[LT] Pasiūlymas yra iš puslaidininkinės elektronikos srities, o būtent daugiafunkcinių puslaidininkinių įtaisų (DFPĮ) bei schemų su jais, ir gali būti vartojamas elektroninėse automatikos sistemose, įvairių signalų generatoriuose bei impulsų formuotuvuose, o taip pat signalų maišymo, dauginimo ir keitimo įrenginiuose, ir t. t. Pasiūlytuose DFPĮ yra kitaip padarytos darinių konstrukcijos, taikant integrinės elektronikos technologijas, lauko ir dvipolio tranzistorių, bei p–n sandūrų nuskurdintų sričių užtrumpinimo veikos principus. Palyginus su analogu, pasiūlyti DFPĮ variantai pasižymi didesnėmis valdymo funkcinėmis savybėmis, didesne veikimo sparta – perjungimų frontai t(r, f ) ≤ 1 ns, integriniu išpildymu ir galimybe veikti įvairios paskirties elektroniniuose įrenginiuose: stiprintuvuose, impulsų formuotuvuose, dažnio keitikliuose ir maišikliuose.
[EN] The proposal is in the field of semiconductor electronics, namely, multi-semiconductor devices (MSD) and schemes with them, and can be used for electronic automation systems, a variety of signal generators and imagers, as well as signal mixing and reproduction of plants, and so on. The proposed MSD is otherwise made structures design using integrated electronic technology, the field and the bipolar transistors offense principles, and impoverished areas of the p–n junction shorted offense principle. Compared with analogue, MSD variants have higher management functionality, integrated fulfillment and the ability to operate multi-purpose electronic devices, and higher operating speeds-switching fronts t(r, f) ≤ 1 ns, with integrated performance and the ability to operate in a variety of electronic applications: amplifiers, generators, pulse shapers, frequency converters and mixers.
[0001] Pasiūlymas yra iš puslaidininkinės elektronikos srities, o būtent daugiafunkcinių (kelių funkcijų, multifunkcinių) puslaidininkinių įtaisų (DFPĮ (KFPĮ, MFPĮ)), turinčių keturis ir daugiau kontaktų-išvadų – gnybtų, ir gali būti vartojami įvairios paskirties elektroniniuose įrenginiuose – stiprintuvuose, dažnių maišikliuose-keitikliuose, harmoninių ir impulsinių signalų generatoriuose, impulsų formuotuvuose, ir t. t.
[0002] Analogas yra sudarytas iš trijų besikeičiančio laidumo tipo vidutiniškai stipriai legiruotų puslaidininkinių sluoksnių – pirmojo (1)–trečiojo (3), pavyzdžiui, atitinkamai n–p–n, kurio viename iš kraštinių n– sluoksnių, pavyzdžiui, trečiajame n– sluoksnyje 3 yra suformuotos dvi priešingo laidumo p– tipo sritys – ketvirtoji (11) ir penktoji (12), su atitinkamais ominiais kontaktais ir išvadais (14). Kraštiniai n– sluoksniai 3 ir 4, bei p– sritys 11 ir 12 turi po vieną ominį kontaktą ir atitinkamą išvadą (14), o antrasis p– sluoksnis 2 turi du priešpriešiais išdėstytus ominius kontaktus su atitinkamais išvadais (14). Antrojo p– sluoksnio (2) storis W ir atstumas L tarp p– sričių (11, 12) padaryti mažesni už atitinkamų p–n sandūrų nuskurdintų sričių maksimalius storius dpn (2-3; 2-1; 5-11; 5-12) max > W (L), o atstumas D tarp p– sluoksnio (2) ir p– sričių (11; 12) padarytas didesnis už p–n sandūros (2-3) maksimalų storį dpn (2-3) max < D (SU 1290495 A1, Описание изобретения, 1987, Бюл. No. 6).
