[LT] Pasiūlymas yra iš puslaidininkinės elektronikos srities, o būtent daugiafunkcinių (kelių funkcijų, multifunkcinių) puslaidininkinių įtaisų (DFPĮ (KFPĮ, MFPĮ)), turinčių keturis ir daugiau kontaktų-išvadų, ir gali būti vartojami įvairios paskirties elektroniniuose įrenginiuose – stiprintuvuose, dažnių maišikliuose-keitikliuose, harmoninių ir impulsinių signalų generatoriuose, impulsų formuotuvuose, ir t. t. Pasiūlytuose DFPĮ yra kitaip padarytos darinių konstrukcijos, taikant integrinės elektronikos technologijas, lauko ir dvipolio tranzistorių bei p–n sandūrų nuskurdintų sričių užtrumpinimo veikos principus. Palyginus su analogu, pasiūlyti DFPĮ konstrukcijos variantai pasižymi didesnėmis valdymo funkcinėmis savybėmis, integriniu išpildymu ir galimybe veikti įvairios paskirties superaukšto dažnio bei subnanosekundinės spartos – perjungimų frontai t(r, f ) ≤ 1 ns, elektroniniuose įrenginiuose: stiprintuvuose, generatoriuose, impulsų formuotuvuose, dažnio keitikliuose ir maišikliuose.
[EN] The proposal is in the field of semiconductor electronics, namely multifunctional semiconductor devices (MSD) with four or more contact-to-wire and can be used in multi-purpose electronic devices- amplifiers, frequency converters-mixers , generators, pulse generators, and so on. The proposed MSD have different designs of structures using integrated electronics technology and the principles of shortening of field and bipolar transistors and p-n junction impoverished areas. Compared with analogue, the proposed MSD variants have higher management functionality, integrated fulfillment and the ability to operate multi-purpose electronic devices, and higher operating speeds-switching fronts t(r, f) ≤ 1 ns, with integrated performance and the ability to operate in a variety of electronic applications: amplifiers, generators, pulse shapers, frequency converters and mixers.
[0001] Pasiūlymas yra iš puslaidininkinės elektronikos srities, o būtent daugiafunkcinių (kelių funkcijų, multifunkcinių) puslaidininkinių įtaisų (DFPĮ (KFPĮ, MFPĮ)), turinčių keturis ir daugiau kontaktų-išvadų – gnybtų, ir gali būti vartojami įvairios paskirties elektroniniuose įrenginiuose – stiprintuvuose, dažnių maišikliuose-keitikliuose, harmoninių ir impulsinių signalų generatoriuose, impulsų formuotuvuose, ir t. t.
[0002] Analogas yra sudarytas iš trijų besikeičiančio laidumo tipo puslaidininkinių sluoksnių – pirmojo (1)–trečiojo (3), pavyzdžiui, atitinkamai n–p–n, kurio viename iš kraštinių n– sluoksnių, pavyzdžiui, trečiajame n– sluoksnyje 3 yra suformuotos dvi priešingo laidumo p– tipo sritys – ketvirtoji (11) ir penktoji (12), su atitinkamais ominiais kontaktais ir išvadais (14). Kraštiniai n– sluoksniai 3 ir 4, bei p– sritys 11 ir 12 turi po vieną ominį kontaktą ir atitinkamą išvadą (14), o antrasis p– sluoksnis 2 turi du priešpriešiais išdėstytus ominius kontaktus su atitinkamais išvadais (14). Antrojo p– sluoksnio (2) storis W ir atstumas L tarp p– sričių (11, 12) padaryti mažesni už atitinkamų p–n sandūrų nuskurdintų sričių maksimalius storius dpn (2-3; 2-1; 5-11; 5-12) max > W (L), o atstumas D tarp p– sluoksnio (2) ir p– sričių (11; 12) padarytas didesnis už p–n sandūros (2-3) maksimalų storį dpn (2-3) max < D (SU 1290495 A1, Описание изобретения, 1987, Бюл. No. 6).
[0003] Analogo trukumas yra tai, jog puslaidininkinio įtaiso valdymo funkcijos yra ribotos – jis veikia tik šalia esančių p–n sandūrų 2-1 ir 2-3, bei 5-11 ir 5-12, pramušimo būdų, kai atitinkamo poveikio srovės i(1; 2) (t) momentinė vertė viršija tam tikrą slenkstinę verte Is (1; 2), kai įvyksta atitinkamų p–n sandūrų 2-1 ir 2-3, bei 5-11 ir 5-12, nuskurdintų sričių sąlytis atitinkamoje srityje 2 ir 5, ir tai atitinka n–p–n (1-2-3), bei p–n–p (11-3-12) darinių – puslaidininkinių tetrodų (PT) veika. Kitas analogo trukumas yra jo diskretinė konstrukcija ir netinkamumas integrinės elektronikos technologijai. Dar kitas analogo trukumas yra tai, jog jis gali būti taikomas tik impulsinių signalų generatoriuose.
[0004] Analogas – generatorius yra sudarytas iš puslaidininkinio įtaiso su dviem skirtingų n–p–n ir p–n–p laidumų atitinkamais PT(1; 2) dariniais, turinčio šešis išvadus 14, kurio PT1 vidurinės p– srities 2 du kraštiniai išvadai 14 yra sujungti su srovės šaltiniu I ir kartu vienas kraštinis išvadas 14 – su PT2 vienos kraštinės p– srities 12 išvadu 14, o kitas kraštinis išvadas 14 per nuosekliai sujungtus pirmąjį induktorių L1 ir rezistorių R – su PT2 kitos kraštinės p– srities 11 išvadu 14. PT2 vidurinės n– srities 5 išvadas 14 per nuosekliai sujungtus: įtampos U šaltinį, antrąjį induktorių L2 ir apkrovos rezistorių Ra yra sujungtas su PT1 n– srities 1 išvadu 14. (SU 1290495 A1, Описание изобретения, 1987, Бюл. No. 6).
[0005] Analogo – generatoriaus su šešių kontaktų puslaidininkiniu įtaisu trukumas yra tai, kad jis negali būti panaudotas kintamųjų signalų stiprinimo bei skirtingo dažnio signalų dauginimo įtaisuose, harmoninių signalų generavimo įtaisuose, o taip pat neleidžia generuojamų signalų parametrų moduliacijos, ir visą tai apriboja įtaiso funkcines savybes. Kitas analogo trukumas yra tai, kad jame gali būti tik vienas rezistorius Ra su atitinkamu vieninteliu įrenginio išėjimo gnybtu Uiš, pavyzdžiui, PT1 darinio n– srities 1 kontaktas 14.
[0006] Analogo trūkumams pašalinti DFPĮ pirmajame variante, sudarytame iš trijų besikeičiančio laidumo tipo vidutiniškai stipriai legiruotų puslaidininkinių sluoksnių 1–3, pavyzdžiui, atitinkamai n–p–n su atitinkamais ominiais kontaktais-išvadais: n–sluoksniuose 1.1 ir 3.1, bei p– sluoksnyje 2.1 ir 2.2, ir n– sluoksnyje 3 yra suformuotos dvi vidutiniškai stipriai legiruotos p– sritys 4 ir 5 su atitinkamais kontaktais-išvadais 4.1 ir 5.1, kitaip padarytas vidutiniškai silpnai legiruoto p–– sluoksnio 2 storis l1-3 – atstumas nuo stipriai legiruoto n+– sluoksnio 1 iki n– sluoksnio 3, o būtent l1-3 yra mažesnis už šalutinių krūvininkų – elektronų (np) difuzijos nuotolį Ld 2 šiame p–– sluoksnyje 2: l1-3 < Ld 2, ir taip yra realizuotas n+–p–(n–n+) laidumo pirmasis dvipolis tranzistorius (DT) – darinis DT1, kurio kontaktai-išvadai 1.1 ir 3.1 yra atitinkamai pirmojo emiterio E1 ir pirmojo kolektoriaus K1 kontaktai, o kontaktai-išvadai 2.1 ir 2.2 yra pirmosios bazės B1 atitinkami du kontaktai B1.1 ir B1.2. Atstumas l4-5 tarp stipriai legiruotų p+– sričių 4 ir 5 n– sluoksnyje 3 yra padarytas mažesnis už šalutinių krūvininkų – skylių (pn) difuzijos nuotolį Ld 3 n– sluoksnyje 3 (l4-5 < Ld 3), ir taip yra realizuotas p+–n–p+ laidumo antrasis darinis DT2, kurio kontaktai-išvadai 4.1 ir 5.1 yra atitinkamai antrojo emiterio E2 ir antrojo kolektoriaus K2 kontaktai, arba atvirkščiai, o kontaktas-išvadas 3.1 yra antrosios bazės B2 kontaktas B2.2. Atstumai l2-4 ir l2-5 nuo p–– sluoksnio 2 iki šalia esančių atitinkamų p+– sričių 4 ir 5 yra padaryti didesni už p–n sandūrų tarp atitinkamų p–– ir n– sluoksnių 2 ir 3 nuskurdintų sričių n– sluoksnyje 3 maksimalaus storio dpn 2-3 max ir kartu didesni už p–n sandūrų tarp n– sluoksnio 3 ir atitinkamų p+– sričių 4 ir 5 nuskurdintų atitinkamų sričių n– sluoksnyje 3 atitinkamų maksimalių storių dpn (3-4; 3-5) max: l2-(4; 5) > dpn (2-3; 3-4; 3-5) max.
[0007] Kitame DFPĮ – antrajame variante kitaip padaryta įtaiso konstrukcija, o būtent su
[0008] n+–p–(n–n+) laidumo pirmojo DT darinio parametrais ir atitinkamais kontaktais E1 (1.1), K1 (3.1), B1.1 (2.1) ir B1.2 (2.2). Atstumas l4-5 > Ld 3 ir kartu l4-5 < dpn (3-4; 3-5) max, ir taip yra realizuotas p+–n–p+ laidumo antrasis darinis PT, kurio kontaktai-išvadai 4.1 ir 5.1 yra atitinkamai emiterio E2 ir kolektoriaus K2, arba atvirkščiai, o kontaktas-išvadas 3.1 yra bazės B2 kontaktas-išvadas B2.2.
[0009] Kitame DFPĮ – trečiajame variante kitaip padaryta įtaiso konstrukcija, o būtent atstumas l1-3 > Ld 2 ir kartu l1-3 < dpn (2-1; 2-3) max – atitinkamų p–n sandūrų tarp p–– sluoksnio 2 ir n+–, bei n–, atitinkamų sluoksnių 1 ir 3, nuskurdintų atitinkamų sričių p–– sluoksnyje 2 atitinkami maksimalūs storiai, ir taip yra realizuotas n+–p–(n–n+) laidumo pirmasis darinis PT su atitinkamais kontaktais-išvadais: E1 (1.1), K1 (3.1), B1.1 (2.1) ir B1.2 (2.2), o antrasis darinis DT atitinka DT2 darinio parametrus ir turi atitinkamus kontaktus-išvadus: K2 (4.1), E2 (5.1), arba atvirkščiai, ir B2.2 (3.1).
[0010] Kitame DFPĮ – ketvirtajame variante kitaip padaryta įtaiso konstrukcija, o būtent su
[0011] n+–p–(n–n+) laidumo pirmojo darinio DT parametrais ir atitinkamais jo kontaktais-išvadais: E (1.1), K (3.1), B1 (2.1) ir B2 (2.2). Atstumas l4-5 yra padarytas didesnis už p–n sandūrų tarp n– sluoksnio 3 ir atitinkamų p+– sričių 4 ir 5 atitinkamų nuskurdintų sričių n– sluoksnyje 3 atitinkamų neutralių storių dpn (3-4; 3-5) o sumą, kai nėra poveikių įtampų, ir kartu mažesnis už atitinkamų maksimalių storių dpn (3-4; 3-5) max sumą, kai yra atgalinių poveikių įtampos
[0012] (dpn 3-4 o + dpn 3-5 o < l4-5 < dpn 3-4 max + dpn 3-5 max), ir taip yra realizuotas atidaryto n–kanalo sandūrinis vienpolis (lauko) tranzistorius (VT) – antrasis darinis VT, kurio kontaktai-išvadai 4.1 ir 5.1 yra atitinkamai pirmosios užtūros G1 ir antrosios užtūros G2 kontaktai-išvadai, arba atvirkščiai, o kontaktas-išvadas 3.1 yra santakos D, arba ištakos S, kontaktas-išvadas.
[0013] Visų variantų DFPĮ konstrukcijos yra padarytos kitaip, o būtent planarinės (paviršinės) technologijos būdu "horizontalios" konstrukcijos DFPĮ, pavyzdžiui, ant dielektrinio šilumai laidaus padėklo yra suformuotas stačiakampio formos epitaksinis d storio n– sluoksnis, kurio priešinguose kraštuose per visą n– sluoksnio storį d yra suformuotos dvi stačiakampės n+– sritys 1 ir 3.1, atitinkamai pirmasis emiteris (E1) ir antroji bazė (B2 arba B2.2), arba antrasis kolektorius (K2), arba santaka (D), arba ištaka (S), kurių kraštinės yra lygiagrečios atitinkamoms epitaksinio n– sluoksnio kraštinėms. Tarp n+– sričių, pavyzdžiui, šalia pirmosios n+– srities, sudarant bendrą – emiterinę p–n+ sandūrą, yra suformuota stačiakampė p–– sritis – bazė (B), arba pirmoji bazė (B1), kurios kraštinės yra lygiagrečios atitinkamoms n+– srities kraštinėms, p–– srities ilgis lp išilgai p–– ir n+– sričių bendros sąlyčio kraštinės padarytas didesnis už n+– srities ilgį ln+ < lp, o p–– srities plotis l1-3 statmenai ilgiui lp ir lygiagrečiai padėklo paviršiui lemia DFPĮ funkcines savybes. Tarp p–– ir trečiosios n+– sričių per visą n– sluoksnio storį d vienodu atstumu l2-(4-5) yra viena priešais kitą suformuotos dvi atskiros vienodų matmenų stačiakampės p+– sritys: ketvirtoji (4) ir penktoji (5), kurių kraštinės yra lygiagrečios atitinkamoms epitaksinio n– sluoksnio kraštinėms, o lygiagrečiai ilgiui lp atstumas l4-5 tarp p+– sričių 4 ir 5 lemia DFPĮ funkcines savybes. Visų n+– ir p+– sričių paviršiuose yra padaryti atitinkami ominiai kontaktai-išvadai: pirmojoje n+– srityje – E arba E1, trečiojoje n+– srityje – K (K1), arba B2.2, arba D (S), ketvirtojoje p+– srityje – K (K2), arba E (E2), ir penktojoje p+– srityje – E (E2)), arba K (K2), o
[0014] p–– srities priešinguose išoriniuose kraštuose atstumu lp viena nuo kitos yra padarytos dvi vienodų matmenų papildomos p+– sritys su ominiais kontaktais-išvadais: B1 (B1.1) ir B2 (B1.2).
[0015] Visų variantų DFPĮ konstrukcijos yra padarytos kitaip, o būtent planarinės (paviršinės) technologijos būdu "vertikalios" konstrukcijos DFPĮ, pavyzdžiui, ant pirmojo n+– sluoksnio – įtaiso padėklo su ominiu kontaktu-išvadu E (E1) ant vieno jo paviršiaus, ant padėklo kito paviršiaus yra suformuotas storio d2, pavyzdžiui, epitaksinis antrasis p–– sluoksnis, šiame p–– sluoksnyje yra suformuota stačiakampė trečioji n– sritis, kurios įterpimo į p–– sluoksnį gylis h3 yra mažesnis už storį d2 (h3 < d2) ir skirtumas (d2 – h3) = l1-3, n– srities priešinguose kraštuose atstumu l4-5 viena nuo kitos yra suformuotos dvi vienodos p+– sritys: ketvirtoji (4) ir penktoji (5), su paviršiniais atitinkamais ominiais kontaktais-išvadais: K (K2) ir E (E2), arba atvirkščiai, ir p+– sričių 4 ir 5 įterpimo į n– sritį atitinkami gyliai h4 ir h5 yra mažesni už h3 (h(4; 5) < h3), o skirtumas (h3 – h(4; 5)) = l2-(4; 5), n– srities viduryje tarp p+– sričių 4 ir 5 yra suformuota papildoma n+– sritis su paviršiniu ominiu kontaktu-išvadu K (K1) arba B (B2.2), arba D (S), ir papildomos n+– srities įterpimo į n– sritį gylis h3.1 yra mažesnis už h(4; 5) (h3.1 < h(4; 5)), p–– sluoksnyje priešingose n– srities pusėse yra suformuotos dvi atitinkamos papildomos p+– sritys su atitinkamais paviršiniais ominiais kontaktais-išvadais: B1 (B1.1) ir B2 (B1.2).
[0016] Analogo trūkumams pašalinti dviejų įėjimų Uin (1; 2) ir dviejų išėjimų Uiš (1; 2) stiprintuvas-dažnių ω in (1; 2) maišiklis yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su DT(1; 2) dariniais, turinčiais atitinkamus jų kontaktus-išvadus: E(1; 2), K(1; 2), B((1.1; 1.2); 2.2), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K1-B2.2, kuris per antrąjį rezistorių R2 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per antrąjį kondensatorių C2 – su įtaiso antrojo įėjimo gnybtu Uin 2. DT1 kontaktas-išvadas E1 per pirmąjį rezistorių R1 yra sujungtas su "žeme" – įtaiso nulinio potencialo šina, ir kartu per pirmąjį kondensatorių C1 – su įtaiso pirmojo įėjimo gnybtu Uin 1, o kontaktas-išvadas BB 1.1 arba BB 1.2, arba abu kartu, per lygiagrečiai sujungtus trečiąjį rezistorių R3, bei trečiąjį kondensatorių C3 – su "žeme" ir kartu per ketvirtąjį rezistorių R4 – su maitinimo įtampos εo šaltinio pirmuoju gnybtu, pavyzdžiui, teigiamo poliškumo "+", kurio antrasis – neigiamo poliškumo gnybtas "–" yra sujungtas su "žeme". DT2 kontaktas-išvadas E2 per pirmąjį apkrovos rezistorių Ra 1 yra sujungtas su šaltinio gnybtu "+" ir kartu per ketvirtąjį kondensatorių C4 – su įtaiso pirmojo išėjimo gnybtu Uiš 1. DT2 kontaktas-išvadas K2 per antrąjį apkrovos rezistorių Ra 2 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per penktąjį kondensatorių C5 – su įtaiso antrojo išėjimo gnybtu Uiš 2.
[0017] Analogo trūkumams pašalinti dviejų įėjimų Uin (1; 2) ir trijų išėjimų Uiš (1–3) stiprintuvas-dažnių ω in (1–3) maišiklis yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su DT(1; 2) dariniais, turinčiais atitinkamus jų kontaktus-išvadus: E(1; 2), K(1; 2), B((1.1; 1.2); 2.2), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra E1-B2.2, kuris per R3 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C4 – su gnybtu Uin 2, ir kartu per R4 – su šaltinio gnybtu "+", kurio gnybtas "–" – su "žeme". DT1 kontaktas-išvadas K1 per Ra 1 yra sujungtas su šaltinio gnybtu "+" ir kartu per C2 – su gnybtu Uiš 1, o kontaktas-išvadas BB 1.1, arba BB 1.2, arba abu kartu, per R1 – su "žeme" ir kartu per R2 – su šaltinio gnybtu "+", ir kartu per C1 – su gnybtu Uin 1. DT2 kontaktas-išvadas E2 per Ra 2 yra sujungtas su šaltinio gnybtu "+" ir kartu per C3 – su gnybtu Uiš 2, o kontaktas-išvadas K2 per trečiąjį apkrovos rezistorių Ra 3 – su "žeme" ir kartu per C5 – su įtaiso trečiojo išėjimo gnybtu Uiš 3.
[0018] Analogo trūkumams pašalinti vieno įėjimo Uin 1 dviejų išėjimų Uiš (1; 2) impulsų formuotuvas yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su DT(1; 2) dariniais, turinčiais atitinkamus jų kontaktus-išvadus: E(1; 2), K(1; 2), B((1.1; 1.2); 2.2), kai DFPĮ bendrasis kontaktas- išvadas yra K1-B2.2 ir yra laisvas. DT1 kontaktas-išvadas E1 per R1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C1 – su gnybtu Uin 1, o kontaktas-išvadas BB 1.1 arba BB 1.2, arba abu kartu, per R2 yra sujungti su "žeme", ir kartu per R3 – su DT2 kontaktu-išvadu K2, kuris per Ra 2 – su "žeme", ir kartu per C3 – su gnybtu Uiš 2. DT2 kontaktas-išvadas E2 per Ra 1 yra sujungtas su šaltinio gnybtu "+", kurio gnybtas "–" – su "žeme", ir kartu per C2 – su gnybtu Uiš 1. Kitame schemos variante vietoje R3 yra įjungtas C4.
[0019] Analogo trūkumams pašalinti vieno įėjimo Uin 1 ir trijų išėjimų Uiš (1–3) impulsų formuotuvas yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su PT ir DT dariniais, turinčiais atitinkamus jų kontaktus-išvadus: E(1; 2), K(1; 2), B((1; 2); 2.2), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K1-B2.2, kuris per R3 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C2 – su gnybtu Uin 1, ir kartu per R4 – su šaltinio gnybtu "+", kurio gnybtas "–" – su "žeme". PT kontaktas-išvadas E1 per Ra 1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C1 – su gnybtu Uiš 1, kontaktas-išvadas B1 per R1 – su "žeme", o kontaktas-išvadas B2 per R2 – su DT kontaktu-išvadu K2, kuris per Ra 3 – su "žeme" ir kartu per C4 – su gnybtu Uiš 3, o kontaktas-išvadas E2 per Ra 2 – su šaltinio gnybtu "+" ir kartu per C3 – su gnybtu Uiš 2. Kitame schemos variante vietoje R2 yra įjungtas C4.
[0020] Analogo trūkumams pašalinti dviejų įėjimo Uin (1; 2) ir dviejų išėjimų Uiš (1; 2) impulsų formuotuvas yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su DT ir PT dariniais, turinčiais atitinkamus jų kontaktus-išvadus: E(1; 2), K(1; 2), B((1.1; 1.2); 2), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K1-B2, kuris per R2 yra sujungtas su "žeme". DT kontaktas-išvadas E1 per R1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C1 – su gnybtu Uin 1, kontaktas-išvadas B1.1 per C2 – su gnybtu Uin 2, o kontaktas-išvadas B1.2 – su "žeme", arba kitame schemos variante abu kontaktai-išvadai
[0021] B(1.1-1.2) – su "žeme" (vieno įėjimo Uin 1 variantas). PT kontaktas-išvadas E2 per Ra 2 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C4 – su gnybtu Uiš 2, o kontaktas-išvadas K2 per C3 – su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 1 – su šaltinio gnybtu "+", kurio gnybtas "–" – su "žeme".
