos bitas "0" arba "1" gali būti įrašytas tik kai papildomas – ketvirtasis tetrodas 24 yra "atidarytoje" būsenoje. Ši būsena yra pasiekiama į atminties elemento informacijos įrašymo leidimo įėjimą 29 padavus signalą |±U"1"| ( 0. Čia taip pat yra galimas ir kitas informacinio bito "0" įrašymo būdas, kai informacijos įrašymo įėjimas 23 yra trumpam sujungiamas su pirmąja 7 "žeme".
[0019] Visuose atminties elemento variantuose (Fig. 1–Fig. 4) informacijos apklausos signalas įėjime 21 gali būti pastovus, pavyzdžiui, paduodamas iš pirmojo 4 arba antrojo 5 įtampos šaltinių: atitinkamai ( Ɛ1, 2, ir tuo tikslu sujungus įėjimą 21 su atitinkamo šaltinio 4 arba 5 "neįžemintu" poliumi.
[0020] Palyginus su analogu, pasiūlyti atminties elementai pasižymi didesne veikimo sparta ir didesne įrašyto signalo verte, didesnėmis informacijos įrašymo bei nuskaitymo funkcinėmis galimybėmis, bei nereikalauja informacijos regeneracijos laike, juos naudojant operatyvinės atminties įrenginiuose, o taip pat naudoja mažesnę maitinimo galią.
1. Atminties elementas, sudarytas iš įtampos šaltinio ir apkrovos rezistoriaus, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad yra įjungti antras įtampos šaltinis ir trys puslaidininkiniai tetrodai – pirmasis–trečiasis, kurių pirmojo tetrodo kolektorius ir bazės pirmasis kontaktas – išvadas yra atitinkamai sujungti su pirmojo ir antrojo įtampos šaltinių vienu iš polių, kurių antrieji poliai yra sujungti su pirmąja ir antrąja "žemėmis" – nulinio potencialo atitinkamai pirmąja ir antrąja šinomis, kurios yra galvaniškai atskirtos viena nuo kitos, pirmojo tetrodo emiteris ir bazės antrasis išvadas yra atitinkamai sujungti su antrojo tetrodo bazės pirmuoju išvadu ir kolektoriumi, kurio bazės antrasis išvadas ir trečiojo tetrodo bazės antrasis išvadas yra atitinkamai sujungti su pirmąja ir antrąja "žemėmis", o antrojo tetrodo emiteris yra sujungtas su trečiojo tetrodo bazės pirmuoju išvadu, kurio kolektorius yra sujungtas su informacijos apklausos įėjimu, o emiteris – su informacijos nuskaitymo išėjimu, kuris yra sujungtas su apkrovos rezistoriumi, prijungtu prie pirmosios "žemės", o skaitmeninės informacijos įrašymo įėjimais yra sujungtas su pirmojo tetrodo emiteriu.
2. Atminties elementas, sudarytas iš įtampos šaltinio ir apkrovos rezistoriaus, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad yra įjungti antras įtampos šaltinis ir trys puslaidininkiniai tetrodai – pirmasis–trečiasis, pirmojo ir antrojo tetrodų kolektoriai yra atitinkamai sujungti su pirmojo ir antrojo įtampos šaltinių vienu iš polių, kurių antrieji poliai yra atitinkamai sujungti su antrąja ir pirmąja "žemėmis", kurios yra galvaniškai atskirtos viena nuo kitos, pirmojo ir antrojo tetrodų emiteriai yra atitinkamai sujungti su antrojo ir pirmojo tetrodų bazių pirmaisiais išvadais, pirmojo ir trečiojo tetrodų bazių antrieji išvadai yra atitinkamai sujungti su pirmąja ir antrąja "žemėmis", antrojo ir trečiojo tetrodų bazių antrasis ir pirmasis išvadai yra atitinkamai sujungti tarpusavyje, trečiojo tetrodo kolektorius yra sujungtas su informacijos apklausos įėjimu, o emiteris – su informacijos nuskaitymo išėjimu, kuris yra sujungtas su apkrovos rezistoriumi, prijungtu prie pirmosios "žemės", o skaitmeninės informacijos įrašymo įėjimais yra sujungtas su pirmojo tetrodo bazės pirmuoju išvadu.
3. Atminties elementas pagal 1 punktą, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad tarp skaitmeninės informacijos įrašymo įėjimo ir pirmojo tetrodo emiterio yra įjungtas papildomas ketvirtasis tetrodas, kurio emiteris yra sujungtas su informacijos įrašymo įėjimu, o kolektorius – su pirmojo tetrodo emiteriu, bazės antrasis išvadas – su pirmąja "žeme", o pirmasis išvadas – su atminties elemento informacijos įrašymo leidimo įėjimu.
4. Atminties elementas pagal 2 punktą, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad tarp skaitmeninės informacijos įrašymo įėjimo ir pirmojo tetrodo bazės pirmojo išvado yra įjungtas papildomas ketvirtasis tetrodas, kurio emiteris yra sujungtas su informacijos įrašymo įėjimu, o kolektorius – su pirmojo tetrodo bazės pirmuoju išvadu, bazės antrasis išvadas – su pirmąja "žeme", o pirmasis išvadas – su atminties elemento informacijos įrašymo leidimo įėjimu.
5. Atminties elementas pagal 1 – 4 punktus, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad informacijos apklausos įėjimas yra sujungtas su pirmojo arba antrojo įtampos šaltinio "neįžemintu" poliumi.