[0003] Analogo trukumas yra tai, jog puslaidininkinio įtaiso valdymo funkcijos yra ribotos – jis veikia tik šalia esančių p–n sandūrų 2-1 ir 2-3, bei 5-11 ir 5-12, pramušimo būdų, kai atitinkamo poveikio srovės i(1; 2) (t) momentinė vertė viršija tam tikrą slenkstinę verte Is (1; 2), kai įvyksta atitinkamų p–n sandūrų 2-1 ir 2-3, bei 5-11 ir 5-12, nuskurdintų sričių sąlytis atitinkamoje srityje 2 ir 5, ir tai atitinka n–p–n (1-2-3), bei p–n–p (11-3-12) darinių – puslaidininkinių tetrodų (PT) veika. Kitas analogo trukumas yra jo diskretinė konstrukcija ir netinkamumas integrinės elektronikos technologijai. Dar kitas analogo trukumas yra tai, jog jis gali būti taikomas tik impulsinių signalų generatoriuose.
[0004] Analogas – generatorius yra sudarytas iš puslaidininkinio įtaiso su dviem skirtingų n–p–n ir p–n–p laidumų atitinkamais PT(1; 2) dariniais, turinčio šešis išvadus 14, kurio PT1 vidurinės p– srities 2 du kraštiniai išvadai 14 yra sujungti su srovės šaltiniu I ir kartu vienas kraštinis išvadas 14 – su PT2 vienos kraštinės p– srities 12 išvadu 14, o kitas kraštinis išvadas 14 per nuosekliai sujungtus pirmąjį induktorių L1 ir rezistorių R – su PT2 kitos kraštinės p– srities 11 išvadu 14. PT2 vidurinės n– srities 5 išvadas 14 per nuosekliai sujungtus: įtampos U šaltinį, antrąjį induktorių L2 ir apkrovos rezistorių Ra yra sujungtas su PT1 n– srities 1 išvadu 14. (SU 1290495 A1, Описание изобретения, 1987, Бюл. No. 6).
[0005] Analogo – generatoriaus su šešių kontaktų puslaidininkiniu įtaisu trukumas yra tai, kad jis negali būti panaudotas kintamųjų signalų stiprinimo bei skirtingo dažnio signalų dauginimo įtaisuose, harmoninių signalų generavimo įtaisuose, o taip pat neleidžia generuojamų signalų parametrų moduliacijos, ir visą tai apriboja įtaiso funkcines savybes. Kitas analogo trukumas yra tai, kad jame gali būti tik vienas rezistorius Ra su atitinkamu vieninteliu įrenginio išėjimo gnybtu Uiš, pavyzdžiui, PT1 darinio n– srities 1 kontaktas 14.
[0006] Analogo trūkumams pašalinti DFPĮ, sudarytame iš trijų vidutiniškai stipriai legiruotų besikeičiančio laidumo tipo, pavyzdžiui, n–p–n puslaidininkinių sluoksnių atitinkamai 1–3, sudarančių atitinkamas p–n sandūras 1-2 ir 2-3, ir n– sluoksniai 1 ir 3 turi atitinkamus ominius kontaktus-išvadus 1.1 ir 3.1, o p– sluoksnyje 2 priešpriešiais šalia n– sluoksnių 1 ir 3 yra suformuotos dvi vienodos n– sritys 4 ir 5 su atitinkamais kontaktais-išvadais 4.1 ir 5.1, DFPĮ yra padarytas kitaip, o būtent pirmajame variante n+– sluoksniai 1 ir 3 yra padaryti stipriai legiruoti, p– sluoksnyje 2 atstumu WB < LB – šalutinių krūvininkų – elektronų (np) p– sluoksnyje 2 difuzijos nuotolis, viena nuo kitos yra suformuotos dvi stipriai legiruotos n+– sritis 4 ir 5 su atitinkamais kontaktais-išvadais 4.1 ir 5.1, ir taip yra sudarytas n+–p–n+ dvipolio tranzistoriaus (DT) darinys 4-2-5, ir n+– sričių 4 ir 5 atitinkami atstumai l(1; 2) nuo atitinkamų n+– sluoksnių 1 ir 3 yra padaryti iš sąlygos: dpn (1-2; 2-3) 0 < l(1; 2) < dpn (1-2; 2-3) max, čia: dpn (1-2; 2-3) 0 – atitinkamų p–n