[0022] Analogo trūkumams pašalinti vieno įėjimo Uin 1 ir trijų išėjimų Uin (1–3) impulsų formuotuvas yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su PT ir DT dariniais, turinčiais atitinkamus jų kontaktus-išvadus: E(1; 2), K(1; 2), B((1; 2), 2.2), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K1-B2.2 ir yra laisvas. PT kontaktas-išvadas E1 per R1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C3 – su gnybtu Uiš 3, o kontaktai-išvadai B(1; 2) per atitinkamus R(2; 3) yra sujungti su transformatoriaus (Tr) antrinės apvijos (II) dviem išvadais, kai Tr pirminės apvijos (I) vienas išvadas yra sujungtas su gnybtu Uin 1, o kitas išvadas – su "žeme". DT kontaktas-išvadas E2 per C1 yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 1 – su šaltinio gnybtu "+", kurio gnybtas "–" – su "žeme", o kontaktas-išvadas K2 per Ra 2 – su "žeme" ir kartu per C2 – su gnybtu Uiš 2.
[0023] Analogo trūkumams pašalinti keturių įėjimų Uin (1–4) ir vieno išėjimo Uiš 1 stiprintuvas- dažnių ω in (1–4) maišiklis yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su DT ir VT dariniais, turinčiais atitinkamus kontaktus-išvadus: E, K, B(1.1; 1.2) ir G(1; 2), D, kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K-D, kuris per C4 yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 1 – su šaltinio gnybtu "+", kurio gnybtas "–" – su "žeme". DT kontaktas-išvadas E per R1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C1 – su gnybtu Uin 1, kontaktas-išvadas B1.2 per lygiagrečiai sujungtus R2, bei C3 – su "žeme" ir kartu per R3 – su šaltinio gnybtu "+", o kontaktas-išvadas B1.1 per C2 – su gnybtu Uin 2. VT kontaktas-išvadas G1 per pirmąjį užtūros rezistorių RG 1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C3 – su įtaiso trečiojo įėjimo gnybtu Uin 3, o kontaktas-išvadas G2 per antrąjį užtūros rezistorių RG 2 – su "žeme" ir kartu per C5 – su įtaiso ketvirtojo įėjimo gnybtu Uin 4.
[0024] Analogo trūkumams pašalinti penkių įėjimų Uin (1–5) ir vieno išėjimo Uiš 1, arba keturių įėjimų Uin (1–4) ir dviejų išėjimų Uiš (1; 2), stiprintuvas-dažnių ω in (1–5), arba ω in (1–4), maišiklis yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su DT ir VT dariniais, turinčiais atitinkamus kontaktus-išvadus: E, K, B(1.1; 1.2) ir G(1; 2), D, kai bendrasis kontaktas-išvadas yra K-D, kuris per C4 yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 1 – su šaltinio gnybtu "+", kurio gnybtas "–" – su "žeme". DT kontaktas-išvadas E per R1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C1 – su gnybtu Uin 1 (arba – su gnybtu Uiš 2), kontaktas-išvadas B1.2 per šeštąjį DFPĮ kondensatorių C6 – su penktuoju įėjimo gnybtu Uin 5 ir kartu per R2 – su "žeme", ir kartu per R3 – su šaltinio gnybtu "+", o kontaktas-išvadas B1.1 per R4 – su "žeme" ir kartu per penktąjį rezistorių R5 – su šaltinio gnybtu "+", ir kartu per C2 – su gnybtu Uin 2. VT kontaktas-išvadas G1 per RG 1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C3 – su gnybtu Uin 3, o kontaktas-išvadas G2 per RG 2 – su "žeme" ir kartu per C5 – su gnybtu Uin 4.
[0025] Analogo trūkumams pašalinti dviejų įėjimų Uin (1; 2) ir vieno išėjimo Uiš 1, arba dviejų išėjimų Uiš (1; 2) ir vieno įėjimo Uin 1, stiprintuvas-impulsų formuotuvas ir dažnių ω in (1; 2) maišiklis, arba dviejų išėjimų Uiš (1; 2) generatorius, yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su DT ir VT dariniais, turinčiais atitinkamus jų kontaktus-išvadus: E, K, B(1.1; 1.2) ir G(1; 2), D, kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K-D, kuris per C4 yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 1 – su šaltinio gnybtu "+", kurio gnybtas "–" – su "žeme". DT kontaktas-išvadas E per R1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C2 – su gnybtu Uin 2 (arba gnybtu Uiš 2), o kontaktai-išvadai B(1.1; 1.2) kartu per R2 – su "žeme", ir kartu per C1 – su gnybtu Uin 1, ir kartu per R3 – su šaltinio gnybtu "+". VT kontaktai-išvadai G(1; 2) kartu per lygiagrečiai sujungtus R4, bei C3, yra sujungti su "žeme", ir kartu per R5 – su šaltinio gnybtu "+". Kitame schemos variante – generatoriuje DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas K-D per nuosekliai sujungtus C5 ir pirmąjį induktorių L1 yra sujungtas su DT kontaktu-išvadu E.
[0026] Analogo trūkumams pašalinti trijų įėjimų Uin (1–3) ir dviejų išėjimo Uiš (1; 2) stiprintuvas- dažnių ω in (1–4) maišiklis yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su DT ir VT, turinčiais atitinkamus jų kontaktus-išvadus: K, E, B(1.1; 1.2) ir G(1; 2), S, kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra E-S, kuris per C5 yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 2 – su šaltinio gnybtu
[0027] "–", kurio gnybtas "+" – su "žeme". DT kontaktas-išvadas K per Ra 1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C1 – su gnybtu Uiš 2, kontaktas-išvadas B1.2 per lygiagrečiai sujungtus R1, bei C3 – su "žeme" ir kartu per R2 – su šaltinio gnybtu "–", o kontaktas-išvadas B1.1 per C2 – su gnybtu Uin 1. VT kontaktas-išvadas G1 per C4 yra sujungtas su gnybtu Uin 2 ir kartu per RG 1 – su "žeme", ir kartu per R3 – su šaltinio gnybtu "–", o kontaktas-išvadas G2 per C6 – su gnybtu Uin 3 ir kartu per RG 2 – su "žeme", ir kartu per R4 – su šaltinio gnybtu "–". 14
[0028] Analogo trūkumams pašalinti trijų išėjimų Uiš (1–3) ir vieno moduliavimo įėjimo Uin M 1 generatorius yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su DT(1; 2), turinčiais atitinkamus jų kontaktus-išvadus: E(1; 2), K(1; 2), B((1.1; 1.2); 2.2), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K1-B2.2, kuris per R4 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per R3 – su šaltinio gnybtu "+", kurio gnybtas "–" – su "žeme". DT1 kontaktas-išvadas E1 per Ra 3 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C3 – su gnybtu Uiš 3, kontaktas-išvadas B1.2 per C4 – su įtaiso pirmojo moduliacinio įėjimo gnybtu Uin M 1, o kontaktas-išvadas B1.1 per nuosekliai sujungtus R5 ir C5 – su DT2 kontaktu-išvadu E2 ir kartu per R2 – su "žeme", ir kartu per R1 – su šaltinio gnybtu "+". DT1 kontaktas-išvadas B1.1 per nuosekliai sujungtus C6 ir induktorių L1 yra sujungtas su DT2 kontaktu-išvadu K2, kuris per C2 – su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 2 – su "žeme", o kontaktas-išvadas E2 per C1 – su gnybtu Uiš 2 ir kartu per Ra 1 – su šaltinio gnybtu "+".
[0029] Analogo trūkumams pašalinti trijų išėjimų Uiš (1–3) ir vieno moduliavimo įėjimo Uin M 1 generatorius yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su DT(1; 2), turinčiais atitinkamus jų kontaktus-išvadus: E(1; 2), K(1; 2), B((1.1; 1.2); 2.2), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K1-B2.2, kuris per R4 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per R3 – su šaltinio gnybtu "+", kurio gnybtas "–" – su "žeme". DT1 kontaktas-išvadas E1 per Ra 3 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C3 – su gnybtu Uiš 3, kontaktas-išvadas B1.2 per C4 – su gnybtu Uin M 1, o kontaktas-išvadas B1.1 per nuosekliai sujungtus R5 ir C5 – su DT2 kontaktu-išvadu E2, kuris per Ra 1 – su šaltinio gnybtu "+" ir kartu per C1 – su gnybtu Uiš 2, ir kontaktas-išvadas B1.1 per R1 – su šaltinio gnybtu "+", ir kartu per septintąjį kondensatorių C7 – su DT2 kontaktu-išvadu K2, kuris per C2 – su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 2 – su "žeme", ir kontaktas-išvadas B1.1 per aštuntąjį kondensatorių C8 ir per lygiagrečiai sujungtus C6, bei L1 – su "žeme".
[0030] Analogo trūkumams pašalinti dviejų išėjimų Uiš (1; 2) ir dviejų moduliavimų įėjimų
[0031] Uin M (1; 2) generatorius yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su DT ir VT, turinčiais atitinkamus jų kontaktus-išvadus: E, K, B(1.1; 1.2) ir G(1; 2), D (S), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K-D, kuris per C1 yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 ir kartu per nuosekliai sujungtus šeštąjį rezistorių R6, bei C7 – su DT kontaktu-išvadu B1.1, ir kartu per nuosekliai sujungtus L1, bei C6 – su DT kontaktu-išvadu E, ir kartu per Ra 1 – su šaltinio gnybtu "+", kurio gnybtas "–" – su "žeme". DT kontaktas-išvadas E per Ra 2 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C2 – su gnybtu
[0032] Uiš 2, kontaktas-išvadas B1.2 per C3 – su įtaiso antrojo moduliacinio įėjimo gnybtu Uin M 2, o kontaktas-išvadas B1.1 per R2 – su "žeme" ir kartu per R1 – su šaltinio gnybtu "+". VT kontaktas-išvadas G1 per lygiagrečiai sujungtus C5 ir R4 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per R3 – su šaltinio gnybtu "+", ir kartu per R5 – su VT gnybtu G2, kuris per C4 – su gnybtu Uin M 1.
[0033] Analogo trūkumams pašalinti dviejų išėjimų Uiš (1; 2) ir dviejų moduliavimų įėjimų
[0034] Uin M (1; 2) generatorius yra padarytas kitaip, kurioje yra įjungtas DFPĮ su DT ir VT, turinčiais atitinkamus jų kontaktus-išvadus: E, K, B(1.1; 1.2) ir G(1; 2), D (S), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K-D, kuris per C1 yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 ir kartu per nuosekliai sujungtus R6, bei C7 – su DT kontaktu-išvadu B1.1, ir kartu per nuosekliai sujungtus aštuntąjį kondensatorių C8, bei devintąjį kondensatorių C9 – su DT kontaktu-išvadu E, ir kartu per Ra 1 – su šaltinio gnybtu "+", kurio gnybtas "–" – su "žeme", o C8 ir C9 bendrasis jungimo mazgas per lygiagrečiai sujungtus L1, bei C6 – su "žeme". DT kontaktas-išvadas E per Ra 2 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C2 – su gnybtu Uiš 2, kontaktas-išvadas B1.2 per C3 – su gnybtu Uin M 2, o kontaktas-išvadas B1.1 per R2 – su "žeme" ir kartu per R1 – su šaltinio gnybtu "+". VT kontaktas-išvadas G1 per lygiagrečiai sujungtus C5 ir R4 yra sujungtas su "žeme", ir kartu per R3 – su šaltinio gnybtu "+", ir kartu per R5 – su gnybtu G2, kuris per C4 – su gnybtu Uin M 1.
[0035] Analogo trūkumams pašalinti trijų išėjimų Uiš (1–3) relaksacinių virpesių RC–generatorius yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su DT ir PT dariniais, turinčiais atitinkamus jų kontaktus-išvadus: E(1; 2), K(1; 2), B((1.1; 1.2); 2), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K1-B2, kuris per C1 yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 1 – su šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme". DT kontaktas-išvadas E1 per Ra 2 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C2 – su gnybtu Uiš 2, kontaktai-išvadai B(1.1; 1.2) per C4 – su "žeme" ir kartu per R1 – su šaltinio gnybtu "+", ir kartu – su PT kontaktu-išvadu K2, o kontaktas-išvadas E2 per Ra 3 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C3 – su gnybtu Uiš 3.
[0036] DFPĮ darinio konstrukcija yra parodyta Fig. 1, a, su atitinkamais schemotechniniais žymenimis (Fig. 1, b–e), Fig. 2, a ir b, yra parodyti DFPĮ darinio planarinės "horizontalios" konstrukcijos atitinkamai vaizdas iš plokštumos paviršiaus su ominiais kontaktais ir planarinės konstrukcijos pjūvis statmenai padėklo plokštumai, Fig. 3 yra parodytas DFPĮ darinio planarinės vertikalios konstrukcijos pjūvis statmenai padėklo plokštumai, Fig. 4, a ir b, yra parodyti DFPĮ darinio planarinės "vertikalios" konstrukcijos dviejų variantų atitinkami vaizdai iš plokštumų paviršių su ominiais kontaktais, Fig. 5–Fig. 17 yra parodytos įvairios principinės elektroninės schemos su įvairiais DFPĮ darinių variantais. Fig. 18–Fig. 22 yra parodytos atitinkamų schemų su atitinkamais DFPI (Fig. 1) veikos atitinkamų signalų u(in (1–5); iš (1–3)) (t) laikinės diagramos.
[0037] Fig. 1–Fig. 4 skaičiais ir simboliais yra pažymėta: 1–3 – atitinkamai pirmasis–trečiasis puslaidininkiniai sluoksniai (sritys), sudarančios DFPĮ darinio, pavyzdžiui, n+–p–n–n+ laidumo DT (DT1) arba PT darinį; 1.1, 2.1–2.2 ir 3.1 – atitinkamai puslaidininkinių sluoksnių 1–3 ominiai kontaktai su atitinkamais išvadais E (E1), B(1; 2) (B(1.1; 1.2)) ir K (K1) (arba D (S)); 4 ir 5 – p+– laidumo sritys n– sluoksnyje 3, sudarančios DFPĮ darinio p+–n–p+ laidumo DT (DT2) arba PT darinį, arba atidaryto n– kanalo sandūrinį VT; 4.1 ir 5.1 – atitinkamai p+– sričių 4 ir 5 ominiai kontaktai su atitinkamais išvadais K2 (arba E2) ir E2 (arba K2), arba G1 ir G2; 6 – dielektrinis šilumai laidus padėklas; Fig. 5–Fig. 15 skaičiais ir simboliais yra pažymėta: 1–4 – rezistoriai
[0038] R(1–4): pirmasis–ketvirtasis; 5 ir 6 – apkrovų rezistoriai R(a 1; a 2): pirmasis ir antrasis; 7–11 – kondensatoriai C(1–5): pirmasis–penktasis; 12 – pastoviosios įtampos εo maitinimo šaltinis su teigiamo "+" ir neigiamo "–" poliškumų gnybtais; 13 – "žemė" – įtaiso nulinio potencialo šina; 14 ir 15 – įtaiso įėjimų gnybtai Uin (1; 2): pirmasis ir antrasis; 16–18 – įtaiso išėjimų gnybtai
[0039] Uiš (1–3): pirmasis (Uiš 1)–trečiasis (Uiš 3); 19 – transformatorius (Tr); 20 ir 21 – Tr (19) atitinkamai pirminė (I) ir antrinė (II) apvijos; 22 ir 23 – VT užtūrų G(1; 2) rezistoriai R(G 1; G 2): pirmasis (RG 1) ir antrasis (RG 2); 24 ir 25 – įtaiso įėjimo gnybtai Uin (4; 5): ketvirtasis (Uin 4) ir penktasis (Uin 5); 26 – penktasis rezistorius R5; 27 – šeštasis kondensatorius C6; 28 – pirmasis induktorius L1; 29 – įtaiso trečiasis išėjimo gnybtas Uiš 3; 30 – trečiasis apkrovos rezistorius Ra 3; 31 ir 32 – įtaiso moduliaciniai įėjimai Uin M (1; 2): pirmasis (Uin M 1) ir antrasis (Uin M 2); 33–35 – kondensatoriai C(7–9): septintasis (C7)–devintasis (C9); 36 – šeštasis rezistorius R6.
[0040] Pirmojo varianto DFPĮ (Fig. 1, a) yra sudarytas iš trijų, pavyzdžiui, n+–p––(n–n+) besikeičiančio laidumo tipo puslaidininkinių sluoksnių 1–3, atitinkamai stipriai legiruoto donorinėmis Nd 1 = 1019–1020 cm–3 priemaišomis n+– sluoksnio 1, vidutiniškai silpnai legiruoto akceptorinėmis Na 2 = 1016–1018 cm–3 priemaišomis p–– sluoksnio 2 ir vidutiniškai stipriai legiruoto donorinėmis Nd 3 = 1017–1019 cm–3 priemaišomis n– sluoksnio 3, kuriame yra suformuotos dvi stipriai legiruotos akceptorinėmis Na (4; 5) = 1019–1020 cm–3 priemaišomis p+– sritys 4 ir 5 su atitinkamais ominiais kontaktais ir išvadais 4.1 ir 5.1, ir taip pat n– sluoksnis 3 turi stipriai legiruotą donorinėmis Nd 3 = 1019–1020 cm–3 priemaišomis n+– sritį su ominiu kontaktu-išvadu 3.1, ir taip pat n+– sluoksnis 1 ir n– sluoksnis 3 turi atitinkamus ominius kontaktus su atitinkamais išvadais 1.1 ir 3.1, ir taip pat p–– sluoksnis 2 turi du priešpriešai išdėstytus ominius kontaktus su atitinkamais išvadais 2.1 ir 2.2, o p–– sluoksnio 2 storis l1-3 – atstumas nuo n+– sluoksnio 1 iki n– sluoksnio 3, yra padarytas mažesnis už šalutinių krūvininkų – elektronų np difuzijos nuotolį Ld 2 šiame p–– sluoksnyje 2 (l1-3 < Ld 2), ir taip yra realizuotas n+–p––(n–n+) laidumo pirmasis darinis DT1 (Fig. 1, b), kurio kontaktai-išvadai 1.1 ir 3.1 yra atitinkamai emiteris E1 ir kolektorius K1, o kontaktai-išvadai 2.1 ir 2.2 yra bazės B1 atitinkami du kontaktai B1.1 ir B1.2. Atstumas l4-5 tarp p+– sričių 4 ir 5 n– sluoksnyje 3 yra padarytas mažesnis už šalutinių krūvininkų – skylių pn difuzijos nuotolį Ld 3 n– sluoksnyje 3 (l4-5 < Ld 3), ir taip yra realizuotas p+–n–p+ laidumo darinis DT2 (Fig. 1, b), kurio kontaktai-išvadai 4.1 ir 5.1 yra atitinkamai emiteris E2 ir kolektorius K2, arba atvirkščiai, o kontaktas-išvadas 3.1 yra bazės B2 kontaktas B2.2. Atstumai l2-4 ir l2-5 nuo p–– sluoksnio 2 iki šalia esančių atitinkamų p+– sričių 4 ir 5 yra padaryti didesni už p–n sandūros tarp atitinkamų p–– ir n– sluoksnių 2 ir 3 nuskurdintos srities n– sluoksnyje 3 maksimalaus storio dpn 2-3 max, ir kartu didesni už p–n sandūrų tarp n– sluoksnio 3 ir atitinkamų p+– sričių 4 ir 5 nuskurdintų atitinkamų sričių n– sluoksnyje 3 atitinkamų maksimalių storių dpn (3-4; 3-5) max: l(2-(4; 5)) > dpn (2-3; 3-4; 3-5) max.
[0041] DFPĮ (Fig. 1, a) antrasis variantas (Fig. 1, c) yra padarytas su n+–p––(n–n+) pirmuoju dariniu DT, turinčiu atitinkamus parametrus ir atitinkamus kontaktus E1 (1.1), K1 (3.1), B1.1 (2.1) ir B1.2 (2.2), o atstumas l4-5 > Ld 3 ir kartu l4-5 < dpn (3-4; 3-5) max, ir taip yra realizuotas p+–n–p+ laidumo antrasis darinis PT (Fig. 1, c), kurio kontaktai-išvadai 4.1 ir 5.1 yra atitinkamai E2 ir K2, arba atvirkščiai, o kontaktas-išvadas 3.1 yra bazės B2 kontaktas B2.2.
[0042] DFPĮ (Fig. 1, a) trečiasis variantas (Fig. 1, d) yra padarytas su n+–p––(n–n+) pirmuoju dariniu PT, turinčiu atitinkamus parametrus: l1-3 > Ld 2 ir kartu l1-3 < dpn (2-1; 2-3) max – atitinkamų p–n sandūrų tarp p–– sluoksnio 2 ir n+–, bei n– atitinkamų sluoksnių 1, bei 3, nuskurdintų atitinkamų sričių p–– sluoksnyje 2 atitinkami maksimalūs storiai, ir atitinkamus kontaktus-išvadus: E1 (1.1), K1 (3.1), B1.1 (2.1) ir B1.2 (2.2), ir atitinkamus kontaktus-išvadus: E1 (1.1), K1 (3.1), B1.1 (2.1) ir B1.2 (2.2), o antrasis darinis DT atitinka DT2 darinio parametrus ir turi atitinkamus kontaktus-išvadus: K2 (4.1), E2 (5.1), arba atvirkščiai, ir B2.2 (3.1).
[0043] DFPĮ (Fig. 1, a) – ketvirtasis variantas (Fig. 1, e) yra padarytas su n+–p––(n–n+) laidumo DT dariniu, kurio parametrai atitinka DT1 parametrus ir atitinkamus jo kontaktus-išvadus: E (1.1), K (3.1), B1 (2.1) ir B2 (2.2). Atstumas l4-5 yra padarytas didesnis už p–n sandūrų tarp n– sluoksnio 3 ir atitinkamų p+– sričių 4 ir 5 atitinkamų nuskurdintų sričių n– sluoksnyje 3 atitinkamų neutralių storių dpn (3-4; 3-5) o sumą, kai nėra poveikių įtampų, ir kartu mažesnis už atitinkamų maksimalių storių dpn (3-4; 3-5) max sumą, kai yra atgalinių poveikių įtampos (dpn 3-4 o +
[0044] + dpn 3-5 o < l4-5 < dpn 3-4 max + dpn 3-5 max), ir taip yra realizuotas atidaryto n–kanalo sandūrinis VT darinis, kurio kontaktai-išvadai 4.1 ir 5.1 yra atitinkamai užtūros G(1; 2), arba atvirkščiai, o kontaktas-išvadas 3.1 yra santaka D, arba ištaka S.
[0045] Įvairių funkcinių savybių DFPĮ (Fig. 1) yra padaryti planarinės (paviršinės) technologijos būdu "horizontalios" konstrukcijos (Fig. 2), pavyzdžiui, ant dielektrinio šilumai laidaus padėklo 6 yra suformuotas, pavyzdžiui, stačiakampio formos epitaksinis d storio n– sluoksnis 3, kurio priešinguose kraštuose per visą n– sluoksnio 3 storį d yra suformuotos dvi stačiakampės n+– sritys: pirmoji (1) – emiteris E (1.1) (pirmasis emiteris E1 (1.1)) ir trečioji (3.1) – bazė B (3.1) (antroji bazė B2 (3.1) (B2.2 (3.1))) ir kolektorius K (3.1) (antrasis kolektorius K2 (3.1)), arba santaka D (3.1) (ištaka S (3.1)), kurių kraštinės yra lygiagrečios atitinkamoms epitaksinio n– sluoksnio 3 kraštinėms. Tarp n+– sričių 1 ir 3.1, pavyzdžiui, šalia pirmosios n+– srities 1, sudarant bendrą – emiterinę p––n+ sandūrą, yra suformuota antroji stačiakampė p–– sritis 2 – bazė B (2) (pirmoji bazė B1 (2)), kurios kraštinės yra lygiagrečios atitinkamoms n+– srities 1 kraštinėms, p–– srities 2 ilgis lp, išilgai p–– ir n+– sričių 2 ir 1 bendros sąlyčio kraštinės, yra padarytas didesnis už n+– srities 1 ilgį ln+ < lp, o p–– srities 2 plotis l1-3, statmenai ilgiui lp ir lygiagrečiai padėklo 6 paviršiui, lemia DFPĮ funkcines savybes. Tarp p–– ir trečiosios n+– sričių 2 ir 3.1 per visą n– sluoksnio 3 storį d vienodu atstumu l2-(4; 5) yra viena priešais kitą suformuotos dvi atskiros vienodų matmenų stačiakampės p+– sritys: ketvirtoji (4) ir penktoji (5), kurių kraštinės yra lygiagrečios atitinkamoms epitaksinio n– sluoksnio 3 kraštinėms, o lygiagrečiai ilgiui lp atstumas l4-5 tarp p+– sričių 4 ir 5 lemia DFPĮ funkcines savybes. Visų n+– ir p+– sričių 1, 3.1, 4 ir 5 paviešiuose yra padaryti atitinkami ominiai kontaktai-išvadai: (E (E1))–1.1,
[0046] (K (K1)–B2.2 arba D (S))–3.1, (K (K2), arba E (E2))–4.1 ir (E (E2), arba K (K2))–5.1, o p–– srities 2 priešinguose kraštuose atstumu lp viena nuo kitos yra padarytos dvi vienodų matmenų papildomos p+– sritys 2.1 ir 2.2 su atitinkamais ominiais kontaktais-išvadais B1 (B1.1) ir B2 (B1.2).
[0047] Įvairių funkcinių savybių DFPĮ (Fig. 1) yra padaryti planarinės (paviršinės) technologijos būdu "vertikalios" konstrukcijos (Fig. 3, Fig. 4), pavyzdžiui, ant pirmojo n+– sluoksnio 1 – įtaiso padėklo 1 su ominiu kontaktu-išvadu E (E1) (1.1) ant vieno jo paviršiaus, ant padėklo 1 kito paviršiaus yra suformuotas storio d2, pavyzdžiui, epitaksinis antrasis p–– sluoksnis 2, šiame p–– sluoksnyje 2 yra suformuota stačiakampė trečioji n– sritis 3, kurios įterpimo į p–– sluoksnį 2 gylis h3 yra mažesnis už storį d2 (h3 < d2) ir skirtumas (d2 – h3) = l1-3, o n– srities 3 priešinguose kraštuose atstumu l4-5 viena nuo kitos yra suformuotos dvi vienodos p+– sritys: ketvirtoji (4) ir penktoji (5), su paviršiniais atitinkamais ominiais kontaktais-išvadais: K (K2) (4.1) ir E (E2) (5.1), arba atvirkščiai, ir p+– sričių 4 ir 5 įterpimo į n– sritį 3 atitinkami gyliai h4 ir h5 yra mažesni už h3 (h(4; 5) < h3), o skirtumas (h3 – h(4; 5)) = l2-(4; 5)), ir n– srities 3 viduryje tarp p+– sričių 4ir 5 yra suformuota papildoma n+– sritis 3.1 su paviršiniu ominiu kontaktu-išvadu: K (K1) (3.1) arba B (B2.2) (3.1), arba D (S) (3.1), ir papildomos n+– srities 3.1 įterpimo į n– sritį 3 gylis h3.1 yra mažesnis už h(4; 5) (h3.1 < h(4; 5)), o p–– sluoksnyje 2 priešingose n– srities 3 pusėse yra suformuotos dvi atitinkamos papildomos p+– sritys 2.1 ir 2.2 su atitinkamais paviršiniais ominiais kontaktais-išvadais: B1 (B1.1) (2.1) ir B2 (B1.2) (2.2).
[0048] Dviejų įėjimų Uin (1; 2) ir dviejų išėjimų Uiš (1; 2) stiprintuvas-dažnių ω in (1; 2) maišiklis
[0049] (Fig. 5) yra padarytas su DFPĮ (Fig. 1, b), kurio ir kartu schemos veikos funkcijas lemia du
[0050] DT(1; 2) dariniai su atitinkamais jų kontaktais-išvadais: E(1; 2) (1.1; 4.1), K(1; 2) (3.1; 5.1) ir
[0051] B((1.1; 1.2); 2.2) ((2.1; 2.2); 3.1), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K1-B2.2 (3.1). DT1 kontaktas E1 (1.1) per pirmąjį rezistorių R1 (1) yra sujungtas su "žeme" – įtaiso nulinio potencialo šina 13, ir kartu per pirmąjį kondensatorių C1 (7) – su įtaiso pirmojo įėjimo gnybtu Uin 1 (14). DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas K1-B2.2 (3.1) per antrąjį rezistorių R2 (2) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per antrąjį kondensatorių C2 (8) – su įtaiso antrojo įėjimo gnybtu Uin 2 (15). DT1 kontaktai-išvadai B(B1.1; 1.2) (2.1; 2.2) yra sujungti tarpusavyje ir per lygiagrečiai sujungtus trečiąjį rezistorių R3 (3), bei trečiąjį kondensatorių C3 (9), yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per ketvirtąjį rezistorių R4 (4) – su maitinimo įtampos εo šaltinio 12 pirmuoju gnybtu, pavyzdžiui, teigiamo poliškumo "+", kurio antrasis – neigiamo poliškumo gnybtas "–" yra sujungtas su "žeme" (13). DT2 kontaktas-išvadas E2 (4.1) per pirmąjį apkrovos rezistorių Ra 1 (5) yra sujungtas su šaltinio 12 gnybtu "+" ir kartu per ketvirtąjį kondensatorių C4 (10) – su įtaiso pirmojo išėjimo gnybtu Uiš 1 (16). DT2 kontaktas-išvadas K2 (5.1) per antrąjį apkrovos rezistorių Ra 2 (6) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per penktąjį kondensatorių C5 (11) – su įtaiso antrojo išėjimo gnybtu Uiš 2 (17).
[0052] Dviejų įėjimų Uin (1; 2) ir trijų išėjimų Uiš (1–3) stiprintuvas-dažnių ω in (1–3) maišiklis (Fig. 6) yra padarytas su DFPĮ (Fig. 1, b), kurio ir kartu schemos veikos funkcijas lemia du DT(1; 2) dariniai su atitinkamais jų kontaktais-išvadais: E(1; 2) (3.1; 4.1), K(1; 2) (1.1; 5.1), B((1.1; 1.2); 2.2) (2.1; 2.2; 3.1), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra E1-B2.2 (3.1). DT1 kontaktas-išvadas K1 (1.1) per Ra 1 (5) yra sujungtas su šaltinio (12) gnybtu "+", kurio gnybtas "–" – su "žeme" (13) ir kartu per C2 (8) – su gnybtu Uiš 1 (16), o kontaktas-išvadas BB 1.1 (2.1) arba BB 1.2 (2.1), arba abu kartu, per R1 (1) – su "žeme" (13) ir kartu per R2 (2) – su šaltinio (12) gnybtu "+", ir kartu per C1 (7) – su gnybtu Uin 1 (14). DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas E1-B2.2 (3.1) per R3 (3) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per R4 (4) – su šaltinio (12) gnybtu "+", ir kartu per C4 (10) – su gnybtu
[0053] Uin 2 (15). DT2 kontaktas-išvadas E2 (4.1) per Ra 2 (6) yra sujungtas su šaltinio (12) gnybtu "+" ir kartu per C3 (9) – su gnybtu Uiš 2 (17), kontaktas-išvadas K2 (5.1) per Ra 3 (7) – su "žeme" (13) ir kartu per C5 (11) – su gnybtu Uiš 3 (25).
[0054] Vieno įėjimo Uin 1 ir dviejų išėjimų Uiš (1; 2) impulsų formuotuvas (Fig. 7) yra padarytas su DFPĮ (Fig. 1, b), kurio ir kartu schemos veikos funkcijas lemia du DT(1; 2) dariniai su atitinkamais jų kontaktais-išvadais: E(1; 2) (1.1; 4.1), K(1; 2) (3.1; 5.1) ir B((1.1; 1.2); 2.2) (2.1; 2.2; 3.1), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K1-B2.2 (3.1) ir yra laisvas. DT1 kontaktas-išvadas E1 (1.1) per R1 (1) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per C1 (7) – su gnybtu Uin 1 (14). DT1 kontaktai-išvadai B(B1.1; 1.2) (2.1; 2.2) yra sujungti tarpusavyje ir per R2 (2) – su "žeme" (13), ir kartu per R3 (3) – su DT2 kontaktu-išvadu K2 (5.1), kuris per Ra 2 (6) – su "žeme" (13), ir kartu per C3 (9) – su gnybtu Uiš 2 (17). DT2 kontaktas-išvadas E2 (4.1) per Ra 1 (5) yra sujungtas su šaltinio 12 gnybtu "+" ir kartu per C2 (8) – su gnybtu Uiš 1 (16). Šaltinio 12 gnybtas "–" yra sujungtas su "žeme" (13). Kitame schemos (Fig. 7) variante vietoje R3 (3) yra įjungtas C4 (10).
[0055] Vieno įėjimo Uin (1; 2) ir trijų išėjimų Uiš (1–3) impulsų formuotuvas (Fig. 8) yra padarytas su DFPĮ (Fig. 1, c), kurio ir kartu schemos veikos funkcijas lemia PT ir DT dariniai su atitinkamais jų kontaktais-išvadais: E(1; 2) (1.1; 4.1), K(1; 2) (3.1; 5.1), B((1; 2); 2.2) (2.1; 2.2; 3.1), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K1-B2.2 (3.1), kuris per R3 (3) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per C2 (8) – su gnybtu Uin 1 (14), ir kartu per R4 (4) – su šaltinio (12) gnybtu "+", kurio gnybtas "–" – su "žeme" (13). PT kontaktas-išvadas E1 (1.1) per Ra 1 (5) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per C1 (7) – su gnybtu Uiš 1 (16), kontaktas-išvadas B1 (2.1) per R1 (1) – su "žeme" (13), o kontaktas-išvadas B2 (2.2) per R2 (2) – su DT kontaktu-išvadu K2 (5.1), kuris per Ra 3 (7) – su "žeme" (13) ir kartu per C4 (10) – su gnybtu Uiš 3 (25), o kontaktas-išvadas E2 (4.1) per Ra 2 (6) – su šaltinio (12) gnybtu "+" ir kartu per C3 (9) – su gnybtu Uiš 2 (17). Kitame schemos (Fig. 8) variante vietoje R2 (2) yra įjungtas C4 (10).
[0056] Vieno įėjimo Uin 1, arba dviejų įėjimų Uin (1; 2), ir dviejų išėjimų Uiš (1; 2) impulsų formuotuvas (Fig. 9) yra padarytas su DFPĮ (Fig. 1, d), kurio ir kartu schemos veikos funkcijas lemia DT ir PT dariniai su atitinkamais jų kontaktais-išvadais: E(1; 2), K(1; 2), B((1.1; 1.2); 2), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K1-B2 (3.1), kuris per R2 (2) yra sujungtas su "žeme" (13). DT kontaktas-išvadas E1 (1.1) per R1 (1) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per C1 (7) – su gnybtu Uin 1 (14), kontaktas-išvadas B1.1 (2.1) per C2 (8) – su gnybtu Uin 2 (15), o kontaktas-išvadas B1.2 (2.2) – su "žeme" (13), arba schemos kitame variante abu kontaktai-išvadai B(1.1-1.2) (2.1; 2.2) – su "žeme" (13) (vieno įėjimo Uin 1 variantas). PT kontaktas-išvadas E2 (4.1) per Ra 2 (6) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per C4 (10) – su gnybtu Uiš 2 (17), o kontaktas-išvadas K2 (5.1) per C3 (9) – su gnybtu Uiš 1 (16) ir kartu per Ra 1 (5) – su šaltinio (12) gnybtu "+", kurio gnybtas "–" – su "žeme" (13).
[0057] Vieno įėjimo Uin 1 ir trijų išėjimų Uin (1–3) impulsų formuotuvas (Fig. 10) yra padarytas su DFPĮ (Fig. 1, c), kurio ir kartu schemos veikos funkcijas lemia PT ir DT dariniai su atitinkamais jų kontaktais-išvadais: E(1; 2) (1.1; 4.1), K(1; 2) (3.1; 5.1) ir B((1; 2); 2.2) (2.1; 2.2; 3.1), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K1-B2.2 (3.1) ir yra laisvas. PT kontaktas-išvadas E1 (1.1) per R1 (1) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per C3 (9) – su gnybtu Uiš 3 (18), o kontaktai-išvadai B(1; 2) (2.1; 2.2) per atitinkamus R(2; 3) (2; 3) yra sujungti su transformatoriaus (Tr) (19) antrinės apvijos (II) (21) dviem išvadais, kai Tr (19) pirminės apvijos (I) (20) vienas išvadas yra sujungtas su gnybtu Uin 1 (14), o kitas išvadas – su "žeme" (13). DT kontaktas-išvadas E2 (4.1) per C1 (7) yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 (16) ir kartu per Ra 1 (5) – su šaltinio 12 gnybtu "+", kurio gnybtas "–" – su "žeme" (13), o kontaktas-išvadas K2 (5.1) per Ra 2 (6) – su "žeme" (13) ir kartu per C2 (8) – su gnybtu Uiš 2 (8).
[0058] Keturių įėjimų Uin (1–4) ir vieno išėjimo Uiš 1 stiprintuvas- dažnių ω in (1–4) maišiklis (Fig. 11) yra padarytas su DFPĮ (Fig. 1, e), kurio ir kartu schemos veikos funkcijas lemia DT ir VT dariniai su atitinkamais jų kontaktais-išvadais: E (1.1), K (3.1), B(1.1; 1.2) (2.1; 2.2) ir G(1; 2) (4.1; 5.1), D (3.1), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K-D (3.1), kuris per C4 (10) yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 (16) ir kartu per Ra 1 (5) – su šaltinio 12 gnybtu "+", kurio gnybtas "–" – su "žeme" (13). DT kontaktas-išvadas E (1.1) per R1 (1) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per C1 (7) – su gnybtu Uin 1 (14), kontaktas-išvadas B1.2 (2.2) per lygiagrečiai sujungtus R2 (2), bei C3 (9) – su "žeme" (13) ir kartu per R3 (3) – su šaltinio 12 gnybtu "+", o kontaktas-išvadas B1.1 (2.1) per C2 (8) – su gnybtu Uin 2 (15). VT kontaktas-išvadas G1 (4.1) per RG 1 (22) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per C3 (9) – su gnybtu Uin 3 (18), o kontaktas-išvadas G2 (5.1) per RG 2 (23) – su "žeme" (13) ir kartu per C5 (11) – su gnybtu Uin 4 (24).
[0059] Penkių įėjimų Uin (1–5) ir vieno išėjimo Uiš 1, arba keturių įėjimų Uin (1–4) ir dviejų išėjimų Uiš (1; 2), stiprintuvas-dažnių ω in (1–5), arba ω in (1–4), maišiklis (Fig. 12) yra padarytas su DFPĮ (Fig. 1, e), kurio ir kartu schemos veikos funkcijas lemia DT ir VT dariniai su atitinkamais kontaktais-išvadais: E (1.1), K (3.1), B(1.1; 1.2) (2.1; 2.2) ir G(1; 2) (4.1; 5.1), D (3.1), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K-D (3.1), kuris per C4 (10) yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 (16) ir kartu per Ra 1 (5) – su šaltinio 12 gnybtu "+", kurio gnybtas "–" – su "žeme". DT kontaktas-išvadas E (1.1) per R1 (1) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per C1 (7) – su gnybtu Uin 1 (14) (arba – su gnybtu Uiš 2 (17)), kontaktas-išvadas B1.2 (2.2) per R2 (2) – su "žeme" (13) ir kartu per R3 (3) – su šaltinio 12 gnybtu "+", ir kartu per C6 (27) – su gnybtu Uin 5 (25), o kontaktas-išvadas B1.1 (2.1) per R4 (4) – su "žeme" (13) ir kartu per R5 (26) – su šaltinio 12 gnybtu "+", ir kartu per C2 (8) – su gnybtu Uin 2 (15). VT kontaktas-išvadas G1 (4.1) per RG 1 (22) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per C3 (9) – su gnybtu Uin 3 (18), o kontaktas-išvadas G2 (5.1) per RG 2 (23) – su "žeme" (13) ir kartu per C5 (11) – su gnybtu Uin 4 (24).
[0060] Dviejų įėjimų Uin (1; 2) ir vieno išėjimo Uiš 1, arba dviejų išėjimų Uiš (1; 2) ir vieno įėjimo
[0061] Uin 1, stiprintuvas-impulsų formuotuvas ir dažnių ω in (1; 2) maišiklis, arba dviejų išėjimų Uiš (1; 2) generatorius, (Fig. 13) yra padarytas su DFPĮ (Fig. 1, e), kurio, ir kartu schemos, veikos funkcijas lemia DT ir VT dariniai su atitinkamais kontaktais-išvadais: E (1.1), K (3.1), B(1.1; 1.2) (2.1; 2.2) ir G(1; 2) (4.1; 5.1), D (3.1), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K-D (3.1), kuris per C4 (10) yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 (16) ir kartu per Ra 1 (5) – su šaltinio 12 gnybtu "+", kurio gnybtas "–" – su "žeme" (13). DT kontaktas-išvadas E (1.1) per R1 (1) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per C2 (8) – su gnybtu Uin 2 (15) (arba – su gnybtu Uiš 2 (17)), o kontaktai-išvadai B(1.1; 1.2) (2.1; 2.2) kartu per R2 (2) – su "žeme" (13) ir kartu per R3 (3) – su šaltinio 12 gnybtu "+", ir kartu per C1 (7) – su gnybtu Uin 1 (14). VT kontaktai-išvadai G(1; 2) (4.1; 5.1) kartu per lygiagrečiai sujungtus R4 (4), bei C3 (9), yra sujungti su "žeme" (13) ir kartu per R5 (26) – su šaltinio 12 gnybtu "+". Kitame schemos variante – generatoriuje DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas K-D (3.1) per nuosekliai sujungtus C5 (11) ir pirmąjį induktorių L1 (28) yra sujungtas su DT gnybtu E (1.1).
[0062] Trijų įėjimų Uin (1–3) ir dviejų išėjimo Uiš (1; 2) stiprintuvas-dažnių ω in (1–4) maišiklis (Fig. 14) yra padarytas su DFPĮ (Fig. 1, e), kurio ir kartu schemos veikos funkcijas lemia DT ir VT dariniai su atitinkamais jų kontaktais-išvadais: K (1.1), E (3.1), B(1.1; 1.2) (2.1; 2.2) ir G(1; 2) (4.1; 5.1), S (3.1), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra E-S (3.1), kuris per C5 (11) yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 (16) ir kartu per Ra 2 (6) – su šaltinio 12 gnybtu "–", kurio gnybtas "+" – su "žeme" (13). DT kontaktas-išvadas K (1.1) per Ra 1 (5) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per C1 (7) – su gnybtu Uiš 2 (17), kontaktas-išvadas B1.2 (2.2) per lygiagrečiai sujungtus R1 (1), bei C3 (9) – su "žeme" (13) ir kartu per R2 (2) – su šaltinio 12 gnybtu "–", o kontaktas-išvadas B1.1 (2.1) per C2 (8) – su gnybtu Uin 1 (14). VT kontaktas-išvadas G1 (4.1) per C4 (10) yra sujungtas su gnybtu Uin 2 (15) ir kartu per RG 1 (22) – su "žeme" (13), ir kartu per R3 (3) – su šaltinio 12 gnybtu "–", o kontaktas-išvadas G2 (5.1) per C6 (27) – su gnybtu Uin 3 (18) ir kartu per RG 2 (23) – su "žeme" (13), ir kartu per R4 (4) – su šaltinio 12 gnybtu "–".
[0063] Trijų išėjimų Uiš (1–3) ir vieno moduliavimo įėjimo Uin M 1 generatorius (Fig. 15, a) yra padarytas su DFPĮ (Fig. 1, b), kurio ir kartu schemos veikos funkcijas lemia du DT(1; 2) dariniai su atitinkamais jų kontaktais-išvadais: E(1; 2) (1.1; 4.1), K(1; 2) (3.1; 5.1) ir B((1.1; 1.2); 2.2) ((2.1; 2.2); 3.1), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K1-B2.2 (3.1), kuris per R4 (4) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per R3 (3) – su šaltinio 12 gnybtu "+", kurio gnybtas "–" – su "žeme" (13). DT1 kontaktas-išvadas E1 (1.1) per Ra 3 (30) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per C3 (9) – su gnybtu Uiš 3 (29), kontaktas-išvadas B1.2 (2.2) per C4 (10) – su gnybtu Uin M 1 (31), o kontaktas-išvadas B1.1 (2.1) per nuosekliai sujungtus R5 (26) ir C5 (11) – su DT2 kontaktu-išvadu E2 (4.1) ir kartu per R1 (1) – su šaltinio 12 gnybtu "+", ir kartu per R2 (2) – su "žeme" (13), ir kartu per nuosekliai sujungtus C6 (27) ir L1 (28) – su DT2 kontaktu-išvadu K2 (5.1), kuris per C2 (8) – su gnybtu Uiš 1 (16) ir kartu per Ra 2 (6) – su "žeme" (13). DT2 kontaktas-išvadas E2 (4.1) per C1 (7) yra sujungtas su gnybtu Uiš 2 (17) ir kartu per Ra 1 (5) – su šaltinio 12 gnybtu "+".
[0064] Trijų išėjimų Uiš (1–3) ir vieno moduliavimo įėjimo Uin M 1 generatorius (Fig. 15, b) yra padarytas su DFPĮ (Fig. 1, b), kurio ir kartu schemos veikos funkcijas lemia du DT(1; 2) dariniai su atitinkamais jų kontaktais-išvadais: E(1; 2) (1.1; 4.1), K(1; 2) (3.1; 5.1) ir B((1.1; 1.2); 2.2) ((2.1; 2.2); 3.1), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K1-B2.2 (3.1) ), kuris per R4 (4) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per R3 (3) – su šaltinio 12 gnybtu "+", kurio gnybtas "–" – su "žeme" (13). DT1 kontaktas-išvadas E1 (1.1) per Ra 3 (30) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per C3 (9) – su gnybtu Uiš 3 (29), kontaktas-išvadas B1.2 (2.2) per C4 (10) – su gnybtu Uin M 1 (31), o kontaktas-išvadas B1.1 (2.1) per nuosekliai sujungtus R5 (26) ir C5 (11) – su DT2 kontaktu-išvadu E2 (4.1), kuris per Ra 1 (5) – su šaltinio 12 gnybtu "+" ir karu per C1 (7) – su gnybtu Uiš 2 (17), ir kontaktas-išvadas B1.1 (2.1) per R1 (1) – su šaltinio 12 gnybtu "+", ir kartu per C7 (33) – su DT2 kontaktu-išvadu K2 (5.1), kuris per C2 (8) – su gnybtu Uiš 1 (16) ir kartu per Ra 2 (6) – su "žeme" (13), ir kartu kontaktas-išvadas B1.1 (2.1) per C8 (34) ir per lygiagrečiai sujungtus C6 (27), bei L1 (28) – su "žeme" (13).