sandūrų 1-2 ir 2-3 nuskurdintų sričių p– sluoksnyje 2 neutralūs storiai, kai p–n sandūrose nėra poveikio įtampų Upn = 0; dpn (1-2; 2-3) max – atitinkamų p–n sandūrų 1-2 ir 2-3 nuskurdintų sričių p– sluoksnyje 2 maksimalūs storiai, kai p–n sandūras atgaline kryptimi veikia elektrinio pramušimo įtampos |–Upn| ≥ Upn max. Tarp n+– sluoksnio 1 (arba 3) ir n+– srities 4 (arba 5), bei n+– sluoksnio 3 (arba 1) ir n+– srities 5 (arba 4), p– sluoksnyje 2 yra suformuotos atitinkamos papildomos stipriai legiruotos p+– sritys 2.1 ir 2.2 su atitinkamais kontaktais-išvadais 2.1 ir 2.2. Kontaktai-išvadai: 1.1 ir 3.1 yra atitinkamų n+–p sandūrų 1-2 ir 3-2 – diodų (D(1; 2)) atitinkami katodai (Kt(1; 2)), 2.1 ir 2.2 – atitinkamai anodai (A(1; 2)) ir kartu DT darinio bazės (B) kontaktai-išvadai B(1; 2), sudarydami DFPĮ bendruosius kontaktus-išvadus B(1; 2)-A(1; 2), 4.1 ir 5.1 – atitinkamai DT darinio kolektorius (K) ir emiteris (E), arba E ir K.
[0007] Analogo DFPĮ trūkumams pašalinti, antrajame variante kitaip padaryta DFPĮ konstrukcija, kurioje yra sudaryta sąlyga: dpn (4-2; 5-2) max > WB > LB, ir taip yra sudarytas n+–p–n+ puslaidininkinio tetrodo (PT) darinys 4-2-5, čia: dpn (4-2; 5-2) max – atitinkamų p–n sandūrų 4-2 ir 5-2 nuskurdintų sričių p– sluoksnyje 2 maksimalūs storiai, kai p–n sandūras atgaline kryptimi veikia elektrinio pramušimo įtampos |–Upn| ≥ Upn max.
[0008] Visų variantų DFPĮ konstrukcijos yra padarytos kitaip, o būtent planarinės (paviršinės) technologijos būdu yra suformuotas "horizontalios" konstrukcijos DFPĮ, pavyzdžiui, ant dielektrinio šilumai laidaus padėklo yra suformuotas stačiakampio formos dep storio epitaksinis, D pločio ir L ilgio p– sluoksnis 2, kurio priešinguose kraštuose išilgai L per visą p– sluoksnio 2 storį dep yra suformuotos dvi stačiakampės n+– sritys: 1 ir 3, su atitinkamais kontaktais-išvadais 1.1 ir 3.1, ir n+– sričių 1 ir 3 kraštinės yra lygiagrečios L i D kraštinėms. Viduryje tarp n+– sričių 1 ir 3 per visą storį dep yra suformuotos dvi stačiakampės n+– sritis 4 ir 5 su atitinkamais kontaktais-išvadais 4.1 ir 5.1, ir n+– sritys 4 ir 5 yra suformuotos atitinkamais atstumais l(1; 2) nuo atitinkamų n+– sričių 1 ir 3, ir atstumu WB tarp n+– sričių 4 ir 5, ir n+– sričių 4 ir 5 kraštinės yra lygiagrečios L i D kraštinėms. Šalia n+– sričių 1 ir 4, arba 1 ir 5, bei 3 ir 4, arba 3 ir 5, p– sluoksnyje 2 per visą storį dep yra suformuotos atitinkamos stačiakampės p+– sritys 2.1 ir 2.2 su atitinkamais kontaktais-išvadais 2.1 ir 2.2, ir p+– sričių 2.1 ir 2.2 kraštinės yra lygiagrečios L i D kraštinėms. Tarp p+– sričių 2.1 ir 2.2 p– sluoksnyje 2 per visą storį dep yra suformuota pirmoji izoliuojanti n– sritis 7.1, kurios ilgis D kryptimi yra padarytas nuo n+– srities 4, arba 5, iki šalia esančios p– sluoksnio L kraštinės, ir taip pat tarp n+– srities 5, arba 4, ir šalia esančios p– sluoksnio L kraštinės p– sluoksnyje 2 per visą storį dep yra suformuota antroji izoliuojanti n– sritis 7.2, kurios ilgis D kryptimi yra padarytas nuo n+– srities 5, arba 4, iki šalia esančios p– sluoksnio L kraštinės.