[0065] Dviejų išėjimų Uiš (1; 2) ir dviejų moduliavimų įėjimų Uin M (1; 2) generatorius (Fig. 16, a) yra padarytas su DFPĮ (Fig. 1, e), kurio ir kartu schemos veikos funkcijas lemia DT ir VT dariniai su atitinkamais kontaktais-išvadais: E (1.1), K (3.1), B(1.1; 1.2) (2.1; 2.2) ir G(1; 2) (4.1; 5.1), D (3.1), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K-D (3.1), kuris per C1 (7) yra sujungtas su gnybtu
[0066] Uiš 1 (16) ir kartu per nuosekliai sujungtus R6 (36) ir C7 (33) – su DT1 kontaktu-išvadu B1.1 (2.1), ir kartu per nuosekliai sujungtus L1 (28), bei C6 (27) – su DT kontaktu-išvadu E (1.1), ir kartu per Ra 1 (5) – su šaltinio 12 gnybtu "+", kurio gnybtas "–" yra sujungtas su "žeme" (13). DT kontaktas-išvadas E (1.1) per Ra 2 (6) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per C2 (8) – su gnybtu Uiš 2 (17), kontaktas-išvadas B1.2 (2.2) per C3 (9) – su gnybtu Uin M 2 (32), o kontaktas-išvadas B1.1 (2.1) per R2 – su "žeme" ir kartu per R1 – su šaltinio gnybtu "+". VT kontaktas-išvadas G1 (4.1) per lygiagrečiai sujungtus C5 (11) ir R4 (4) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per R3 (3) – su šaltinio 12 gnybtu "+", ir kartu per R5 (26) – su gnybtu G2 (5.1), kuris per C4 (10) – su gnybtu Uin M 1 (31).
[0067] Dviejų išėjimų Uiš (1; 2) ir dviejų moduliavimų įėjimų Uin M (1; 2) generatorius (Fig. 16, b) yra padarytas su DFPĮ (Fig. 1, e), kurio ir kartu schemos veikos funkcijas lemia DT ir VT dariniai su atitinkamais kontaktais-išvadais: E (1.1), K (3.1), B(1.1; 1.2) (2.1; 2.2) ir G(1; 2) (4.1; 5.1), D (3.1), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K-D (3.1), kuris per C1 (7) yra sujungtas su gnybtu
[0068] Uiš 1 (16) ir kartu per nuosekliai sujungtus R6 (36), bei C7 (33) – su DT1 kontaktu-išvadu B1.1 (2.1), ir kartu per nuosekliai sujungtus C8 (34), bei C9 (35) – su DT kontaktu-išvadu E (1.1), ir kartu per Ra 1 (5) – su šaltinio 12 gnybtu "+", kurio gnybtas "–" yra sujungtas su "žeme" (13). DT kontaktas-išvadas E (1.1) per Ra 2 (6) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per C2 (8) – su gnybtu Uiš 2 (17), kontaktas-išvadas B1.2 (2.2) per C3 (9) – su gnybtu Uin M 2 (32), o kontaktas-išvadas B1.1 (2.1) per R2 (2) – su "žeme" (13) ir kartu per R1 (1) – su šaltinio 12 gnybtu "+". VT kontaktas-išvadas G1 (4.1) per lygiagrečiai sujungtus C5 (11) ir R4 (4) yra sujungtas su "žeme" (13), ir kartu per R3 (3) – su šaltinio 12 gnybtu "+", ir kartu per R5 (26) – su gnybtu G2 (5.1), kuris per C4 (10) – su gnybtu Uin M 1 (31). Kondensatorių C8 (34) ir C9 (35) bendrojo jungimo mazgas per lygiagrečiai sujungtus L1 (28) ir C6 (27) yra sujungtas su "žeme" (13).
[0069] Trijų išėjimų Uiš (1–3) relaksacinių virpesių RC–generatorius (Fig. 17) yra padarytas su DFPĮ (Fig. 1, d), kurio ir kartu schemos veikos funkcijas lemia DT ir PT dariniai su atitinkamais kontaktais-išvadais: E(1; 2) (1.1; 5.1), K(1; 2) (3.1; 4.1), B((1.1; 1.2); 2) (2.1; 2.2; 3.1), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K1-B2 (3.1), kuris per C1 (7) yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 (16) ir kartu per Ra 1 (5) – su šaltinio 12 gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme" (13). DT kontaktas-išvadas E1 (1.1) per Ra 2 (6) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per C2 (8) – su gnybtu Uiš 2 (17), kontaktai-išvadai B(1.1; 1.2) (2.1; 2.2) per C4 (10) – su "žeme" (13) ir kartu per R1 (1) – su šaltinio 12 gnybtu "+", ir kartu – su PT kontaktu-išvadu K2 (4.1), o kontaktas-išvadas E2 (5.1) per Ra 3 (30) yra sujungtas su "žeme" (13) ir kartu per C3 (9) – su gnybtu Uiš 3 (29).
[0070] Dviejų įėjimų Uin (1; 2) ir dviejų išėjimų Uiš (1; 2) stiprintuvas-dažnių ω in (1; 2) maišiklis (Fig. 5) su DFPĮ (Fig. 1, b), kurio bendrasis kontaktas-išvadas yra K1-B2.2, veikia tokiu būdu.
[0071] Įjungia maitinimo šaltinio 12 įtampą εo ir atitinkamų DT(1; 2) atitinkamus veikos taškus "c1" – {IK 1 o, UKB 1 o } ir "c2" – {IK 2 o, UKE 2 o } atitinkamose išėjimo voltamperinėse charakteristikose (VACh) nustato atitinkamų apkrovų (R1 + R2-4 + R*in 2 (e)) ir (Ra 1 + Ra 2) tiesių viduryje, ir tuo tikslu parenka įtampos εo vertę, bei rezistorinio daliklio R3||R4 (3; 4) dalinimo vertę k3/4 = R3 /(R3 + R4), esant pasirinktoms R(1; a (1; 2)) (1; 5; 6) vertėms, čia: R2-4 – DT1-DT2 kolektoriaus-bazės K1-B2 bendrosios n– srities 3 ilgio l(2-(4; 5)) varža; R*in 2 (e) – DT2 įėjimo varža bendro emiterio (BE) schemos atveju, kai Ra 1 > 0; IK (1; 2) o ir U(K (1; 2) (B (1; 2); E (1; 2))) (1; 2) o – atitinkamų DT(1; 2) kolektorių K(1; 2) srovės ir kontaktų K(1; 2)-(B(1; 2); E(1; 2)) įtampos atitinkamuose bendros bazės (BB) ir BE schemose atitinkamuose veikos taškuose "c(1; 2)", ir DFPĮ (Fig. 1, a, Fig. 2– Fig. 4) su DT(1; 2) dariniais (Fig. 1, b), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra K1-B2.2, statines ir dinamines veikas aprašo lygtimis:
[0072]
[0073] čia: I(E, K, B) (1; 2) ir i(E, K, B) (1; 2) – atitinkamai DT(1; 2) darinių kontaktų-išvadų: E(1; 2), K(1; 2) ir B(1; 2) pastoviosios ir kintamosios srovės; α o (1; 2), β o (1; 2) ir α (1; 2), β (1; 2) – statinės ir dinaminės vertės.
[0074] Kai poveikio signalą u in 1 (t) paduoda tik į gnybtą Uin 1 (14), tai šiuo atveju gnybte Uiš 2 (17) įtampos diferencialinis stiprinimo koeficientas Ku 2 (1) yra:
[0075]
[0076] čia: Uo iš 2 ir Uo in 1 – atitinkamai gnybte Uiš 2 (17) įtampos u iš 2 (t) ir poveikio įtampos u in 1 (t) gnybte Uin 1 (14) amplitudžių vertės, kai DT(1; 2) atitinkami soties koeficientai Ks (1; 2) =
[0077] = Io K (1; 2) /Is K (1; 2) < 1, čia: Io K (1; 2) ir Is K (1; 2) – DT(1; 2) atitinkamos srovės i K (1; 2) (t) amplitudė ir soties vertė, kai UKB (1; 2) = 0; S(1; 2) – atitinkamai DT(1; 2) diferencialiniai statumai, kurie yra išreiškiami taip: S1 = α o 1•IE 1 /φ T; S2 = α o 1•βo 2•IE 1 /φ T; R*in 2 (e) ~= RBE 2 (e) + βo 2•Ra 1; RBE 2 (e) ~=
[0078] ~= βo 2 /S2 – DT2 įėjimo varža BE schemoje be neigiamo grįžtamojo ryšio, kai Ra 1 = 0; α o 1 – DT1 emiterio E1 pastoviosios srovės IE 1 perdavimo koeficientas bendros bazės (BB) schemoje; βo 2 – DT2 bazės B2 pastoviosios srovės IB 2 stiprinimo koeficientas BE schemoje; IB 2 = α o 1•IE 1; φ T – temperatūrinis koeficientas. Iš (2) gauname: Ku 2 (1) ~= 3,3•104, kai yra pasirinktos tipinės vertės: Ra 1 = 1 kΩ, Ra 2 = 10 kΩ, α o 1 = 0,95, βo 2 = 100, φ T = 0,026 V, ir IE 1 = 10 mA. Schemos
[0079] (Fig. 5) gnybte Uiš 2 (17) srovės i in 1 (t) diferencialinis stiprinimo koeficientas Ki 2 (1) =
[0080] = Io Ra 2 /Io in 1 = α 1•β 2 ~= β o 2 = 100, čia: Io in 1 ir Io Ra2 – atitinkamų srovių i in 1 (t) – gnybte Uin 1 (14) ir iRa2 (t) – rezistoriuje Ra 2 (6) amplitudės; β 2 – diferencialinė vertė, ir iš čia gnybte Uiš 2 (17) galios Piš 2 diferencialinis stiprinimo koeficientas Kp 2 (1) = Ku 2 (1)•Ki 2 (1), ir, esant pasirinktos vertėms: Ki 2 (1) ~= 100, o•Kp 2 (1) ~= 3,3•106. Schemos (Fig. 5) gnybte Uiš 1 (16) įtampos diferencialinis stiprinimo koeficientas Ku 1 (1) yra:
[0081]
[0082] čia: Uo iš 1 – įtampos u iš 1 (t) amplitudė gnybte Uiš 1 (16); Rin 2 (k) – DT2 įėjimo varža emiterinio kartotuvo (EK) jungimo schemoje, ir yra išreiškiama taip: Rin 2 (k) ~= RBE 2 (e) + βo 2•Ra 1. Iš (3) gauname: Ku 1 (1) ~= 3,6•104, kai yra pasirinktos tas pačios tipinės vertės. Schemos (Fig. 5) gnybte Uiš 1 (16) srovės i in 1(t) diferencialinis stiprinimo koeficientas Ki 1 (1) = Io iš 1 /Io in 1(t) ~= α 1•β 2 ~=
[0083] ~= β o 2 = 100, ir iš čia gnybte Uiš 1 (16) galios Piš 1 (1) diferencialinis stiprinimo koeficientas
[0084] Kp 1 (1) = Ku 1 (1)•Ki 1 (1), ir, esant pasirinktos vertėms: Kp 1 (1) ~= 3,6•106.
[0085] Kai schemoje (Fig. 5) poveikio signalą u in 2 (t) paduoda tik į gnybtą Uin 2 (15), tai šiuo atveju DT1 veikia pastovios srovės IK o 1 generatoriaus veikoje, o DT2 veikia BE schemoje, kurio veikos tašką "c2" – {IK o 2, UKE o 1} išėjimo VACh apkrovos (Ra 1 + Ra 2) (5; 6) tiesėje užduoda su DT1, todėl šiuo atveju gnybte Uiš 2 (17) įtampos diferencialinis stiprinimo koeficientas Ku 2 (2) yra:
[0086]
[0087] ir iš čia koeficientas Ku 2 (2) ~= 3,3•105, esant anksčiau pasirinktoms vertėms.
[0088] Schemos (Fig. 5) gnybte Uiš 2 (17) srovės i in 2 (t) diferencialinis stiprinimo koeficientas
[0089] Ki 2 (2) = Io iš 2 (t) /Io in 2 (t) ~= β o 2 = 100, ir iš čia gnybte Uiš 2 galios Piš 2 diferencialinis stiprinimo koeficientas Kp 2 (2) = Ku 2 (2)•Ki 2 (2), ir, esant pasirinktos vertėms: Kp 2 (2) ~= 3,3•105.
[0090] Kai schemoje (Fig. 5) poveikio signalą u in 2 (t) paduoda tik į gnybtą Uin 2 (15), ir išėjimo signalą u iš 1 (t) pasirenka gnybte Uiš 1 (16), tai šiuo atveju tranzistorius DT2 yra įjungtas EK schemoje, ir gnybte Uiš 2 (15) įtampos diferencialinis stiprinimo koeficientas Ku 1 (2) yra:
[0091]
[0092] o gnybte Uiš 1 srovės i in 2 (t) diferencialinis stiprinimo koeficientas Ki 1 (2) = Io iš 1 (t) / Io in 2 (t) ~=
[0093] ~= β o 2 + 1 ~= β o 2 = 100, ir iš čia gnybte Uiš 1 galios Piš 1 diferencialinis stiprinimo koeficientas
[0094] Kp 1 (2) = Ku 1 (2)•Ki 1 (2), ir, esant pasirinktos vertėms: Kp 1 (2) ~= 100. Visais poveikių u in (1; 2) (t) atvejais reakcijų signalų u iš (1; 2) (t) atitinkamų fazių φ iš o (1; 2) skirtumas Δφ iš = |φ iš o 1 – φ iš o 2| =
[0095] = 180° ≡ π rad.
[0096] Kai schemoje (Fig. 5) poveikių signalus u in (1; 2) (t) paduoda kartu į abu atitinkamus gnybtus Uin (1; 2) (14; 15), tai šiuo atveju schema (Fig. 5) veikia kaip signalų u in (1; 2) (t) maišiklis, ir tai praplečia įtaiso funkcines galimybes – turime daugiafunkcinį įtaisą su dviem nepriklausomais įėjimais Uin (1; 2) (14; 15) ir dviem funkciškai surištais išėjimais Uiš (1; 2) (16; 17). Kai schemoje (Fig. 5) į gnybtus Uin (1; 2) (14; 15) paduoda atitinkamus harmoninius signalus
[0097] u in (1; 2) (t) = Uo in (1; 2)•sin (ω in (1; 2)•t) su mažo signalo poveikius tenkinančiomis atitinkamomis amplitudėmis Uo in (1; 2) << (0,5–0,6) V, gnybtuose Uiš (1; 2) (16; 17) yra formuojami neharmoniniai sudėtinio spektro atitinkami sustiprinti signalai u iš (1; 2) (1-2) (t), nes šiuo atveju DT2 diferencialinis statumas S2 (u in 1 (t)) – signalo u in 1 (t) funkcija, ir iš čia signalų u iš (1; 2) (1-2) (t) harmonikas sudaro atitinkami kombinaciniai dažniai ω iš (1; 2) k :
[0098]
[0099] Dviejų įėjimų Uin (1; 2) ir trijų išėjimų Uiš (1–3) stiprintuvas-dažnių ω in (1–3) maišiklis (Fig. 6) su DFPĮ (Fig. 1, b), kurio bendrasis kontaktas-išvadas yra E1-B2.2, veikia tokiu būdu.
[0100] Įjungia maitinimo šaltinio 12 įtampą εo ir atitinkamų DT(1; 2) atitinkamus veikos taškus "c1" – {IK 1 o, UKE 1 o } ir "c2" – {IK 2 o, UKE 2 o } atitinkamose išėjimo VACh nustato atitinkamų apkrovų (Ra 1 + R2-4 + R*in 2 (e)) ir (Ra 2 + Ra 3) tiesių viduryje, ir tuo tikslu parenka įtampos εo vertę, bei rezistorinių daliklių R1||R2 (1; 2) ir R4||R3 (4; 3) atitinkamas dalinimo vertes k(1/2; 4/3) =
[0101] = R(1; 4) /(R(1; 4) + R(2; 3)), esant pasirinktoms Ra (1–3) (5–7) vertėms, čia: R*in 2 (e) – DT2 įėjimo varža BE schemos atveju, kai Ra 2 > 0; IK (1; 2) o ir U((K(1; 2); E (1; 2)) (1; 2)) o – atitinkamų DT(1; 2) kolektorių
[0102] K(1; 2) srovės ir kontaktų K(1; 2)-E(1; 2) įtampos BE schemose atitinkamuose veikos taškuose
[0103] "c(1; 2)", ir DFPĮ (Fig. 1, a, Fig. 2– Fig. 4) su DT(1; 2) dariniais (Fig. 1, b), kai DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas yra E1-B2.2, statines ir dinamines veikas aprašo lygtimis (1), ir papildoma aktyvios veikos sąlyga: εo•(k1/2 – k4/3) = (0,4–0,7) V. Kai poveikio signalą u in 1 (t) paduoda tik į gnybtą Uin 1 (14), tai šiuo atveju gnybte Uiš 1 (16) įtampos diferencialinis stiprinimo koeficientas Ku 1 (1) yra:
[0104]
[0105] ir iš čia gauname: Ku 1 (1) ~= 0,33, kai yra pasirinktos tipinės vertės: Ra (1; 3) = 10 kΩ, Ra 2 = 1 kΩ,
[0106] α o (1; 2) = 0,95, βo (1; 2) = 100, φ T = 0,026 V, IE 1 = 0,1 mA ir IE 2 = IE 1•βo 2 = 10 mA, ir Ku 1 (1) < 1 vertę lemia neigiamo grįžtamojo ryšio varža R*in 2 (e) ~= 103 Ω, o gnybte Uiš 2 (17) įtampos diferencialinis stiprinimo koeficientas Ku 2 (1) yra:
[0107]
[0108] nes šiuo atveju abu DT(1; 2) veikia emiterinių kartotuvų (EK) schemose, o gnybte Uiš 3 (25) įtampos diferencialinis stiprinimo koeficientas Ku 3 (1) yra:
[0109]
[0110] ir iš čia gauname: Ku 3 (1) ~= 3,32•103, kai yra pasirinktos tos pačios tipinės vertės.
[0111] Schemos (Fig. 6) gnybte Uiš 1 (16) srovės i in 1 (t) diferencialinis stiprinimo koeficientas
[0112] Ki 1 (1) = Io K 1 /Io in 1 = β 1 ~= β o 1 = 100, čia: Io K 1 – DT1 srovės i K 1 (t) amplitudė, ir iš čia gnybte
[0113] Uiš 1 (16) galios Piš 1 diferencialinis stiprinimo koeficientas Kp 1 (1) = Ku 1 (1)•Ki 1 (1) ~= 33, o gnybte Uiš 2 (17) srovės i in 1 (t) diferencialinis stiprinimo koeficientas Ki 2 (1) = Io E 2 /Io in 1 = β 2 + 1 ~= β o 2 =
[0114] = 100, čia: Io E 2 – DT2 srovės i E 2 (t) amplitudė, ir iš čia gnybte Uiš 2 (17) galios Piš 2 diferencialinis stiprinimo koeficientas Kp 2 (1) = Ku 2 (1)•Ki 2 (1) ~= 3,32•105, o gnybte Uiš 3 (25) srovės i in 1 (t) diferencialinis stiprinimo koeficientas Ki 3 (1) = Io K 2 /Io in 1 = β 2 ~= β o 2 = 100, čia:
[0115] Io K 2 – DT2 srovės i K 2 (t) amplitudė, ir iš čia gnybte Uiš 3 (25) galios Piš 3 diferencialinis stiprinimo koeficientas Kp 3 (1) = Ku 3 (1)•Ki 3 (1) ~= 3,32•105, o gnybtuose Uiš (1–3) (16; 17; 25) atitinkamų signalų u iš (1–3) (t) atitinkamos fazės φ iš o (1–3) atžvilgiu signalo u in 1 (t) fazės
[0116] φ in o 1 gnybte Uin 1 (14) yra: |φ iš o (1; 3) – φ in o 1| = 180° (arba π rad), |φ iš o 2 – φ in o 1| = 0°, ir atitinkami dažniai ω iš (1–3) = ω in 1.
[0117] Kai poveikio signalą u in 2 (t) paduoda tik į gnybtą Uin 2 (15), tai šiuo atveju DT1 veikia BB schemoje, o DT2 – BE schemoje, ir gnybte Uiš 1 (16) įtampos diferencialinis stiprinimo koeficientas Ku 1 (2) yra:
[0118]
[0119] ir iš čia gauname: Ku 1 (2) ~= 3,65, kai yra pasirinktos tos pačios tipinės vertės, o gnybte Uiš 2 (17) įtampos diferencialinis stiprinimo koeficientas Ku 2 (2) yra:
[0120]
[0121] nes šiuo atveju abu DT2 veikia EK schemoje, o gnybte Uiš 3 (25) įtampos diferencialinis stiprinimo koeficientas Ku 3 (2) yra:
[0122]
[0123] ir iš čia gauname: Ku 3 (2) ~= 3,32•103, kai yra pasirinktos tos pačios tipinės vertės.
[0124] Schemos (Fig. 6) gnybte Uiš 1 (16) srovės i in 2 (t) diferencialinis stiprinimo koeficientas
[0125] Ki 1 (1) = Io K 1 /Io in 2 ~= 1, čia: Io in 2 – srovės i in 2 (t) amplitudė, ir iš čia gnybte Uiš 1 (16) galios Piš 1 diferencialinis stiprinimo koeficientas Kp 1 (2) = Ku 1 (2)•Ki 1 (2) ~= 3,65, o gnybte Uiš 2 (17) srovės
[0126] i in 2 (t) diferencialinis stiprinimo koeficientas Ki 2 (2) = Io E 2 /Io in 2 = β 2 + 1 ~= β o 2 = 100, ir iš čia gnybte Uiš 2 (17) galios Piš 2 diferencialinis stiprinimo koeficientas Kp 2 (2) ~= 100, o gnybte Uiš 3 (25) srovės i in 2 (t) diferencialinis stiprinimo koeficientas Ki 3 (2) = Io K 2 /Io in 2 = β 2 ~= β o 2 = 100, ir iš čia gnybte Uiš 3 (25) galios Piš 3 diferencialinis stiprinimo koeficientas Kp 3 (2) = Ku 3 (2)•Ki 3 (2) ~=
[0127] ~= 3,32•105, o gnybtuose Uiš (1–3) (16; 17; 25) atitinkamų signalų u iš (1–3) (t) atitinkamos fazės
[0128] φ iš o (1–3) atžvilgiu signalo u in 2 (t) fazės φ in o 2 gnybte Uin 2 (15) yra: |φ iš o (3) – φ in o 2| = 180° (arba π rad), |φ iš o (1; 2) – φ in o 2| = 0°, o atitinkami dažniai ω iš (1–3) = ω in 2.