[0009] Visų variantų DFPĮ konstrukcijos yra padarytos kitaip, o būtent planarinės (paviršinės) technologijos būdu "vertikalios" konstrukcijos DFPĮ, pavyzdžiui, dp storio p– laidumo puslaidininkinio kristalo 2 – įtaiso padėklo 2 paviršiuje simetriškai per vidurį yra suformuota stačiakampė n+– sritis 5, kurios ilgoji kraštinė L1 > D1 – plotis, ir L1, bei D1, yra lygiagrečios p– kristalo 2 kraštinėms, ir n+– srities 5 įterpimo į p– kristalą 2 gylis h1 < dp. Ant p– kristalo ir n+– srities 5 paviršių yra suformuotas dep storio epitaksinis p– sluoksnis 2*, kurio paviršiuje virš n+– srities 5 yra suformuota stačiakampė n+– sritis 4 su kontaktu-išvadu 4.1 ir atitinkamomis kraštinėmis L2 < L1 ir D2 ≅ D1, ir L2, bei D2, yra lygiagrečios L1 ir D1, ir n+– srities 4 įterpimo į p– sluoksnį 2* gylis h2 < dep, ir skirtumas (dep – h2) = WB. Epitaksiniame p– sluoksnyje 2* kraštinių L(1; 2) kryptimi virš n+– srities 5 galų yra suformuotos atitinkamos papildomos n+– sritys 5.1 ir 5.2 su atitinkamais kontaktais-išvadais 5.1 ir 5.2, ir n+– sričių 5.1 ir 5.2 įterpimo į epitaksinį p– sluoksnį 2* gylis h3 > dep, ir n+– sritys 5.1 ir 5.2 susilieja su n+– sritimi 5. Tarp atitinkamų šalia esančių n+– sričių 5.1 ir 4, bei 5.2 ir 4, epitaksiniame p– sluoksnyje 2* yra suformuotos atitinkamos p+– sritys 2.1 ir 2.2 su atitinkamais kontaktais-išvadais 2.1 ir 2.2, ir p+– sričių 2.1 ir 2.2 įterpimo į epitaksinį p– sluoksnį 2* gylis h4 ≤ h2. Šalia n+– sričių 5.1, 5.2, 4 ir p+– sričių 2.1 ir 2.2, iš abiejų pusių epitaksiniame p– sluoksnyje 2* yra suformuotos atitinkamos n– sritys 1 ir 3 su atitinkamais kontaktais-išvadais 1.1 ir 3.1, ir n– sričių 1 ir 3 įterpimo į epitaksinį p– sluoksnį 2* gylis h5 > dep + h1, ir n– sritys 1 ir 3 yra suformuotos atitinkamais atstumais l(1; 2) nuo atitinkamų n+– sričių 5.1, 5.2, 4 ir p+– sričių 2.1 ir 2.2.