[0129] Kai schemoje (Fig. 6) poveikių signalus u in (1; 2) (t) paduoda kartu į abu atitinkamus gnybtus Uin (1; 2) (14; 15), tai šiuo atveju schema (Fig. 6) veikia kaip signalų u in (1; 2) (t) maišiklis, ir tai praplečia įtaiso funkcines galimybes – turime daugiafunkcinį įtaisą su dviem nepriklausomais įėjimais Uin (1; 2) (14; 15) ir dviem funkciškai surištais išėjimais Uiš (1; 2) (16; 17). Kai schemoje (Fig. 6) į gnybtus Uin (1; 2) (14; 15) paduoda atitinkamus harmoninius signalus u in (1; 2) (t) = Uo in (1; 2)•sin (ω in (1; 2)•t) su mažo signalo poveikius tenkinančiomis atitinkamomis amplitudėmis Uo in (1; 2) << (0,5–0,6) V, gnybtuose Uiš (1–3) (16; 17; 25) yra formuojami neharmoniniai sudėtinio spektro atitinkami sustiprinti signalai u iš (1–3) (1-2) (t) su atitinkamų harmonikų atitinkamais kombinaciniais dažniais ω iš (1–3) k :
[0130]
[0131] čia: n, m = 1; 2; 3;… .
[0132] Vieno įėjimo Uin 1 ir dviejų išėjimų Uiš (1; 2) impulsų formuotuvas (Fig. 7) su DFPĮ
[0133] (Fig. 1, b), kurio bendrasis kontaktas-išvadas yra K1-B2.2, veikia tokiu būdu.
[0134] Įjungia maitinimo šaltinio 12 įtampą εo ir atitinkamų DT(1; 2) atitinkamus veikos taškus "a1" – {Is K 1, εo} ir "a2" – {Is K 2, 0 } atitinkamose išėjimų VACh nustato atitinkamų apkrovų
[0135] (R1 + R2-4 + R*in 2 (e)) ir (Ra 1 + Ra 2||(R2+ R3)) tiesių atitinkamuose atkirtų taškuose "a(1; 2)", sudarydami DT(1; 2) B-klasės veikas, kai, nesant poveikio u in 1 (t) = 0, DT(1; 2) yra "normaliai uždarytose būsenose" – jų atitinkamų kontaktų K(1; 2)-E(1; 2) atitinkamos varžos RK(1; 2)E(1; 2) (t) =
[0136] = RK(1; 2)E(1; 2) max = (0,1–1) MΩ, ir daugiau, ir todėl DT(1; 2) atitinkamų kolektorių K(1; 2) atitinkamos srovės iK (1; 2) (t) = Is K (1; 2) – atitinkamos atgalinės soties srovės. Todėl pradinių laiko t momentu to = 0 gnybtuose Uiš (1; 2) (16; 17) atitinkamos įtampos u iš (1; 2) (t) = 0. Schemoje (Fig. 7) DT1 veikia BB, o DT2 – BE schemose. Laiko momentu to = 0 į gnybtą Uin 1 (14) paduoda harmoninį signalą u in 1 (t) = Uo in 1•sin (ω in 1•t) (Fig. 18, a) ir neigiamo pusperiodžio u in 1 (t) < 0 metu DT1 yra "atidaromas" – jo srovė iK 1 (t) ≡ iB 2 (t) – DT2 bazės srovė didėja, ir todėl didėja srovė iK 2 (t) = β 2•iB 2 (t), o tai lemia įtampos uR 2 (t) ~= uRa 2 (t)•R2 /(R2 + R2) didėjimą rezistoriuje R2 (2), čia: uRa 2 (t) ~= β 2•iB 2 (t)•Ra 2 – įtampa rezistoriuje Ra 2 (6), ir tai lemia DT1 spartesnį "atidarymą", ir t. t. – veikia teigiamasis grįžtamasis ryšis ir schema (Fig. 7) iš "uždarytos būsenos" labai sparčiai persijungia į "atidarytą būseną", kurioje DT(1; 2) yra "visiškai atidarytose būsenose" – jų atitinkamos varžos RK(1; 2)E(1; 2) (t) => RK(1; 2)E(1; 2) min = (1–10) Ω, ir mažiau. Šio proceso metu laiko momentais to, T1, 2•T1, ir t. t., čia: T1 = 2•π /ω in 1, schemos (Fig. 7) gnybtuose UiŠ (1; 2) (16; 17) yra formuojami atitinkamų impulsinių signalų u iš (1; 2) (t) > 0 (Fig. 18, b, c) atitinkami frontai t(f 1; r 2) = (1–3) ns, ir mažiau, su atitinkamomis amplitudėmis Uo iš (1; 2):
[0137]
[0138]
[0139] čia išraiškos yra parašytos, kai: R2 + R3 ≥ Ra 2.
[0140] Laiko momentu t1 ~= T1 /4, DT1 yra "uždaromas" ir srovės iK 1 (t) ≡ iB 2 (t) mažėja, kartu mažėja ir srovė iK 2 (t) = β 2•iB 2 (t), o tai lemia įtampos uR 2 (t) mažėjimą, ir kartu – DT(1; 2) spartesnius "uždarymus", ir t. t. – veikia teigiamasis grįžtamasis ryšis ir schema (Fig. 7) iš "atidarytos būsenos" labai sparčiai persijungia į "uždarytą būseną". Šio proceso metu laiko momentais t1, t2 = 2•t1, ir t. t., schemos (Fig. 7) gnybtuose UiŠ (1; 2) (16; 17) yra formuojami atitinkamų impulsinių signalų u iš (1; 2) (t) > 0 (Fig. 18, b, c) atitinkami frontai t(r 1; f 2) = (1–3) ns, ir mažiau. Schemos (Fig. 7) gnybtuose Uiš (1; 2) (16; 17) formuojamų impulsinių signalų u iš (1; 2) (t) amplitudžių Uo iš (1; 2) ((6), (7)) didžiausios vertės Uo iš (1; 2) max yra:
[0141]
[0142]
[0143] Schemos (Fig. 7) gnybtuose Uiš (1; 2) (16; 17) formuojamų impulsinių signalų u iš (1; 2) (t) dažniai ω iš (1; 2) = ω in 1, atitinkamos fazės φ iš (1; 2) o atžvilgiu signalo u in 1 (t) fazės φ in 1 o yra:
[0144] φ iš 1 o = φ in 1 o ir |φ iš 2 o – φ in 1 o| = 180° ≡ π rad, o rečiai χ 1 = T1/Δt i 1 = 4/3 (arba 4) ir χ 2 =
[0145] = T1/Δt i 2 = 4 (arba 4/3). Schemos (Fig. 7) gnybtuose Uiš (1; 2) (16; 17) suformuoti atitinkami impulsiniai signalai u iš (1; 2) (t) neturi pastoviųjų sandų dėl įjungtų skiriamųjų kondensatorių C(2; 3) (8; 9). Rezistoriumi R3 (3) – potenciometru bei signalo u in 1 (t) amplitudės Uo in 1 verte keičia rečių χ(1; 2) vertes, sudarydami DT(1; 2) "atidarytų būsenų" soties veikas, kai atitinkami soties koeficientai Ks (1; 2) > 1 ir tai lemia DT(1; 2) laiko momento t1 didėjančią vertę išjungimo delsos laiku ts = ts 1 + ts 2 ~ Ks (1; 2) > 1, čia: ts (1; 2) – atitinkamas delsos laikas dėl atitinkamo įsotinto DT(1; 2), ir taip padidina schemos (Fig. 7) funkcines savybes. Fig. 18, b, c, impulsinių signalų
[0146] u iš (1; 2) (t) diagramos yra parodytos ištisinėmis kreivėmis, kai Ks (1; 2) ≤ 1, ir todėl ts = 0, o kai
[0147] Ks (1; 2) > 1, ir todėl ts > 0 – yra parodytos taškinėmis kreivėmis. Kitame schemos (Fig. 7) variante vietoje R3 (3) įjungia C4 (10) ir šiuo atveju gnybtuose Uiš (1; 2) (16; 17) suformuoja santykinai trumpus atitinkamus impulsinius signalus u iš (1; 2) (t) su vidutine trukme Δt i ~ R2•C4, ir tai Fig. 18, b, c, yra parodyta brūkšninėmis kreivėmis.
[0148] Vieno įėjimo Uin (1; 2) ir trijų išėjimų Uiš (1–3) impulsų formuotuvas (Fig. 8) su DFPĮ
[0149] (Fig. 1, c), kurio bendrasis kontaktas-išvadas yra K1-B2.2, veikia tokiu būdu.
[0150] Įjungia maitinimo šaltinio 12 įtampą εo ir PT bei DT, kai tarp PT ir DT atitinkamų kontaktų-išvadų B2 (2.2) ir K2 (5.1) yra įjungtas R2 (2), atitinkamus veikos taškus "aPT" –
[0151] – {Is K 1, εo} ir "aDT" – {Is K 2, 0 } atitinkamose išėjimų VACh nustato atitinkamų apkrovų
[0152] (Ra 1 + R2-4 + R*in 2 (e)) ir (Ra 2 + Ra 3||(R1 + R2 + RBB)) tiesių atitinkamuose atkirtų taškuose
[0153] "a(PT, DT)", sudarydami PT ir DT B-klasės veikas, kai DT yra tenkinama sąlyga: εo•R4 /(R3 + R4) ≤
[0154] ≤ (0,1–0,3) V. Todėl pradinių laiko t momentu to = 0 gnybtuose Uiš (1–3) (16; 17; 25) atitinkamos įtampos u iš (1–3) (t) = 0. Schemoje (Fig. 8) PT veikia "rakto veikoje", o DT – BE schemoje. Laiko momentu to = 0 į gnybtą Uin 1 (14) paduoda harmoninį signalą u in 1 (t) = Uo in 1•sin (ω in 1•t)
[0155] (Fig. 19, a) ir neigiamo pusperiodžio u in 1 (t) < 0 metu DT yra "atidaromas" – kolektoriaus K2 (5.1) srovės i K 2 (t) didėja, ir kartu tai lemia PT bazės B1 srovės i BB (t) tarp kontaktų-išvadų B(1; 2) (2.1; 2.2) didėjimą, ir laiko momentu t1 < T1 /4, kai u in 1 (t1) = U in 1 s, esant sąlygai: i BB (t) ≥ IBB s – PT bazės B1 slenkstinė srovė, kai įvyksta p–n sandūrų 1-2 ir 2-3 nuskurdintų sričių sąlytis PT bazėje 2 – bazės "pramušimo efektas" (Fig. 1, a), ir todėl PT iš "uždarytos būsenos" santykinai sparčiai – per 1 ns ir mažiau, persijungia į "atidarytą būseną", o tai lemia DT bazės B2.2 (3.1) srovės i B 2.2 (t), kartu ir i K 2 (t) ~= β i B 2.2 (t), santykinai spartų padidėjimą, ir t. t. – DFPĮ iš "uždarytos būsenos" santykinai sparčiai – per 1 ns ir mažiau, persijungia į "atidarytą būseną", ir šio proceso metu gnybtuose Uiš (1–3) (16; 17; 25) yra formuojami atitinkamų impulsinių signalų
[0156] u iš (1–3) (t) > 0 (Fig. 19, b–d) atitinkami frontai tr 1 = (1–3) ns, ir mažiau, o t(f 2; r 3) =
[0157] = (T1/6– T1/4) ir mažiau, čia: T1 = 2•π /ω in 1, su atitinkamomis amplitudėmis Uo iš (1–3):
[0158]
[0159]
[0160]
[0161] čia: Io B 2.2 ir Io K 2 – atitinkamai srovių i B 2.2 (t) ir i K 2 (t) amplitudės; UE2K2 s – "visiškai atidaryto" DT kontaktų-išvadų E2-K2 (4.1; 5.1) soties įtampa.
[0162] Laiko momentu t2 < T1 /2 srovė i BB (t) ≤ IBB s ir tai lemia PT bazėje B1 (2) p–n sandūrų 1-2 ir 2-3 nuskurdintų sričių sąlyčio "išnikimą", ir todėl PT iš "atidarytos būsenos" santykinai sparčiai – per 1 ns ir mažiau, persijungia į "uždarytą būseną", o tai lemia DT bazės B2.2 (3.1) srovės i B 2.2 (t), kartu ir i K 2 (t) ~= β i B 2.2 (t), santykinai spartų sumažėjimą, ir t. t. – DFPĮ iš "uždarytos būsenos" santykinai sparčiai – per 1 ns ir mažiau, persijungia į "atidarytą būseną", ir šio proceso metu gnybtuose Uiš (1–3) (16; 17; 25) yra formuojami atitinkamų impulsinių signalų
[0163] u iš (1–3) (t) > 0 (Fig. 19, b–d) atitinkami frontai t f 1 = (1–3) ns, ir mažiau, o t(r 2; f 3) = (T1/6– T1/4) ir mažiau, su atitinkamomis amplitudėmis Uo iš (1–3) ((18)–(20)) (Fig. 19, b–d). Schemos (Fig. 8) gnybtuose Uiš (1–3) (16; 17; 25) formuojamų impulsinių signalų u iš (1–3) (t) dažniai ω iš (1–3) = ω in 1, atitinkamos fazės φ iš (1–3) o atžvilgiu signalo u in 1 (t) fazės φ in 1 o yra: |φ iš (1; 3) o – φ in 1 o| = 180° ≡
[0164] ≡ π rad ir φ iš 2 o = φ in 1 o, o rečiai χ (1–3) ~= 2. Schemos (Fig. 8) gnybtuose Uiš (1–3) (16; 17; 25) suformuoti atitinkami impulsiniai signalai u iš (1–3) (t) neturi pastoviųjų sandų dėl įjungtų skiriamųjų kondensatorių C(1; 3; 4) (7; 9; 10). Rezistoriumi R4 (4) – potenciometru bei signalo
[0165] u in 1 (t) amplitudės Uo in 1 verte keičia rečių χ(1–3) vertes, sudarydami DT "atidarytos būsenos" soties veiką, kai soties koeficientas Ks DT > 1 ir tai lemia DT "išjungimo" momento didėjančią vertę išjungimo delsos laiku ts ~ Ks DT > 1, ir taip padidina schemos (Fig. 8) funkcines savybes. Fig. 19, b–d, impulsinių signalų u iš (1–3) (t) diagramos yra parodytos ištisinėmis kreivėmis, kai
[0166] Ks DT ≤ 1, ir todėl ts = 0, o kai Ks DT > 1, ir todėl ts > 0 – yra parodytos taškinėmis kreivėmis. Kitame schemos (Fig. 8) variante vietoje R2 (2) įjungia C5 (11) ir šiuo atveju gnybte Uiš 1 (16) suformuoja santykinai trumpus impulsinius signalus u iš 1 (t) su vidutine trukme Δt i ~
[0167] ~ (R1 + RBB)•C5, ir tai Fig. 19, b, yra parodyta brūkšninėmis kreivėmis, kai gnybtuose Uiš (2; 3) (17; 25) formuojamu signalų u iš (2; 3 (t) impulsų trukmės išlieka santykinai nepakitusios (Fig. 19, c, d).
[0168] Dviejų įėjimų Uin (1; 2) ir dviejų išėjimų Uiš (1; 2) impulsų formuotuvas (Fig. 9) su DFPĮ (Fig. 1, d), kurio bendrasis kontaktas-išvadas yra K1-B2, veikia tokiu būdu.
[0169] Įjungia maitinimo šaltinio 12 įtampą εo ir atitinkamų DT, bei PT, atitinkamus veikos taškus "aDT" – {Is K 1, 0} ir "aPT" – {Is K 2, εo } atitinkamose išėjimų VACh nustato atitinkamų apkrovų (R1 + R2-4 + RBB PT + R2), čia: RBB PT – PT kontaktų B1-B2 varža, ir (Ra 1 + Ra 2) tiesių atkirtų taškuose "a(DT, PT)", sudarydami DT B-klasės veiką schemoje BB, kai poveikio signalas
[0170] u in 1 (t) yra gnybte Uin 1 (14), arba schemoje BE, kai poveikio signalas u in 2 (t) yra gnybte Uin 2 (15), o PT – "bazės pramušimo" veiką, kai, nesant poveikių u in (1; 2) (t) = 0, DT ir PT yra "normaliai uždarytose būsenose", ir todėl DT ir PT atitinkamų kolektorių K(1; 2) atitinkamos srovės iK (1; 2) (t) = Is K (1; 2) – atitinkamos atgalinės soties srovės. Todėl pradinių laiko t momentu
[0171] to = 0 gnybtuose Uiš (1; 2) (16; 17) atitinkamos įtampos u iš (1; 2) (t) = 0. Laiko momentu to = 0 į gnybtą Uin 1 (14) paduoda harmoninį signalą u in 1 (t) = Uo in 1•sin (ω in 1•t) (Fig. 20, a), kai DT kontaktai-išvadai B(1.1; 1.2) (2.1; 2.2) yra sujungti su "žeme" 13. Neigiamo pusperiodžio u in 1 (t) <
[0172] < 0 metu DT yra "atidaromas" – jo srovė iK 1 (t) ≡ iBB PT (t) – PT bazės B2 kontaktų B1-B2 srovė didėja, ir laiko momentu t1 pasiekia slenkstinę vertę IBB PT s, kai įvyksta PT p–n sandūrų nuskurdintų sričių bazėje B2 sąlytis – bazės "pramušimo efektas", ir laiko momentu t1 įtampa
[0173] u in 1 (t1) = Us in 1 (Fig. 20, a). Todėl šią sąlygą tenkinančiais laiko momentais t(1; 4; ... ) per "atidarytą" PT – grandinę: (–εo)-Ra 1-K2-E2-Ra 2-(+εo) teka didėjanti srovė i K2E2 (t) ~= εo /(Ra 1 +
[0174] + RK2E2 (t) + Ra 2), čia: RK2E2 (t) – PT kontaktų K2-E2varža, ir laiko momentais t(1; 4; ... ) "atidaryto" PT varža RK2E2 (t(1; 4; ... )) => RK2E2 min = (0,1–1) Ω, ir mažiau, santykinai sparčiai mažėja ir tai lemia srovės i K2E2 (t) spartų padidėjimą, o schemos (Fig. 9) gnybtuose Uiš (1; 2) (16; 17) yra formuojami atitinkami impulsiniai signalai u iš (1; 2) (t) < 0 su atitinkamais frontais t(r 1; f 2) = (1–3) ns, ir mažiau (Fig. 20, b, c). Laiko momentu t2 > T1 /4 įtampa |u in 1 (t2)| ≤ |Us in 1| (Fig. 20, a) ir tai lemia PT "išjungimo procesą", nes išnyksta "bazės B2 pramušimo efektas", ir todėl RK2E2 (t2) =>
[0175] => RK2E2 max = (0,1–1) MΩ, ir daugiau, o tai lemia santykinai spartų srovės i K2E2 (t) mažėjimą
[0176] (i K2E2 (t) => Is K 2), ir kartu šią sąlygą tenkinančiais laikų momentais t(2; 5; ... ) schemos (Fig. 9) gnybtuose Uiš (1; 2) (16; 17) yra formuojami atitinkami impulsiniai signalai u iš (1; 2) (t) < 0 su atitinkamais frontais t(f 1; r 2) = (1–3) ns, ir mažiau (Fig. 20, b, c). Schemos (Fig. 9) gnybtuose
[0177] Uiš (1; 2) (16; 17) yra formuojami impulsiniai signalai u iš (1; 2) (t) su atitinkamomis amplitudėmis
[0178] Uo iš (1; 2), dažniais ω iš (1; 2) = ω in 1, fazėmis φ iš (1; 2) o atžvilgių signalo u in 1 (t) fazės φ in 1 :
[0179] |φ iš 1 o – φ in 1 o| = 180° ≡ π rad ir φ iš 2 o = φ in 1 o, ir su atitinkamais rečiai χ 1 ~= 4 (arba 4/3) ir
[0180] χ 2 ~= 4/3 (arba 4), o amplitudžių Uo iš (1; 2) didžiausios vertės Uo iš (1; 2) max yra:
[0181]
[0182]
[0183] Schemos (Fig. 9) gnybtuose Uiš (1; 2) (16; 17) formuojamų signalų rečius χ (1; 2) keičia, keisdami DT veikos soties koeficiento Ks DT > 1 vertę su Uo in 1 vertę. Fig. 20, b, c, impulsinių signalų u iš (1; 2) (t) diagramos yra parodytos ištisinėmis kreivėmis, kai Ks DT ≤ 1, nes ts = 0, o kai Ks DT > 1, ir todėl ts > 0 – yra parodytos taškinėmis kreivėmis, ir taip praplečia įtaiso su DFPĮ funkcines galimybes. Kai laiko momentu to = 0 į gnybtą Uin 2 (15) paduoda harmoninį signalą
[0184] u in 2 (t) = Uo in 2•sin (ω in 2•t) ir DT kontaktai-išvadai B(1.1; 1.2) (2.1; 2.2) nėra sujungti tarpusavyje, tai šiuo atveju DT yra "atidaromas" teigiamo pusperiodžio u in 2 (t) > 0 metu ir schema (Fig. 9) veikia taip pat. Šiuo atveju DT taip pat gali veikti PT veikoje, kai Uo in 2 ≥ U in 2 s – slenkstinė vertė, kai įvyksta DT p–n sandūrų nuskurdintų sričių bazėje B1 sąlytis – bazės "pramušimo efektas", ir tai praplečia DFPĮ funkcines savybes.
[0185] Vieno įėjimo Uin 1 ir trijų išėjimų Uin (1–3) impulsų formuotuvas (Fig. 10) su DFPĮ (Fig. 1, c) veikia tokiu būdu.
[0186] Įjungia maitinimo šaltinio 12 įtampą εo ir PT, bei DT, atitinkamus veikos taškus "aPT" –
[0187] –{Is K 1, εo} ir "aDT" – {Is K 2, εo} atitinkamose išėjimų VACh nustato atitinkamų apkrovų
[0188] (R1 + R2-4 + Rin BE + Ra 1) ir (Ra 1 + Ra 2) tiesių atkirtų taškuose "a(PT; DT)", automatiškai sudarydami PT "bazės pramušimo veiką" ir DT – B-klasės veiką BE ir EK schemose. Todėl, nesant poveikio u in 1 (t) = 0, PT ir DT yra "normaliai uždarytose būsenose" – jų atitinkamais kontaktais-išvadais E(1; 2) (1.1; 4.1) ir K2 (5.1) teka atitinkamos soties srovės i(E (1; 2); K 2) (t) =
[0189] = Is (E (1; 2); K 2), ir todėl jų atitinkamų kontaktų K(1; 2)-E(1; 2) atitinkamos varžos R(K (1; 2)E (1; 2)) (t) =
[0190] = R(K (1; 2)E (1; 2)) max = (0,1–10) MΩ, ir daugiau. Todėl pradinių laiko t momentu to = 0 gnybtuose Uiš (1–3) (16; 17; 25) atitinkamos įtampos u iš (1–3) (t) = 0. Schemoje (Fig. 10) DT veikia BE ir EK schemose atitinkamai gnybtams Uiš (2; 1) (17; 16), o PT yra DT bazės B2 kontakto B2.1 srovės
[0191] iB 2.1 (t) "komutatorius". Laiko t momentu to = 0 į gnybtą Uin 1 (14) paduoda harmoninį signalą
[0192] u in 1 (t) = Uo in 1•sin (ω in 1•t) (Fig. 21, a) ir teigiamo "+", bei neigiamo "–" pusperiodžių
[0193] |± u in 1 (t)| > 0 metu PT yra "atidaromas" – jo kontaktų K1-E1 varža RK1E1 (t) = RK1E1 min = (0,1–10) Ω, ir mažiau. PT yra "atidaromas", kai |± u in 1 (t)| ≥ Us in – slenkstinė įtampa, kuomet PT kontaktais-išvadais B(1-2) (2.1; 2.2) tekanti bazės B1 srovė i BB 1 (t) ≥ IBB s – slenkstinė bazės B1 srovė, kuomet įvyksta PT p–n sandūrų nuskurdintų sričių bazėje B1 sąlytis – įvyksta bazės "pramušimo efektas". Todėl šią sąlygą tenkinančiais laiko momentais t(1; 3; 5; 7; ... ) per "atidarytą" PT – grandine: (+εo)-Ra 1-E2-B2.1-K1-E1-R1-(– εo), teka DT bazės B2 srovė i B 2.1 (t) > 0 ir DT "atsidaro" – jo varža RK2E2 (t) => RK2E2 min = (1–10) Ω, ir mažiau, santykinai sparčiai mažėja ir tai lemia srovių i(E 2; K 2) (t) spartų padidėjimą, ir todėl schemos (Fig. 10) gnybtuose Uiš (1–3) (16; 17; 25) yra formuojami atitinkami impulsiniai signalai u iš (1–3) (t) > 0 su atitinkamais frontais
[0194] t(f 1; r (2; 3)) = (1–3) ns, ir mažiau (Fig. 21, b, c). Laiko momentu t2 > T1 /4 įtampa u in 1 (t2) ≤
[0195] ≤ Us in (Fig. 21, a) ir tai lemia PT "išjungimo procesą", nes išnyksta "bazės B1 pramušimo efektas", ir todėl RK1E1 (t2) => RK1E1 max = (0,1–1) MΩ, ir daugiau, o tai lemia santykinai spartų srovės i K1-E1 (t) ≡ i B 2.1 (t) mažėjimą (i K2-E2 (t) => Is K 2), ir kartu šią sąlygą tenkinančiais laikų momentais t(2; 4; 6; 8; ... ) schemos (Fig. 10) gnybtuose Uiš (1–3) (16; 17; 25) yra formuojami atitinkami impulsiniai signalai u iš (1; 2) (t) > 0 su atitinkamais frontais t(r 1; f (2; 3)) = (1–3) ns, ir mažiau (Fig. 21, b, c). Schemos (Fig. 10) gnybtuose Uiš (1–3) (16; 17; 25) yra formuojami impulsiniai signalai u iš (1–3) (t) su atitinkamomis amplitudėmis Uo iš (1–3), dažniais ω iš (1–3) = 2•ω in 1, fazėmis: |φ iš 1 o – φ iš (2; 3) o| = 180° ≡ π rad, ir atitinkamais rečiais χ 1 ~= 2 (arba 2/3) ir χ (2; 3) ~= 2/3 (arba 2), o amplitudžių Uo iš (1–3) didžiausios vertės Uo iš (1–3) max yra:
[0196]
[0197]
[0198]
[0199] Schemos (Fig. 10) gnybtuose Uiš (1–3) (16; 17; 25) formuojamų atitinkamų impulsinių signalų u iš (1–3) (t) rečius χ (1–3) keičia DT veikos soties koeficiento Ks DT > 1 verte, keisdami rezistoriaus Ra 1 (5), arba R1 (1), vertę. Fig. 21, b, c, impulsinių signalų u iš (1–3) (t) diagramos yra parodytos ištisinėmis kreivėmis, kai Ks DT ≤ 1, ir todėl ts = 0, o kai Ks DT > 1, ir todėl ts > 0 – yra parodytos taškinėmis kreivėmis, ir taip praplečia įtaiso su DFPĮ funkcines galimybes.
[0200] Keturių įėjimų Uin (1–4) ir vieno išėjimo Uiš 1 stiprintuvas- dažnių ω in (1–4) maišiklis (Fig. 11) su DFPĮ (Fig. 1, e) veikia tokiu būdu.
[0201] Įjungia maitinimo šaltinio 12 įtampą εo ir atitinkamų DT, bei VT, atitinkamus veikos taškus "cDT" – {IK o, UKB o} ir "cVT" – {ID o, UGS o (1; 2)} atitinkamose išėjimų VACh nustato atitinkamų apkrovų (R1 + R2-4 + RSD o + Ra 1) ir (Ra 1 + RKE o + R1) tiesių viduryje, čia: RSD o ir
[0202] RKE o – VT ir DT atitinkamų varžų RSD (t) ir RKE (t) vertės atitinkamuose veikų taškuose
[0203] "c(VT, DT)", čia: RSD (t) – VT darinio n– srities 3 – kanalo momentinė varža; RKE (t) – DT darinio kontaktų E-K (1.1; 3.1) momentinė varža, ir tuo tikslu parenka įtampos εo vertę, bei rezistorinio daliklio R2||R3 (2; 3) dalinimo vertę k2-3 = R2 /(R2 + R3), esant pasirinktoms R(1; a 1) (1; 5) vertėms. Schemoje (Fig. 11) DT veikia BB schemoje, o VT – bendros ištakos (BI) schemoje su dviem nepriklausomais užtūrų išvadais G(1; 2) (4.1; 5.1). Kai harmoninį poveikio signalą u in 1 (t) =
[0204] = Uo in 1•sin (ω in 1•t) paduoda tik į gnybtą Uin 1 (14), tai šiuo atveju gnybte Uiš 1 (16) įtampos diferencialinis stiprinimo koeficientas Ku 1 (1) yra:
[0205]
[0206] čia: SDT ~= α o•IE /φ T – DT statumas; α o – DT emiterio E pastoviosios srovės IE perdavimo koeficientas; SVT g (1; 2) ~= 2•ID (S) /Us (1; 2) – VT užtūrų G(1; 2) (4.1; 5.1) valdymo statumai BU schemoje, čia: ID (S) ≡ IK = α o•IE – VT santakos-ištakos srovė; Us (1; 2) – VT užtūros (G(1; 2))-ištakos (S) slenkstinė įtampa, kai VT yra "uždarytoje" būsenoje.
[0207] Iš (26) gauname: Ku 1 (1) ~= 3,7•104, kai yra pasirinktos tipinės vertės: Ra 1 = 10 kΩ, α o =
[0208] = 0,95, SVT g (1; 2) = 10–3 A/V, φ T = 0,026 V, RSD = 100 Ω, ir IE = 10 mA. Gnybte Uiš 1 (16) srovės
[0209] i in 1 (t) diferencialinis stiprinimo koeficientas Ki 1 (1) = Io Ra /Io in 1 = α o ~= 1, čia: Io Ra ir Io in 1 – atitinkamų srovių i Ra (t) ir i in 1 (t) amplitudžių vertės atitinkamai gnybte Uin 1 (14) ir rezistoriuje Ra 1 (5), ir iš čia gnybte Uiš 1 (16) galios Piš 1 diferencialinis stiprinimo koeficientas Kp 1 (1) =
[0210] = Ku 1 (1) (26), ir, esant pasirinktos vertėms: Ki 1 (1) ~= 3,7•104.
[0211] Kai schemoje (Fig. 11) harmoninį poveikio signalą u in 2 (t) = Uo in 2•sin (ω in 2•t) paduoda tik į gnybtą Uin 2 (15), tai šiuo atveju gnybte Uiš 1 (16) įtampos diferencialinis stiprinimo koeficientas Ku 1 (2) yra:
[0212]
[0213] ir iš čia: Ku 1 (2) ~= 3,37•104, kai yra priimti tie patys parametrai ir R1 = 1 kΩ.
[0214] Gnybte Uiš 1 (16) srovės i in 2 (t) diferencialinis stiprinimo koeficientas Ki 1 (2) = Io Ra /Io in 2 =
[0215] = β o ≡ 100, čia: Io in 2 – srovės i in 2 (t) amplitudė gnybte Uin 2 (15), ir iš čia, bei (27), gnybte Uiš 1 (16) galios Piš 1 diferencialinis stiprinimo koeficientas Kp 1 (2) = Ku 1 (2)•Ki 1 (2) ~= 3,37•106.
[0216] Kai schemoje (Fig. 11) harmoninius poveikių signalus u in (3; 4) (t) = Uo in (3; 4)•sin (ω in (3; 4)•t) paduoda atitinkamai tik į gnybtą Uin 3 (18), arba – tik į gnybtą Uin 4 (24), tai šiais atvejais VT veikia BI schemoje ir VT veikos tašką "cVT" – {ID o, UDS o} išėjimo VACh apkrovos (Ra 1 +
[0217] + RKE o + R1) tiesėje užduoda pastovios srovės IK o ≡ ID o veikoje veikiančiu DT, ir šiais atvejais gnybte Uiš 1 (16) atitinkamas įtampos diferencialinis stiprinimo koeficientas Ku 1 (3; 4) yra:
[0218]
[0219] čia: SVT s (1; 2) ≡ SVT g (1; 2) – VT statumas BI schemoje su atitinkama užtūra G(1; 2) (4.1; 5.1) ir iš čia gauname: Ku 1 (3; 4) ~= 10, kai yra pasirinktos tipinės vertės: SVT s (1; 2)•= 10–3 A/V ir Ra 1 = 10 kΩ.
[0220] Kai schemoje (Fig. 11) poveikio signalus u in (1–4) (t) visus kartu paduoda į atitinkamus gnybtus Uin (1–4) (14; 15; 18; 24), gnybte Uiš 1 (16) gauna sustiprintą sudėtinį signalą u iš 1 (1-4) (t) su signalų u in (1–4) (t) atitinkamų dažnių ω in (1–4) kombinaciniai dažniai ω iš 1 (1-4) k :
[0221]
[0222] čia: n, m, e, v = 1; 2; 3;… , ir taip praplečia įtaiso su DFPĮ funkcines galimybes.
[0223] Penkių įėjimų Uin (1–5) ir vieno išėjimo Uiš 1, arba keturių įėjimų Uin (1–4) ir dviejų išėjimų Uiš (1; 2), stiprintuvas-dažnių ω in (1–5), arba ω in (1–4), maišiklis (Fig. 12) su DFPĮ (Fig. 1, e) veikia tokiu būdu.
[0224] Įjungia maitinimo šaltinio 12 įtampą εo ir atitinkamų DT ir VT atitinkamus veikos taškus "cDT" – {IK o, UKB o} ir "cVT" – {ID o, UGS o (1; 2)} atitinkamose išėjimų VACh nustato atitinkamų apkrovų (R1 + R2-4 + RSD o + Ra 1) ir (Ra 1 + RKE o + R1) tiesių viduryje, ir tuo tikslu parenka įtampos εo vertę, bei rezistorinių daliklių R2||R3 (2; 3) ir R4||R5 (4; 26) atitinkamas dalinimo vertes k2-3 = R2 /(R2 + R3) ir k4-5 = R4 /(R4 + R5), esant pasirinktoms R(1; a 1) (1; 5) vertėms, kai k2-3 ~= k4-5. Schemoje (Fig. 12), priklausomai nuo poveikio gnybto Uin (1; 2; 5) (14; 15; 25), DT veikia atitinkamai BB arba BE, arba EK schemose, o VT – BI schemoje su dviem nepriklausomais užtūrų išvadais G(1; 2) (4.1; 5.1). Schemos (Fig. 12) veika yra analogiška schemos (Fig. 11) veikai ir skiriasi tik poveikių signalų u in (1–(4; 5)) (t) didesniu skaičiumi, o tai dar labiau išplečia įtaiso
[0225] (Fig. 12) funkcines savybes. Kai schemoje (Fig. 12) poveikio signalą u in 2 (t) arba u in 5 (t) paduoda atitinkamai tik į gnybtą Uin 2 (15), arba – tik į gnybtą Uin 5 (25), tai šiais atvejais DT veikia BE schemoje, o VT – BI schemoje, ir gnybte Uiš 1 (16) įtampos diferencialinis stiprinimo koeficientas Ku 1 (2; 5) ~= Ku 1 (2) (27) ~= 3,37•104, ir analogiškai, schemos (Fig. 12) gnybte Uiš 1 (16) Kp 1 (2; 5) = Ku 1 (2; 5)•Ki 1 (2) ~= 3,37•106. Kai poveikio signalus u in (2; 5) (t) paduoda atitinkamai tik į gnybtą Uin 2 (15), arba – tik į gnybtą Uin 5 (25), tai šiais atvejais DT veikia EK schemoje, o VT kartu su atitinkama grandine yra pasyvi apkrova, ir todėl schemos (Fig. 12) gnybte Uiš 2 (17) diferencialinis įtampos stiprinimo koeficientas Ku 2 (2; 5) yra:
[0226]
[0227] o srovės i in (2; 5) (t) diferencialinis stiprinimo koeficientas Ki 2 (2; 5) = 100 ir iš čia Kp 2 (2; 5) ~=
[0228] ~= 3,37•106.
[0229] Kai schemoje (Fig. 12) poveikio signalą u in 3 (t) arba u in 4 (t) paduoda atitinkamai tik į gnybtą Uin 3 (18), arba – tik į gnybtą Uin 4 (24), tai šiuo atveju DT veikia pastoviosios srovės
[0230] IK o ~= const ≡ ID o veikoje su kintama apkrovos varža Ra K1 = (R2-4 + RSD (t) + Ra 1), ir todėl gnybte Uiš 2 (14) signalas u iš 2 (t) ~= 0, o gnybte Uiš 1 (16) signalas |u iš 2 (t)| > 0 ir jo įtampos diferencialinis stiprinimo koeficientas yra:
[0231]
[0232] čia: Δ Ro SD – VT varžos RSD (t) pokyčio Δ RSD (t) amplitudė, nes Δ RSD (t) ~ Uo in (3; 4) (t) – signalų u in (3; 4) (t) atitinkamos amplitudės ir iš čia, bei (31), gauname Ku 1 (3; 4) ~= 3,8.
[0233] Kai schemoje (Fig. 12) poveikio signalus u in (1–5) (t) kartu paduoda į atitinkamus gnybtus Uin (1–5) (14; 15; 18; 24; 25), tai šiuo atveju schema (Fig. 12) veikia signalų u in (1–5) (t) stiprinimo ir kartu atitinkamų dažnių ω in (1–5) maišymo veikoje, ir gnybte Uiš (1) (16) registruoja atitinkamų sudėtinių signalų u iš (1) (1-5) atitinkamus kombinacinius dažnius ω iš (1) (1-5) k :
[0234]
[0235] čia: n, m, e, v, k = 1; 2; 3;… , ir taip praplečia įtaiso su DFPĮ funkcines galimybes.
[0236] Dviejų įėjimų Uin (1; 2) ir vieno išėjimo Uiš 1, arba dviejų išėjimų Uiš (1; 2) ir vieno įėjimo
[0237] Uin 1, stiprintuvas-impulsų formuotuvas, dažnių ω in (1; 2) maišiklis ir generatorius (Fig. 13) su DFPĮ (Fig. 1, e) veikia tokiu būdu.
[0238] Įjungia maitinimo šaltinio 12 įtampą εo ir DT, bei VT, atitinkamus veikos taškus "aDT" –
[0239] –{Is K, εo} ir "aVT" – {Is D ≡ Is K, εo } atitinkamose išėjimų VACh nustato atitinkamų apkrovų
[0240] (R1 + R2-4 + RSD o + Ra 1) ir (Ra 1 + RKE o + R1) tiesių atkirtų taškuose "a(DT; VT)", sudarydami DT ir VT B-klasės veikas – DT ir VT yra "normaliai uždarytose būsenose", ir todėl jų atitinkamais kontaktais-išvadais E-(K-D) (1.1; 3.1) teka atitinkamos vienodos soties srovės i (K, D) (t) = Is (K; D). DT "normaliai uždarytą būseną" nustato iš sąlygos: UBE o = εo•R2 /(R2 + R3) ≤ (0,2–0,4), o VT šią būseną nustato sudarydami sąlygą: UG (1; 2)┴ o ≡ UR4 o < U(K-D)┴ o ~= εo, čia: UR4 o = εo•R4 /(R4 +
[0241] + R5) – įtampa rezistoriuje R4 (4) VT veikos taške "aVT", kartu ir VT kontaktų-išvadų G(1; 2) (4.1; 5.1) įtampa "žemės" (┴) (13) atžvilgiu; U(K-D)┴ o – DFPĮ kontakto-išvado K-D (3.1) įtampa "žemės" (┴) (13) atžvilgiu veikos taške "aVT". Todėl pradinių laiko t momentu to = 0 gnybtuose Uiš (1; 2) (16; 17) atitinkamos įtampos u iš (1; 2) (t) = 0. Schemoje (Fig. 13) DT veikia BB arba BE, arba EK, o VT – BU schemose. Laiko t momentu to = 0 į gnybtą Uin 1 (14) paduoda harmoninį signalą u in 1 (t) = Uo in 1•sin (ω in 1•t) (Fig. 22, a) ir teigiamo pusperiodžio u in 1 (t) > 0 metu DT yra "atidaromas" – jo varža RKE (t) => RKE min – mažėja ir tai lemia srovės i (K, D) (t) didėjimą, kartu ir įtampos u (K-D)┴ (t) ~= εo – i (K; D) (t)•Ra 1 mažėjimą, ir kartu VT "atidarymą" dėl kontaktų-išvadų G(1; 2) (4.1; 5.1) ir kontakto S skirtuminės įtampos u G (1; 2)-S (t) ~ UR4 o – u in 1 (t) mažėjimo. Šiuo atveju BE ir BU schemose veikia neigiamieji grįžtamieji ryšiai, kuriuos lemia R1 ir R2-4, ir todėl gnybtuose Uiš (2; 1) (17; 16) yra formuojami atitinkami signalai u iš (2; 1) (1) (t) > 0 (Fig. 22, c, b) su atitinkamomis amplitudėmis Uo iš 2 (1) ≤ Uo in 1, nes DT veikia EK schemoje, ir Uo iš 1 (1) ~=
[0242] ~= Ku 1 (1) Uo in 1, nes DT veikia BE, o VT – BU schemose, čia: Ku 1 (1) – įtampos u in 1 (t) diferencialinis stiprinimo koeficientas gnybte Uiš 1 (16), ir yra:
[0243]
[0244] ir iš čia: Ku 1 (1) ~= 1,7•104, kai yra pasirinktos parametrų tos pačios tipinės vertės, o srovės i in 1 (t) diferencialinis stiprinimo koeficientas Ki 1 (1) gnybte Uiš 1 (16) yra: Ki 1 (1) = Io iš 1 (1) (t)/Io in 1 (t) ~=
[0245] ~= β o = 100, ir iš čia galios Piš 1 (1) diferencialinis stiprinimo koeficientas Kp 1 (1) gnybte Uiš 1 (16) yra: Kp 1 (1) ~= Ku 1 (1)•Ki 1 (1) ~= 1,7•106. Atitinkamai išėjimo gnybte Uiš 2 (17) įtampos u in 1 (t) diferencialinis stiprinimo koeficientas Ku 2 (1) ~= 1, ir srovės i in 1 (t) diferencialinis stiprinimo koeficientas Ki 2 (1) ~= β o = 100, ir iš čia galios Piš 2 (1) diferencialinis stiprinimo koeficientas
[0246] Kp 2 (1) ~= 100. Schemos (Fig. 13) atitinkamuose gnybtuose Uiš (1; 2) (16; 17) atitinkamų signalų
[0247] u iš (1; 2) (1) (t) fazės φ iš (1; 2) o (1) atžvilgiu signalo u in 1 (t) fazės φ in 1 o yra: |φ iš 1 o (1) – φ in 1 o)| = 180° ≡ ≡ π rad ir φ iš 2 o (1) = φ in 1 o). Gnybtuose Uiš (1; 2) (16; 17) formuojamų atitinkamų signalų
[0248] u iš (1; 2) (1) (t) (Fig. 22, b, c) atitinkamų amplitudžių Uo iš (1; 2) (1) didžiausios atitinkamos vertės
[0249] Uo iš (1; 2) max (1) yra:
[0250]
[0251]
[0252] čia: Rs – visiškai "atidaryto" DFPĮ kontaktų-išvadų E-(K-D) (1.1; 3.1) liekamoji soties varža.
[0253] Kai schemoje (Fig. 13) laiko t momentu to = 0 į gnybtą Uin 2 (15) paduoda harmoninį signalą u in 2 (t) = Uo in 2•sin (ω in 2•t) (Fig. 22, a), tai šiuo atveju neigiamo pusperiodžio u in 2 (t) < 0 metu DT yra "atidaromas" – jo varža RKE (t) => RKE min – mažėja ir toliau schemos (Fig. 13) veika atitinka poveikį u in 1 (t) > 0, tačiau nagrinėjamu atveju DT veikia BB, o VT – BU schemose. Todėl schemos (Fig. 13) gnybte Uiš 1 (16) yra formuojamas atitinkamas signalas u iš 1 (2) (t) > 0 (Fig. 22, d) su atitinkama amplitude Uo iš 1 (2) ~= Ku 1 (2) Uo in 2, čia: Ku 1 (2) – įtampos u in 2 (t) diferencialinis stiprinimo koeficientas gnybte Uiš 1 (16), ir yra:
[0254]
[0255] ir iš čia: Ku 1 (2) ~= 1,7•104, kai yra pasirinktos parametrų ankstesnės tipinės vertės, o diferencialinis srovės stiprinimo koeficientas Ki 1 (2) gnybte Uiš 1 (16) yra: Ki 1 (2) = Io iš 1 (2) (t)/
[0256] /Io in 2 (t) ~= 1, ir iš čia galios Piš 1 (2) diferencialinis stiprinimo koeficientas Kp 1 (2) ~= Ku 1 (2)•Ki 1 (2) ~=
[0257] ~= 1,7•104. Schemos (Fig. 13) gnybte Uiš 1 (16) signalo u iš 1 (2) (t) fazė φ iš 1 o (2) = φ in 2 o, o formuojamo signalo u iš 1 (2) (t) (Fig. 22, d) amplitudės Uo iš 1 (2) didžiausia vertė Uo iš 1 max (2) yra:
[0258]
[0259] Schemos (Fig. 13) gnybtuose Uiš (1; 2) (16; 17) yra formuojami atitinkami impulsiniai signalai u iš (1;2) (1; 2) (t), kurių laikinės diagramos priklauso nuo DT veiką lemiančių soties koeficientų Ks (e, b) = Io (B(1; 2); E) /Is (B(1; 2); E) verčių atitinkamose BE arba BB schemose, čia:
[0260] Is (B(1; 2); E) – atitinkamai bazės B(1; 2) arba emiterio E srovės, kai įtampa UK(B (1; 2)) = 0; Is (B(1; 2); E) ≤
[0261] ≤ Io (B(1; 2); E) – atitinkamai bazės B(1; 2) arba emiterio E srovių i(B(1; 2); E) (t) amplitudinės vertės, kai yra "atidaroma" emiterinė p–n sandūra ir DT veikia soties veikoje (Ks (e, b) > 1), o tai lemia DT "išjungimo" momento delsą ts ir impulsų u iš (1;2) (1; 2) (t) atitinkamų rečių χ(1; 2) (1; 2) kitimą, nes vertės Io (B(1; 2); E) ~ Uo in (1; 2). Kai Ks (e, b) ≤ 1, impulsų u iš (1;2) (1; 2) (t) laikinės diagramos Fig. 22,
[0262] b–d, yra parodytos ištisinėmis kreivėmis, o kai Ks (e, b) > 1, impulsų u iš (1;2) (1; 2) (t) laikinės diagramos Fig. 22, b–d, yra parodytos taškinėmis kreivėmis. Keisdami Ks (e, b) > 1 vertes, keičia impulsų u iš (1;2) (1; 2) (t) atitinkamų rečių χ(1; 2) (1; 2) vertes, ir taip praplečia įtaiso su DFPĮ funkcines galimybes. Kai schemoje (Fig. 13) poveikių signalus u in (1; 2) (t) kartu paduoda į atitinkamus gnybtus Uin (1; 2) (14; 15), tai šiuo atveju schema (Fig. 13) veikia signalų u in (1; 2) (t) stiprinimo ir kartu atitinkamų dažnių ω in (1; 2) maišymo veikoje, ir gnybte Uiš 1 (16) registruoja atitinkamą sudėtinį signalą u iš 1 (1-2) su atitinkamais kombinaciniais dažniais ω iš 1 (1-2) k:
[0263]
[0264] čia: n, m = 1; 2; 3;… , ir taip praplečia įtaiso su DFPĮ funkcines galimybes.