[0010] Analogo trūkumams pašalinti stiprintuvas dažnių ω in (1–4) maišiklis yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su dviejų diodų D(1; 2) ir n+–p–n+ laidumo DT dariniais, turinčiais atitinkamus kontaktus-išvadus: Kt(1; 2), B1-A1, B2-A2, E ir K. DFPĮ bendrieji kontaktai-išvadai B(1; 2)-A(1; 2) per atitinkamus kondensatorius C(1; 2) – pirmąjį C1 ir antrąjį C2, yra sujungti su atitinkamais įtaiso įėjimų gnybtais Uin (1; 2) – pirmąjį Uin 1 ir antrąjį Uin 2, ir kartu per atitinkamus rezistorius R(1; 2) – pirmąjį R1 ir antrąjį R2 – su "žeme" – įtaiso nulinio potencialo šina, ir kartu per atitinkamus rezistorius R(3; 4) – trečiąjį R3 ir ketvirtąjį R4 – su pastovios įtampos εo maitinimo šaltinio teigiamo poliškumo gnybtu "+", o neigiamo poliškumo gnybtas "–" – su "žeme". D(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai Kt(1; 2) per atitinkamus kondensatorius C(3; 4) – trečiąjį C3 ir ketvirtąjį C4, yra sujungti su atitinkamais įtaiso įėjimų gnybtais Uin (3; 4) – trečiuoju Uin 3 ir ketvirtuoju Uin 4, ir kartu per atitinkamus rezistorius R(5; 6) – penktąjį R5 ir šeštąjį R6 – su "žeme", ir kartu per atitinkamus rezistorius R(7; 8) – septintąjį R7 ir aštuntąjį R8 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+". DT kontaktas-išvadas K per penktąjį kondensatorių C5 yra sujungtas su įtaiso pirmojo išėjimo gnybtu Uiš 1 ir kartu per pirmąjį apkrovos rezistorių Ra 1 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", o kontaktas-išvadas E per šeštąjį kondensatorių C6 – su įtaiso antrojo išėjimo gnybtu Uiš 2 ir kartu per antrąjį apkrovos rezistorių Ra 2 – su "žeme".
[0011] Analogo trūkumams pašalinti impulsų formuotuvas yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su dviejų diodų D(1; 2) ir n+–p–n+ laidumo DT dariniais, turinčiais atitinkamus kontaktus-išvadus: Kt(1; 2), B1-A1, B2-A2, E ir K. DFPĮ bendrieji kontaktai-išvadai B(1; 2)-A(1; 2) per atitinkamus C(1; 2) yra sujungti su atitinkamais gnybtais Uin (1; 2) ir kartu per atitinkamus R(1; 2) – su "žeme". D(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai Kt(1; 2) per atitinkamus R(3; 4) yra sujungti su "žeme" ir kartu per atitinkamus R(5; 6) – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme". DT kontaktas-išvadas K per C3 yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 1 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", o kontaktas-išvadas E per C4 – su gnybtu Uiš 2 ir kartu per Ra 2 – su "žeme".
[0012] Analogo trūkumams pašalinti impulsų formuotuvas yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su dviejų diodų D(1; 2) ir n+–p–n+ laidumo PT, arba DT, dariniais, turinčiais atitinkamus kontaktus-išvadus: Kt(1; 2), B1-A1, B2-A2, E ir K. DFPĮ bendrieji kontaktai-išvadai B(1; 2)-A(1; 2) yra laisvi, o D(1; 2) kontaktai-išvadai Kt(1; 2) per R(1; 2) yra sujungti su transformatoriaus (Tr) antrinės apvijos (II) išvadais, kai Tr pirminės apvijos (I) išvadai – su gnybtu Uin 1 ir – su "žeme". PT, arba DT, kontaktas-išvadas K per C1 yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 1 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", ir kontaktas-išvadas E per C2 – su gnybtu Uiš 2 ir kartu per Ra 2 – su "žeme".
[0013] Analogo trūkumams pašalinti impulsų formuotuvas yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su dviejų diodų D(1; 2) ir n+–p–n+ laidumo PT, arba DT, dariniais, turinčiais atitinkamus kontaktus-išvadus: Kt(1; 2), B1-A1, B2-A2, E ir K. D(1; 2) kontaktai-išvadai Kt(1; 2) yra laisvi, o DFPĮ bendrieji kontaktai-išvadai B(1; 2)-A(1; 2) per R(1; 2) yra sujungti su Tr apvijos II išvadais, kai Tr apvijos I išvadai – su gnybtu Uin 1 ir – su "žeme". PT, arba DT, kontaktas-išvadas K per C1 yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 1 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", ir kontaktas-išvadas E per C2 – su gnybtu Uiš 2 ir kartu per Ra 2 – su "žeme".