[0265] Kitame schemos (Fig. 13) variante tarp DFPĮ kontaktų-išvadų E (1.1) ir K-D (3.1) įjungia nuosekliai sujungtus L1 (28) ir C5 (11), o DT ir VT atitinkamus veikos taškus "cDT" – {IK o, εo /2} ir "cVT" – {ID o ≡ IK o, εo /2} atitinkamose išėjimų VACh nustato atitinkamų apkrovų (R1 + R2-4 +
[0266] + RSD o + Ra 1) ir (Ra 1 + RKE o + R1) tiesių vidurio taškuose "c(DT; VT)", ir tai realizuoja atitinkamomis sąlygomis: UBE o = εo•R2 /(R2 + R3) = (0,5–0,8) ir UR4 o ~= U(K-D)┴ o, sudarydami DT ir VT aktyvias veikas "normaliai atidarytose būsenose". Dėl neišvengiamų fluktuacijų, pavyzdžiui, DT kontakto-išvado B1.2 (2.2) momentinė įtampa u B (1.2) (t) = UB (1.2) o + ΔUB (1.2) – padidėja dydžiu ΔUB (1.2) < UB (1.2) o, ir todėl DT yra papildomai "atidaromas", o tai lemia srovės
[0267] i (K; D) (t)•= I(K, D) o + Δ I(K, D) – padidėjimą ir kartu įtampos u(K-D)┴(t) = U(K-D)┴ o – Δ U(K, D)┴ – sumažėjimą, ir kartu dėl jau žinomų priežasčių VT yra papildomai "atidaromas", o taip pat įtampos u EB (t) = UEB o – Δ U(K, D)┴ – ΔUB (1.2) – neigiamo poliškumo pokytį, ir t. t. – veikia teigiamasis grįžtamasis rišis, ir todėl schema (Fig. 13 su L1C5– rezonansine grandine) susižadina ir gnybtuose Uiš (1; 2) (16; 17) generuoja priešingų fazių atitinkamus signalus u iš (1; 2) (t) su atitinkamais dažniais ω iš (1; 2) ~= 2•π /(L1•C5)0,5, ir tai praplečia įtaiso funkcines savybes.
[0268] Trijų įėjimų Uin (1–3) ir dviejų išėjimo Uiš (1; 2) stiprintuvas-dažnių ω in (1–4) maišiklis (Fig. 14) su DFPĮ (Fig. 1, e) veikia tokiu būdu.
[0269] Įjungia maitinimo šaltinio 12 įtampą εo ir atitinkamų DT, bei VT, atitinkamus veikos taškus "cDT" – {IK o, UKB o} ir "cVT" – {ID o, UGS o (1; 2)} atitinkamose išėjimų VACh nustato atitinkamų apkrovų (R1 + R2-4 + RDS o + Ra 1) ir (Ra 1 + REB b o) tiesių viduryje, čia: RDS o ir REB b o – VT ir DT atitinkamų varžų RDS (t) ir RBE b (t) vertės atitinkamuose veikų taškuose "c(VT, DT)", ir šuo tikslu parenka įtampos εo vertę, bei rezistorinių daliklių R1||R2 (1; 2), R3||RG 1 (3; 22) ir
[0270] R4||RG 2 (4; 23) įtampos εo dalinimo atitinkamus koeficientus: k1-2 = R1 /(R1 + R2), k3-G1 =
[0271] = RG 1 /(R3 + R G 1) ir k4-G2 = RG 2 /(R4 + R G 2) iš sąlygų:
[0272] ___imgb0039___
[0273]
[0274] čia: UB 1.2 ir UE-S – DFPĮ atitinkamų kontaktų-išvadų B1.2 (2.2) ir E-S (3.1) įtampos "žemės" (13) atžvilgiu.
[0275] Schemoje (Fig. 14) DT veikia BE arba BB schemose, o VT – BI schemoje su dvejomis nepriklausomomis užtūromis G(1; 2) (4.1; 5.1). Kai poveikio signalą u in 1 (t) = Uo in 1•sin (ω in 1•t) paduoda tik į gnybtą Uin 1 (14), tai šiuo atveju DT veikia BE schemoje su emiterio E pastovios srovės IE o šaltinių VT, ir įtampos u in 1 (t) diferencialinis stiprinimo koeficientas Ku 1(1) gnybte
[0276] Uiš 1 (16) yra:
[0277]
[0278] ir iš čia: Ku 1(1) ~= 9, kai Ra 1 = 10 kΩ, Ra 2 = 1 kΩ ir R2-4 << RDS o = 100 Ω, o srovės i in 1 (t) diferencialinis stiprinimo koeficientas Ki 1(1) = βo = 100, ir galios Piš 1 diferencialinis stiprinimo koeficientas Kp 1(1) ~= 900.
[0279] Schemos (Fig. 14) įtampos u in 1 (t) diferencialinis stiprinimo koeficientas Ku 2 (1) gnybte
[0280] Uiš 2 (17) yra:
[0281]
[0282] ir iš čia: Ku 2 (1) ~= 3,4•103, esant priimtiems parametrams, o srovės i in 1 (t) diferencialinis stiprinimo koeficientas Ki 2 (1) = βo = 100, ir galios Piš 1 diferencialinis stiprinimo koeficientas
[0283] Kp 2(1) ~= 3,4•105.
[0284] Kai poveikio signalus u in (2; 3) (t) = Uo in (2; 3)•sin (ω in (2; 3)•t) paduoda atitinkamai tik į atitinkamą gnybtą Uin (2; 3) (15; 18), tai šiais atvejais DT veikia BB schemoje su emiterio E pastovios srovės IE o šaltiniu VT, o VT – BI arba BU schemose, ir todėl atitinkamos įtampos
[0285] u in (2; 3) (t) atitinkamas diferencialinis stiprinimo koeficientas Ku 1 (2; 3) gnybte Uiš 1 (16) yra:
[0286]
[0287] nes VT veikia ištakinio kartotuvo (IK) schemoje.
[0288] Schemos (Fig. 14) įtampų u in (2; 3) (t) atitinkami diferencialiniai stiprinimo koeficientai
[0289] Ku 2 (2; 3) gnybte Uiš 2 (17) yra:
[0290]
[0291] nes VT veikia BI, o DT – BB schemose, ir iš čia: Ku 2 (2; 3) ~= 127, esant priimtiems parametrams.
[0292] Kai schemoje (Fig. 14) poveikių signalus u in (1–3) (t) kartu paduoda į atitinkamus gnybtus Uin (1–3) (14; 15; 18), tai šiuo atveju schema (Fig. 14) veikia signalų u in (1–3) (t) stiprinimo ir kartu atitinkamų dažnių ω in (1–3) maišymo veikoje, ir gnybtuose Uiš (1; 2) (16; 17) registruoja atitinkamus sudėtinius signalus u iš 1 (1; 2) su atitinkamais kombinaciniais dažniais ω iš (1; 2) (1-3) k :
[0293]
[0294] čia: n, m, e = 1; 2; 3;… , ir taip praplečia įtaiso su DFPĮ funkcines galimybes.
[0295] Trijų išėjimų Uiš (1–3) ir vieno moduliavimo įėjimo Uin M 1 generatoriaus pirmojo varianto schema (Fig. 15, a) su DFPĮ (Fig. 1, b) veikia tokiu būdu.
[0296] Įjungia maitinimo šaltinio 12 įtampą εo ir DT(1; 2) atitinkamus veikos taškus "c1" –
[0297] –{IK 1 o, UKE 1 o } ir "c2" – {IK 2 o, UKE 2 o } atitinkamose išėjimo VACh nustato atitinkamų apkrovų (Ra 3 + R2-4 + R*in 2 (e)) ir (Ra 1 + Ra 2) tiesių viduryje, ir tuo tikslu parenka įtampos εo vertę, bei atitinkamų rezistorinių daliklių R1||R2 (1; 2) ir R3||R4 (3; 4) atitinkamas dalinimo vertes k1-2 =
[0298] = R2 /(R1 + R2) ir k3-4 = R3 /(R3 + R4), esant pasirinktoms R(a (1–3)) (5; 6; 29) vertėms. DT(1; 2) veikia BE schemose su neigiamo grįžtamojo ryšio atitinkamais rezistoriais R(a (3; 1)) (3; 1) ir įjungimo laiko momentu to = 0 abiejų DT(1; 2) veikos taškai automatiškai patenka į aktyvios veikos taškus "c(1; 2)". Dėl fluktuacijų, pavyzdžiui, DT1 kontakto-išvado B1.1 įtampa u B1.1 (t) padidėja dydžiu
[0299] ΔUB1.1 << UB 1.1 o ~= k1-2•εo, čia : UB 1.1 o – DT1 kontakto-išvado B1.1 įtampa veikos taške "c1", ir todėl padidėja DT1 bazės B1.1 srovė i B 1.1 (t) = IB 1.1 o + ΔIB 1.1, čia: IB 1.1 o – DT1 bazės B1.1 srovė veikos taške "c1", o tai lemia DT1 kolektoriaus K1 srovės i K 1 (t) = IK 1 o + β 1•ΔIB 1.1 padidėjimą ir kartu DT2 bazės B2.(1; 2) srovės i B 2.(1; 2) (t) ≡ i K 1 (t) padidėjimą, o tai lemia DT2 kolektoriaus K2 srovės i K 2 (t) = IK 2 o + β 1•β 2•ΔIB 1.1 padidėjimą ir kartu schemos (Fig. 15, a) gnybte Uiš 1 (16) yra formuojamas teigiamo poliškumo įtampos pokytis ΔUK 2 ~= β 1•β 2•ΔIB 1.1•(Ra 1 + Ra 2). Įtampos pokytis ΔUK 2 per teigiamo grįžtamojo ryšio grandinę L1-C6 (28; 27) patenka į DT1 kontaktą-išvadą B1.1 ir dar labiau "atidaro" DT1, ir t. t., kol didėdamos srovės i K (1; 2) (t) pasiekia atitinkamas maksimalias vertes Io K (1; 2) max, ir toliau analogišku būdu srovės i K (1; 2) (t) pradeda mažėti iki minimalių verčių Io K (1; 2) min, ir toliau analogišku būdu srovės i K (1; 2) (t) pradeda didėti iki
[0300] Io K (1; 2) max, ir t. t. – schemos (Fig. 15, a) gnybte Uiš 1 (16) yra generuojamas kintamasis signalas
[0301] u iš 1 (t) su amplitude Uo iš 1 = (Io K 2 max – Io K 2 min)•Ra 2 ~= Io K 2 max•Ra 2 /2 ir dažniu f iš 1 ~=
[0302] ~= [2•π•(L1•C6)0,5]–1, čia: Io K 2 max ~= εo /(Ra 1 + RK2E2 min + Ra 2), ir iš čia amplitudės Uo iš 1 didžiausia vertė Uo iš 1 max yra:
[0303]
[0304] Schemos (Fig. 15, a) gnybtuose Uiš (2; 3) (17; 29) yra generuojami atitinkami kintamieji signalai u iš (2; 3) (t) su atitinkamomis amplitudėmis:
[0305]
[0306]
[0307] čia: RBB 2 – DT2 kontaktų B2.1 ir B2.2 varža, ir iš čia amplitudžių Uo iš (2; 3) didžiausios atitinkamos vertės yra:
[0308]
[0309]
[0310] Schemos (Fig. 15, a) gnybtuose Uiš (2; 3) (17; 29) atitinkamų signalų u iš (2; 3) (t) atitinkami dažniai f iš (2; 3) = f iš 1, o atitinkamos fazės: |φ iš (1; 3) o – φ iš 2 o| = 180° ≡ π rad. Į schemos (Fig. 15, a) gnybtą Uin M 1 (31) paduoda moduliuojantį signalą u in M 1 (t) su mažo signalo sąlyga tenkinančia amplitude Uo in M 1 << UB 1.1 o ir dažniu f in M 1 < f iš (1–3), ir taip keičia DT1 statumą S1 = IK 1 o (t)/φ T, o tai lemia generuojamų signalų u iš (1– 3) (t) atitinkamų amplitudžių moduliacijas Uo iš (1–3) ( f in M 1), ir kartu schemos (Fig. 15, a) gnybtuose Uiš (1–3) (16; 17; 29) registruoja atitinkamus sudėtinius signalus u*iš (1–3) (t) su atitinkamais kombinaciniais dažniais f *iš (1–3) k :
[0311]
[0312] čia: n, m = 1; 2; 3;… , ir taip praplečia įtaiso su DFPĮ funkcines galimybes.
[0313] Schemos (Fig. 15, a) gnybtuose Uiš (1–3) (16; 17; 29), kai gnybte Uin M 1 (31) signalas
[0314] u in M 1 (t) = 0, atitinkamų signalų u iš (1– 3) (t) harmonines funkcijas gauna parinkdami neigiamojo grįžtamojo ryšio grandinės R5-C5 (26; 11) parametrus, pavyzdžiui, su potenciometru R5 (26), ir, kai R5 => ∞, gauna impulsinius signalus u iš (1– 3) (t) – artimus meandrams su atitinkamais rečiais χ(1–3) ~= 2, ir taip praplečia įtaiso su DFPĮ funkcines galimybes.
[0315] Trijų išėjimų Uiš (1–3) ir vieno moduliavimo įėjimo Uin M 1 generatoriaus antrojo varianto schemos (Fig. 15, b) su DFPĮ (Fig. 1, b) veika yra analogiška pirmojo varianto schemos (Fig. 15, a) veikai, kai schemoje (Fig. 15, b) teigiamo grįžtamojo ryšio grandinė: C7-C8-Lo||C6, yra sudaryta su lygiagrečiuoju L1||C6 (28; 27) rezonansiniu kontūru, o schemoje (Fig. 15, a) – su nuosekliuoju L1-C6 (28; 27) rezonansiniu kontūru. Todėl abiejų schemų (Fig. 15, a, b) elektriniai parametrai ir funkcinės savybės yra identiškos.
[0316] Dviejų išėjimų Uiš (1; 2) ir dviejų moduliavimų įėjimų Uin M (1; 2) generatoriaus trečiojo varianto schema (Fig. 16, a) su DFPĮ (Fig. 1, e) veikia tokiu būdu.
[0317] Įjungia maitinimo šaltinio 12 įtampą εo ir atitinkamų DT ir VT atitinkamus veikos taškus "cDT" – {IK o, UKE o} ir "cVT" – {ID o, UGS o (1; 2)} atitinkamose išėjimų VACh nustato atitinkamų apkrovų (Ra 2 + R2-4 + RDS o + Ra 1) ir (Ra 2 + RKE o + Ra 1) tiesių viduryje, ir tuo tikslu parenka įtampos εo vertę, bei rezistorinių daliklių R1||R2 (1; 2) ir R3||R4 (3; 4) atitinkamas dalinimo vertes k1-2 = R2 /(R1 + R2) ir k3-4 = R4 /(R3 + R4), esant pasirinktoms R(a (1; 2)) (5; 6) vertėms. Schemoje (Fig. 16, a) DT veikia BE, o VT – BI, atitinkamose schemose su dviem nepriklausomais užtūrų išvadais G(1; 2), ir VT yra DT dinaminė apkrova. Įjungimo laiko momentu to = 0 schemos
[0318] (Fig. 16, a) DT ir VT veikos taškai automatiškai patenka į aktyvios veikos atitinkamus veikos taškus "c(DT; VT)". Dėl fluktuacijų, pavyzdžiui, DT kontakto-išvado B1 įtampa u B 1 (t) padidėja dydžiu ΔUB.1 << UB 1 o ~= k1-2•εo, čia : UB 1 o – DT kontakto-išvado B1 įtampa veikos taške "cDT", ir todėl padidėja DT bazės B1 srovė i B 1 (t) = IB 1 o + ΔIB 1 dydžiu ΔIB 1 << IB 1 o – DT bazės B1 srovė veikos taške "cDT", o tai lemia DT kolektoriaus K srovės i K (t) = IK o + β •ΔIB 1 padidėjimą ir kartu VT ištakos D srovės i D (t) ≡ i K (t) ≡ i K-D (t) padidėjimą, o tai lemia schemos (Fig. 16, a) gnybte Uiš 1 (16) neigiamo poliškumo įtampos pokytį ΔUK-D ~= β•ΔIB 1•Ra 1 < 0. Įtampos pokytis –ΔUK-D per teigiamo grįžtamojo ryšio grandinę L1-C6 (28; 27) patenka į DT kontaktą-išvadą E, ir, esant būtinai sąlygai: Ra 1 > Ra 2 /α, dar labiau "atidaro" DT, ir t. t., kol srovės i K-D (t) didėdamos pasiekia atitinkamas maksimalias vertes Io K-D max ~= εo /(Ra 1 + RDS min + RKE min + Ra 2), ir toliau analogišku būdu pradeda mažėti iki minimalių verčių Io K-D min ~= Is K << Io K-D max, ir toliau analogišku būdu pradeda didėti, ir t. t. – schemos (Fig. 16, a) gnybtuose Uiš (1; 2) (16; 17) yra generuojami atitinkami signalai u iš (1; 2) (t) su didžiausiomis amplitudėmis Uo iš (1; 2) max :
[0319] Uo iš (1; 2) max ~= Io K-D max•Ra (1; 2) /2 ~=
[0320]
[0321] ir dažniais f iš (1; 2) ~= [2•π•(L1•C6)0,5]–1.
[0322] Kai į schemos (Fig. 16, a) gnybtus Uin M (1; 2) (31; 32) paduoda atitinkamus moduliuojančius signalus u in M (1; 2) (t) su mažo signalo sąlygas tenkinančiomis atitinkamomis amplitudėmis Uo in M (1; 2) << U(G 2 o; B 2 o) ir dažniais f in M (1; 2) < f iš (1; 2), ir taip keičia DT, bei VT, atitinkamus statumus S(DT, VT), o tai lemia generuojamų signalų u iš (1– 3) (t) atitinkamų amplitudžių moduliacijas Uo iš (1–3) ( f in M 1), schemos (Fig. 16, a) gnybtuose Uiš (1; 2) (16; 17) registruoja atitinkamus sudėtinius signalus u*iš (1; 2) (t) su atitinkamais kombinaciniais dažniais f *iš (1; 2) k :
[0323]
[0324] čia: n, m, e = 1; 2; 3;… , ir taip praplečia įtaiso su DFPĮ funkcines galimybes.
[0325] Schemos (Fig. 16, a) gnybtuose Uiš (1; 2) (16; 17), kai gnybtuose Uin M (1; 2) (31; 32) signalai
[0326] u in M (1; 2) (t) = 0, atitinkamų signalų u iš (1; 2) (t) harmonines funkcijas gauna parinkdami neigiamojo grįžtamojo ryšio grandinės R6-C7 (36; 33) parametrus, pavyzdžiui, su potenciometru R6 (36), ir, kai R6 => ∞, gauna impulsinius signalus u iš (1; 2) (t) – artimus meandrams su atitinkamais rečiais χ(1; 2) ~= 2, ir taip praplečia įtaiso su DFPĮ funkcines galimybes.
[0327] Dviejų išėjimų Uiš (1; 2) ir dviejų moduliavimų įėjimų Uin M (1; 2) generatoriaus ketvirtojo varianto schemos (Fig. 16, b) su DFPĮ (Fig. 1, e) veika yra analogiška trečiojo varianto schemos (Fig. 16, a) veikai, kai schemoje (Fig. 16, b) teigiamo grįžtamojo ryšio mišraus jungimo grandinė: (C8-C9)||(L1||C6), yra sudaryta su lygiagrečiuoju L1||C6 (28; 27) rezonansiniu kontūru, o schemoje (Fig. 16, a) – su nuosekliuoju L1-C6 (28; 27) rezonansiniu kontūru. Todėl abiejų schemų (Fig. 16, a, b) elektriniai parametrai ir funkcinės savybės yra identiškos.
[0328] Trijų išėjimų Uiš (1–3) relaksacinių virpesių RC–generatorius (Fig. 17) su DFPĮ (Fig. 1, d) veikia taip.
[0329] Įjungia maitinimo šaltinio 12 įtampą εo ir atitinkamų DT ir PT atitinkamus veikos taškus "aDT" – {IK 1 s, εo} ir "aPT" – {IK 2 s, εo} atitinkamose išėjimų VACh nustato atitinkamų apkrovų (Ra 2 + R2-4 + RBB o + Ra 1) ir (R1 + Ra 3) tiesių atkirtos taškuose "aDT" ir "aPT". DT veikia BE schemoje, o PT – "rakto veikoje". Pradiniu laiko t momentu to = 0 DT ir PT yra "išjungtose būsenose" ir gnybtuose Uiš (1–3) (16; 17; 29) atitinkami signalai u iš (1–3) (to) = 0. Iš įtampos εo šaltinio 12 per R1 (1) prasideda C4 (10) įkrovimo procesas ir įtampa u C 4 (t) = εo•{1 –
[0330] – exp[–t/(R1•C4)]} – eksponentiškai didėja. Todėl DT yra "atidaromas" ir jo kolektoriaus K1 srovė i K 1 (t) ≡ i BB (t) didėja. Kai laiko momentu t1 srovė i BB (t1) ≥ IBB s, PT santykinai sparčiai – per (1–3) ns, ir mažiau, persijungia į "atidarytą būseną", kurioje varža RK2E2 (t1) = RK2E2 s =
[0331] = (0,1–1) Ω, ir mažiau, ir grandine: C4- K2-E2- Ra 3 prasideda C4 (10) išsikrovimo procesas, kurio metu įtampa u C 4 (t)|t ≥ t1 = UC 4 max•exp{[–t/[(RK2E2 s + Ra 3)•C4)]} – eksponentiškai mažėja, o tai lemia DT "uždarymą" ir kartu srovės i BB (t) |t ≥ t1 mažėjimą, ir, kai laiko momentu t2 srovė
[0332] i BB (t2) ≤ IBB s, PT santykinai sparčiai – per (1–3) ns, ir mažiau, persijungia į "uždarytą būseną", kurioje varža RK2E2 (t2) = RK2E2 max = (0,1–1) MΩ, ir daugiau. Iš įtampos εo šaltinio 12 per R1 (1) vėl prasideda C4 (10) įkrovimo procesas ir t. t. – vyksta relaksacinių virpesių generacija ir įtaiso Fig. 17 gnybtuose Uiš (1–3) (16; 17; 29) generuojamų atitinkamų signalų u iš (1–3) (t) laikinės diagramos yra parodytos Fig. 23, o generuojamų signalų u iš (1–3) (t) atitinkamos amplitudės
[0333] Uo iš (1–3) yra:
[0334]
[0335]
[0336]
[0337] čia: RB2E1 s ir RK2E2 s – DFPĮ atitinkamų kontaktų-išvadų B2-E1 (3.1; 1.1) ir K2-E2 (4.1; 5.1) minimalios varžos, kai DFPĮ yra "atidarytoje būsenoje", o išraiška (56), kai Ra 3 << R1.
[0338] Iš Fig. 23 išplaukia įtaiso Fig. 17 gnybtuose Uiš (1–3) (16; 17; 29) generuojamų atitinkamų signalų u iš (1–3) (t) laikiniai parametrai: dažniai f iš (1–3) ~= (t2 – t1)–1 ≈ [(R1•+ Ra 3)•C4]–1, gnybte Uiš 3 (29) impulsų frontų trukmės t(r 3, f 3) = (1–3) ns, ir mažiau, o signalų u iš (1–3) (t) atitinkamos fazės:
[0339]
[0340] Palyginus su analogais, pasiūlyti daugiafunkciniai puslaidininkinių įtaisų variantai pasižymi didesnėmis valdymo funkcinėmis savybėmis, integriniu išpildymu ir galimybe veikti įvairios paskirties superaukšto dažnio bei subnanosekundinės spartos elektroniniuose įrenginiuose – stiprintuvuose, dažnių maišikliuose-keitikliuose, harmoninių ir impulsinių signalų generatoriuose, impulsų formuotuvuose.
1. Daugiafunkcinis puslaidininkinis įtaisas (DFPĮ) su šešiais kontaktais-išvadais, sudarytas iš trijų besikeičiančio laidumo tipo puslaidininkinių sluoksnių 1–3, pavyzdžiui, atitinkamai vidutiniškai stipriai legiruotų n– sluoksnio 1, p– sluoksnio 2 ir n– sluoksnio 3, kuriame yra suformuotos dvi vidutiniškai stipriai legiruotos p+– sritys 4 ir 5 su atitinkamais ominiais kontaktais-išvadais 4.1 ir 5.1, n– sluoksniai 1 ir 3 turi atitinkamus ominius kontaktus- išvadus 1.1 ir 3.1, o p– sluoksnis 2 priešinguose išoriniuose kraštuose turi du ominius kontaktus-išvadus 2.1 ir 2.2, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad vidutiniškai silpnai legiruoto p–– sluoksnio 2 storis l1-3 – atstumas nuo stipriai legiruoto n+– sluoksnio 1 iki n– sluoksnio 3, yra padarytas mažesnis už šalutinių krūvininkų – elektronų np difuzijos nuotolį Ld 2 šiame p–– sluoksnyje 2:
l1-3 < Ld 2, ir taip yra realizuotas n+–p–(n–n+) laidumo pirmasis dvipolis tranzistorius (DT) – darinys DT1, kurio kontaktai-išvadai 1.1 ir 3.1 yra atitinkamai pirmasis emiteris E1 ir pirmasis kolektorius K1, o kontaktai-išvadai 2.1 ir 2.2 yra pirmosios bazės B1 atitinkami du kontaktai-išvadai B1.1 ir B1.2, atstumas l4-5 tarp stipriai legiruotų p+– sričių 4 ir 5 n– sluoksnyje 3 yra padarytas mažesnis už šalutinių krūvininkų – skylių pn difuzijos nuotolį Ld 3 n– sluoksnyje 3:
l4-5 < Ld 3, ir taip yra realizuotas p+–n–p+ laidumo antrasis darinį DT2, kurio kontaktai-išvadai 4.1 ir 5.1 yra atitinkamai antrasis emiteris E2 ir antrasis kolektorius K2, arba atvirkščiai, kontaktas-išvadas 3.1 yra DT2 antrosios bazės B2 kontaktas-išvadas B2.2 ir kartu DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas 3.1, atstumai l2-4 ir l2-5 nuo p–– sluoksnio 2 iki šalia esančių atitinkamų p+– sričių 4 ir 5 yra padaryti didesni už atitinkamų p–n sandūrų tarp atitinkamų p–– ir n– sluoksnių 2 ir 3 nuskurdintų sričių n– sluoksnyje 3 atitinkamų maksimalių storių dpn 2-3 max, ir kartu didesni už
p–n sandūrų tarp n– sluoksnio 3 ir atitinkamų p+– sričių 4 ir 5 nuskurdintų atitinkamų sričių n– sluoksnyje 3 atitinkamų maksimalių storių dpn (3-4; 3-5) max: l2-(4; 5) > dpn (2-3; 3-4; 3-5) max).
2. DFPĮ pagal punktą 1, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad atstumas l4-5 > Ld 3 ir kartu l4-5 < dpn (3-4; 3-5) max, ir taip yra realizuotas p+–n–p+ laidumo puslaidininkinis tetrodas (PT) – antrasis darinis PT, kurio kontaktai-išvadai 4.1 ir 5.1 yra atitinkamai emiteris E2 ir kolektorius K2, arba atvirkščiai, o kontaktas-išvadas 3.1 yra PT bazės B2 kontaktas-išvadas B2.2 ir kartu pirmojo darinio DT kolektorius K1 – DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas K1-B2.2.
3. DFPĮ pagal punktą 1, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad atstumas l1-3 > Ld 2 ir kartu l1-3 < dpn (2-1; 2-3) max – atitinkamų p–n sandūrų tarp p–– sluoksnio 2 ir n+–, bei n–, atitinkamų sluoksnių 1 ir 3, nuskurdintų atitinkamų sričių p–– sluoksnyje 2 atitinkami maksimalūs storiai, ir taip yra realizuotas n+–p––(n–n+) laidumo pirmasis darinys PT su atitinkamais kontaktais-išvadais: E1 (1.1), K1 (3.1), B1.1 (2.1) ir B1.2 (2.2), o antrasis darinis DT atitinka DT2 darinio parametrus ir turi atitinkamus kontaktus-išvadus: K2 (4.1), E2 (5.1), arba atvirkščiai, ir B2.2 (3.1).
4. DFPĮ pagal punktą 1, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad pirmasis darinys DT atitinka DT1 darinio parametrus ir turi atitinkamus kontaktus-išvadus: E (1.1), K (3.1) ir bazės B du kontaktus-išvadus: B1 (2.1) ir B2 (2.2), atstumas l4-5 yra padarytas didesnis už p–n sandūrų tarp n– sluoksnio 3 ir atitinkamų p+– sričių 4 ir 5 atitinkamų nuskurdintų sričių n– sluoksnyje 3 atitinkamų neutralių storių dpn (3-4; 3-5) o sumą, kai p–n sandūrose nėra poveikių įtampų, ir kartu mažesnis už atitinkamų maksimalių storių dpn (3-4; 3-5) max sumą, kai p–n sandūrose yra atgalinės poveikių įtampos: dpn 3-4 o + dpn 3-5 o < l4-5 < dpn 3-4 max + dpn 3-5 max, ir taip yra realizuotas atidaryto n–kanalo sandūrinis vienpolis (lauko) tranzistorius (VT) – antrasis darinys VT, kurio kontaktai-išvadai 4.1 ir 5.1 yra atitinkamai pirmosios užtūros G1 ir antrosios užtūros G2 kontaktai-išvadai, arba atvirkščiai, o kontaktas-išvadas 3.1 yra santakos D, arba ištakos S, ir kartu K – DFPĮ bendrasis kontaktas-išvadas K-D(S).
5. DFPĮ pagal punktus 1–4, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DFPĮ padarytas planarinės (paviršinės) technologijos būdu horizontalios konstrukcijos, kurioje, pavyzdžiui, ant dielektrinio šilumai laidaus padėklo yra suformuotas stačiakampio formos epitaksinis d storio n– sluoksnis, kurio priešinguose kraštuose per visą n– sluoksnio storį d yra suformuotos dvi stačiakampės n+– sritys: pirmoji – emiteris E arba pirmasis emiteris E1, ir trečioji – bazė B arba antroji bazė B2 (B2.2)), arba kolektorius K, arba antrasis kolektorius K2, arba santaka D, arba ištaka S, ir abiejų n+– sričių kraštinės yra lygiagrečios atitinkamoms epitaksinio n– sluoksnio kraštinėms, o tarp abiejų n+– sričių, pavyzdžiui, šalia pirmosios n+– srities, sudarant bendrą – emiterinę p––n+ sandūrą, yra suformuota antroji stačiakampė p–– sritis – bazė B arba pirmoji bazė B1, kurios kraštinės yra lygiagrečios atitinkamoms n+– srities kraštinėms, p–– srities ilgis lp išilgai p–– ir n+– sričių bendros sąlyčio kraštinės padarytas didesnis už n+– srities ilgį ln+ < lp, o p–– srities plotis l1-3 statmenai ilgiui lp ir lygiagrečiai padėklo paviršiui lemia DFPĮ funkcines savybes, tarp p–– ir trečiosios n+– sričių per visą n– sluoksnio storį d vienodu atstumu l2-(4; 5) yra viena priešais kitą suformuotos dvi atskiros vienodų matmenų stačiakampės p+– sritys: ketvirtoji (4) ir penktoji (5), kurių kraštinės yra lygiagrečios atitinkamoms epitaksinio n– sluoksnio kraštinėms, o lygiagrečiai ilgiui lp atstumas l4-5 tarp p+– sričių 4 ir 5 lemia DFPĮ funkcines savybes, visų n+– ir p+– sričių paviršiuose yra padaryti atitinkami ominiai kontaktai-išvadai: pirmosios n+– paviršiuje – E arba E1, trečiosios n+– paviršiuje – K arba K1, arba B2.2, arba D arba S, ketvirtosios p+– paviršiuje – K arba K2, arba E, arba E2 ir penktosios p+– paviršiuje E arba E2, arba K, arba K2, o p–– srities priešinguose kraštuose atstumu lp viena nuo kitos yra padarytos dvi vienodų matmenų p+– sritys 2.1 ir 2.2 su ominiais kontaktais-išvadais: B1 arba B1.1, ir B2 arba B1.2.
6. DFPĮ pagal punktus 1–4, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DFPĮ padarytas planarinės technologijos būdu vertikalios konstrukcijos, kurioje, pavyzdžiui, ant pirmojo n+– sluoksnio – įtaiso padėklo paviršiaus yra suformuotas ominiu kontaktas-išvadas E, arba E1, o ant padėklo kito paviršiaus yra suformuotas storio d2, pavyzdžiui, epitaksinis antrasis p–– sluoksnis ir šiame p–– sluoksnyje yra suformuota stačiakampė trečioji n– sritis, kurios įterpimo į p–– sluoksnį gylis h3 yra mažesnis už storį d2: h3 < d2, ir skirtumas: d2 – h3 = l1-3, o n– srities priešinguose kraštuose atstumu l4-5 viena nuo kitos yra suformuotos dvi vienodos p+– sritys: ketvirtoji (4) ir penktoji (5), su atitinkamais paviršiniais ominiais kontaktais-išvadais: K arba K2, ir E arba E2, arba atvirkščiai, ir p+– sričių įterpimo į n– sritį atitinkami gyliai h4 ir h5 yra mažesni už h3: h4; 5 < h3, o skirtumas: h3 – h(4; 5) = l2-(4; 5), ir n– srities viduryje tarp p+– sričių 4 ir 5 yra suformuota papildoma n+– sritis su paviršiniu ominiu kontaktu-išvadu K arba K1, arba B arba B2.2, arba D arba S, ir papildomos n+– srities įterpimo į n– sritį gylis h3.1 yra mažesnis už h(4; 5): h3.1 < h(4; 5), o p–– sluoksnyje priešingose n– srities pusėse yra suformuotos dvi atitinkamos papildomos p+– sritys su atitinkamais paviršiniais ominiais kontaktais-išvadais: B1 arba B1.1, ir B2 arba B1.2.
7. Stiprintuvas-dažnių maišiklis su DFPĮ pagal punktus 1, 5 ir 6, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DFPĮ bendrasis išvadas E1 per pirmąjį rezistorių R1 yra sujungtas su "žeme" – įtaiso nulinio potencialo šina, ir kartu per pirmąjį kondensatorių C1 – su įtaiso pirmojo įėjimo gnybtu Uin 1, išvadas K1-B2.2 per antrąjį rezistorių R2 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per antrąjį kondensatorių C2 – su įtaiso antrojo įėjimo gnybtu Uin 2, išvadai B(B1.1; 1.2) yra sujungti tarpusavyje ir per lygiagrečiai sujungtus trečiąjį rezistorių R3, bei trečiąjį kondensatorių C3, yra sujungti su "žeme" ir kartu per ketvirtąjį rezistorių R4 – su maitinimo pastoviosios įtampos εo šaltinio teigiamo poliškumo gnybtu "+", kurio neigiamo poliškumo gnybtas "–" – su "žeme", išvadas E2 per pirmąjį apkrovos rezistorių Ra 1 yra sujungtas su gnybtu "+" ir kartu per ketvirtąjį kondensatorių C4 – su įtaiso pirmojo išėjimo gnybtu Uiš 1, išvadas K2 per antrąjį apkrovos rezistorių Ra 2 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per penktąjį kondensatorių C5 – su įtaiso antrojo išėjimo gnybtu Uiš 2.
8. Stiprintuvas- dažnių maišiklis su DFPĮ pagal punktus 1, 5 ir 6, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DFPĮ bendrasis išvadas E1-B2.2 per R3 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C4 – su gnybtu Uin 2, ir kartu per R4 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", išvadas K1 per Ra 1 yra sujungtas su gnybtu "+" ir kartu per C2 – su gnybtu Uiš 1, išvadas BB 1.1, arba BB 1.2, arba abu kartu, per R1 – su "žeme" ir kartu per R2 – su gnybtu "+", ir kartu per C1 – su gnybtu Uin 1, išvadas E2 per Ra 2 yra sujungtas su gnybtu "+" ir kartu per C3 – su gnybtu Uiš 2, o išvadas K2 per trečiąjį apkrovos rezistorių Ra 3 – su "žeme" ir kartu per C5 – su įtaiso trečiojo išėjimo gnybtu Uiš 3.
9. Impulsų formuotuvas su DFPĮ pagal punktus 1, 5 ir 6, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DFPĮ bendrasis išvadas K1-B2.2 yra laisvas, išvadas E1 per R1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C1 – su gnybtu Uin 1, išvadai B(B(1.1; 1.2)) yra sujungti tarpusavyje ir per R2 – su "žeme", ir kartu per R3, arba per C4 – su išvadu K2, kuris per Ra 2 – su "žeme", ir kartu per C3 – su gnybtu Uiš 2, išvadas E2 per C2 – su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 1 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme".
10. Impulsų formuotuvas su DFPĮ pagal punktus 3, 5 ir 6, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DFPĮ bendrasis išvadas K1-B2.2 per R3 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C2 – su gnybtu Uin 1, ir kartu per R4 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", išvadas E1 per Ra 1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C1 – su gnybtu Uiš 1, išvadas B1 per R1 – su "žeme", o išvadas B2 per R2, arba per C5 – su išvadu K2, kuris per Ra 3 – su "žeme" ir kartu per C4 – su gnybtu Uiš 3, o išvadas E2 per Ra 2 – su gnybtu "+" ir kartu per C3 – su gnybtu Uiš 2.
11. Impulsų formuotuvas su DFPĮ pagal punktus 2, 5 ir 6, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DFPĮ bendrasis išvadas K1-B2 per R2 yra sujungtas su "žeme", išvadas E1 per R1 – su "žeme" ir kartu per C1 – su gnybtu Uin 1, išvadas B1.1 per C2 – su gnybtu Uin 2, o išvadas B1.2 – su "žeme", arba vieno įėjimo Uin 1 variante abu išvadai B(1.1-1.2) – su "žeme", išvadas E2 per Ra 2 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C4 – su gnybtu Uiš 2, o išvadas K2 per C3 – su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 1 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme".
12. Impulsų formuotuvas su DFPĮ pagal punktus 3, 5 ir 6, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DFPĮ bendrasis išvadas K1-B2.2 ir yra laisvas, išvadas E1 per R1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C3 – su gnybtu Uiš 3, o išvadai B(1; 2) per atitinkamus R(2; 3) yra sujungti su transformatoriaus (Tr) antrinės apvijos (II) dviem išvadais, kai Tr pirminės apvijos (I) vienas išvadas yra sujungtas su gnybtu Uin 1, o kitas išvadas – su "žeme", išvadas E2 per C1 – su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 1 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", išvadas K2 per Ra 2 – su "žeme" ir kartu per C2 – su gnybtu Uiš 2.
13. Stiprintuvas-dažnių maišiklis su DFPĮ pagal punktus 4– 6, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DFPĮ bendrasis išvadas K-D per C4 yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 1 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", išvadas E per R1 – su "žeme" ir kartu per C1 – su gnybtu Uin 1, išvadas B1.2 per lygiagrečiai sujungtus R2 ir C3 – su "žeme" ir kartu per R3 – su gnybtu "+", o išvadas B1.1 per C2 – su gnybtu Uin 2, išvadas G1 per pirmąjį užtūros rezistorių RG 1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C3 – su įtaiso trečiojo įėjimo gnybtu Uin 3, o išvadas G2 per antrąjį užtūros rezistorių RG 2 – su "žeme" ir kartu per C5 – su įtaiso ketvirtojo įėjimo gnybtu Uin 4.
14. Stiprintuvas-dažnių maišiklis su DFPĮ pagal punktus 4– 6, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DFPĮ bendrasis išvadas K-D per C4 yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 1 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", išvadas E per R1 – su "žeme" ir kartu per C1 – su gnybtu Uin 1, arba – su gnybtu Uiš 2, išvadas B1.2 per šeštąjį kondensatorių C6 – su penktuoju įėjimo gnybtu Uin 5 ir kartu per R2 – su "žeme", ir kartu per R3 – su gnybtu "+", o išvadas B1.1 per R4 – su "žeme" ir kartu per penktąjį rezistorių R5 – su gnybtu "+", ir kartu per C2 – su gnybtu Uin 2, išvadas G1 per RG 1 – su "žeme" ir kartu per C3 – su gnybtu Uin 3, o išvadas G2 per RG 2 – su "žeme" ir kartu per C5 – su gnybtu Uin 4.
15. Stiprintuvas-impulsų formuotuvas ir dažnių maišiklis, bei generatorius su DFPĮ pagal punktus 4– 6, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DFPĮ bendrasis išvadas K-D per C4 yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 1 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", išvadas E per R1 – su "žeme" ir kartu per C2 – su gnybtu Uin 2, arba gnybtu Uiš 2, išvadai B(1.1; 1.2) kartu per R2 – su "žeme", ir kartu per C1 – su gnybtu Uin 1, ir kartu per R3 – su gnybtu "+", išvadai G(1; 2) kartu per lygiagrečiai sujungtus R4 ir C3 yra sujungti su "žeme", ir kartu per R5 – su gnybtu "+", o kitame schemos variante – generatoriuje DFPĮ išvadas K-D per nuosekliai sujungtus C5 ir pirmąjį induktorių L1 yra sujungtas su išvadu E.
16. Stiprintuvas-dažnių maišiklis su DFPĮ pagal punktus 4– 6, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DFPĮ bendrasis išvadas E-S per C5 yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 2 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "–", o gnybtas "+" – su "žeme", išvadas K per Ra 1 – su "žeme" ir kartu per C1 – su gnybtu Uiš 2, išvadas B1.2 per lygiagrečiai sujungtus R1 ir C3 – su "žeme" ir kartu per R2 – su gnybtu "–", o išvadas B1.1 per C2 – su gnybtu Uin 1, išvadas G1 per C4 – su gnybtu Uin 2 ir kartu per RG 1 – su "žeme", ir kartu per R3 – su gnybtu "–", o išvadas G2 per C6 – su gnybtu Uin 3 ir kartu per RG 2 – su "žeme", ir kartu per R4 – su gnybtu "–".
17. Generatorius su DFPĮ pagal punktus 1, 5 ir 6, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DFPĮ bendrasis išvadas K1-B2.2 per R4 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per R3 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", išvadas E1 per Ra 3 – su "žeme" ir kartu per C3 – su gnybtu Uiš 3, išvadas B1.2 per C4 – su įtaiso pirmojo moduliacinio įėjimo gnybtu Uin M 1, o išvadas B1.1 per nuosekliai sujungtus R5 ir C5 – su išvadu E2 ir kartu per R2 – su "žeme", ir kartu per R1 – su gnybtu "+", išvadas B1.1 per nuosekliai sujungtus C6 ir induktorių L1 yra sujungtas su išvadu K2, kuris per C2 – su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 2 – su "žeme", o išvadas E2 per C1 – su gnybtu Uiš 2 ir kartu per Ra 1 – su gnybtu "+", arba kitame schemos variante išvadas B1.1 per septintąjį kondensatorių C7 yra sujungtas su išvadu K2 ir kartu per aštuntąjį kondensatorių C8 ir per lygiagrečiai sujungtus C6, bei L1 – su "žeme".
18. Generatorius su DFPĮ pagal punktus 4–6, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DFPĮ bendrasis išvadas K-D per C1 yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 ir kartu per nuosekliai sujungtus šeštąjį rezistorių R6, bei C7 – su išvadu B1.1, ir kartu per Ra 1 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", išvadas B1.2 per C3 – su įtaiso antrojo moduliacinio įėjimo gnybtu Uin M 2, o išvadas B1.1 per R2 – su "žeme" ir kartu per R1 – su gnybtu "+", išvadas G1 per lygiagrečiai sujungtus C5 ir R4 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per R3 – su gnybtu "+", ir kartu per R5 – su gnybtu G2, kuris per C4 – su gnybtu Uin M 1, išvadas E per Ra 2 – su "žeme" ir kartu per C2 – su gnybtu Uiš 2, ir kartu per nuosekliai sujungtus C6, bei L1 – su išvadu K-D, arba kitame schemos variante išvadas K-D per nuosekliai sujungtus aštuntąjį kondensatorių C8 ir devintąjį kondensatorių C9 – su išvadu E, o C8 ir C9 bendrasis jungimo mazgas per lygiagrečiai sujungtus L1, bei C6 – su "žeme".
19. Relaksacinių virpesių RC–generatorius su DFPĮ pagal punktus 2, 5 ir 6, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DFPĮ bendrasis išvadas K1-B2 per C1 yra sujungtas su gnybtu
Uiš 1 ir kartu per Ra 1 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", DT išvadas E1 per Ra 2 – su "žeme" ir kartu per C2 – su gnybtu Uiš 2, išvadai B(1.1; 1.2) per C4 – su "žeme" ir kartu per R1 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", ir kartu – su PT išvadu K2, o išvadas E2 per Ra 3 – su "žeme" ir kartu per C3 – su gnybtu Uiš 3.