[0014] Analogo trūkumams pašalinti relaksacinių virpesių generatorius yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su dviejų diodų D(1; 2) ir n+–p–n+ laidumo PT, arba DT, dariniais, turinčiais atitinkamus kontaktus-išvadus: Kt(1; 2), B1-A1, B2-A2, E ir K. DFPĮ bendrieji kontaktai-išvadai B(1; 2)-A(1; 2) yra laisvi, o D(1; 2) kontaktai-išvadai Kt(1; 2) per C2 yra sujungti su "žeme" ir kartu – su PT kontaktu-išvadu K, kuris per C1 – su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 1 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", ir PT kontaktas-išvadas E – su "žeme".
[0015] DFPĮ darinys ir jo konstrukcijų variantai su atitinkamais schemotechniniais žymenimis yra parodyti Fig. 1, a, b. Fig. 2, a ir b, yra parodyti planarinės (paviršinės) technologijos būdu suformuoto "horizontalios" konstrukcijos DFPĮ atitinkamai vaizdas iš "viršaus" su atitinkamais kontaktais-išvadais, ir vertikalus pjūvis, Fig. 3, a–c, yra parodytas planarinės (paviršinės) technologijos būdu suformuoto "vertikalios" konstrukcijos DFPĮ vertikalus pjūviai ir atitinkamas planarinis vaizdas iš "viršaus" su atitinkamais kontaktais-išvadais. Fig. 4–Fig. 8 yra parodytos įvairios elektroninės schemos su DFPĮ, o Fig. 9–Fig. 11 yra parodytos atitinkamų schemų su DFPĮ įėjimuose Uin (1; 2; ...) ir išėjimuose Uiš (1; 2) veikiančių atitinkamų signalų u(in, iš) (1; 2; ...) (t) laikinės t diagramos. Fig. 1–Fig. 3 skaičiais ir simboliais yra pažymėta: 1–3 – atitinkamai pirmasis (1)– trečiasis (3), pavyzdžiui, n+–p–n+ laidumų puslaidininkiniai sluoksniai; 1.1, (2.1, 2.2) ir 3.1 – atitinkamai sluoksnių 1–3 atitinkami ominiai kontaktai-išvadai: Kt1, (B(1; 2)) ir Kt2; 4–7 – n+– sričių pora p– sluoksnyje 2; 4.1 ir 5.1 – atitinkamų n+– sričių 4 ir 5 atitinkami ominiai kontaktai-išvadai: K (E) ir E (K); 6 – termolaidus dielektrinis padėklas; 7.1 ir 7.2 – izoliuojančios n– sritys. Fig. 4–Fig. 8 skaičiais ir simboliais yra pažymėta: 1–8 – rezistoriai R(1–8): pirmasis (R1)–aštuntasis (R8); 9 ir 10 – apkrovų rezistoriai Ra (1; 2): pirmasis (Ra 1) ir antrasis (Ra 2); 11–16 – kondensatoriai C(1–6): pirmasis (C1)–šeštasis (C6); 17 – maitinimo pastoviosios įtampos εo šaltinis; 18 – "žeme" – įtaiso nulinio potencialo šina; 19–22 – įtaiso įėjimų gnybtai Uin (1–4): pirmasis (Uin 1)–ketvirtasis (Uin 4); 23 ir 24 – įtaiso išėjimų gnybtai Uiš (1; 2): pirmasis (Uiš 1) ir antrasis (Uiš 2); 25–27 – transformatorius (Tr) ir jo apvijos, atitinkamai pirmoji (I) ir antroji (II).
[0016] DFPĮ (Fig. 1, a) pirmasis variantas (Fig. 1, b) yra sudarytas iš trijų besikeičiančio laidumo tipo, pavyzdžiui, n+–p–n+ puslaidininkinių sluoksnių, atitinkamai 1–3, su atitinkamais kontaktais-išvadais: 1.1, 2.(1; 2) ir 3.1, kurie atitinkamai yra pirmojo diodo D1 – n+–p sandūros 1-2 katodas Kt1, DT arba PT, darinio n+–p–n+ (4-2-5) p– bazės B kontaktai-išvadai B(1; 2) su atitinkamomis p+–sritimis 2.1 ir 2.2, ir antrojo diodo D2 – n+–p sandūros 3-2 katodas Kt2. Tarp p+– sričių 2.1 ir 2.2 p– sluoksnyje 2 yra suformuotos dvi vienodos n+– sritys 4 ir 5, su atitinkamais kontaktais-išvadais 4. 1 ir 5.1. Atstumas tarp n+– sričių 4 ir 5 yra WB < LB, ir jos kartu yra patalpintos atstumu l1 nuo n+– sluoksnio 1 ir atstumu l2 nuo n+– sluoksnio 3, kai yra tenkinamos sąlygos: dpn (1-2; 3-2) 0 < l(1; 2) < dpn (1-2; 3-2) max, ir kontaktai-išvadai 4.1 ir 5.1 yra atitinkamai DT, arba PT, darinio kolektorius K ir emiteris E, arba atvirkščiai – E ir K. Kontaktai-išvadai B(1; 2) ir A(1; 2) sudaro DFPĮ atitinkamus bendruosius kontaktus-išvadus B(1; 2)-A(1; 2). Atitinkami n+– sluoksniai ir sritys (1; 3–5) yra stipriai legiruotos donorinėmis priemaišomis Nd (1; 3–5) = (1019–1021) cm–3, o p– sluoksnis 2 yra padarytas vidutiniškai stipriai legiruotas akceptorinėmis priemaišomis Na 2 = (1017–1019) cm–3.
[0017] DFPĮ (Fig. 1, a) antrasis variantas (Fig. 1, b) yra sudarytas analogiškai pirmajam variantui, tačiau su sąlyga: dpn (4-2; 5-2) max > WB > LB, ir taip yra sudarytas n+–p–n+ laidumo PT darinys 4-2-5.
[0018] DFPĮ abiejų variantų konstrukcija yra padaryta planarinės (paviršinės) technologijos būdu "horizontalios" konstrukcijos (Fig. 2, a ir b), kurioje, pavyzdžiui, ant dielektrinio šilumai laidaus padėklo 6 yra suformuotas stačiakampio formos epitaksinis dep storio, D pločio ir L ilgio p– sluoksnis 2, kurio priešinguose kraštuose išilgai L per visą p– sluoksnio 2 storį dep yra suformuotos dvi stačiakampės n+– sritys 1 ir 3 su atitinkamais kontaktais-išvadais 1.1 ir 3.1, ir n+– sričių 1 ir 3 kraštinės yra lygiagrečios L i D kraštinėms. Viduryje tarp n+– sričių 1 ir 3 per visą storį dep yra suformuotos dvi vienodos stačiakampės n+– sritys 4 ir 5 su atitinkamais kontaktais-išvadais 4.1 ir 5.1. Tarp n+– sričių 4 ir 5 atstumas WB < LB, kai DFPĮ yra su DT dariniu, ir kitame variante: dpn (4-2; 5-2) max > WB > LB, kai DFPĮ yra su PT dariniu, ir kartu n+– sritys 4 ir 5 yra patalpintos atstumu l1 < dpn 1-2 max, ir kartu l1 > dpn 1-2 0, nuo n+– srities 1, ir kartu atstumu l2 < dpn 3-2 max, ir kartu l2 > dpn 3-2 0, nuo n+– srities 3. Šalia n+– sričių 1 ir 4, arba 1 ir 5, bei 3 ir 4, arba 3 ir 5, p– sluoksnyje 2 per visą storį dep yra suformuotos atitinkamos stačiakampės p+– sritys 2.1 ir 2.2 su atitinkamais kontaktais-išvadais 2.1 ir 2.2, ir p+– sričių 2.1 ir 2.2 kraštinės yra lygiagrečios L i D kraštinėms. Tarp p+– sričių 2.1 ir 2.2 p– sluoksnyje 2 per visą storį dep yra suformuota pirmoji izoliuojanti n– sritis 7.1, kurios ilgis D kryptimi yra padarytas nuo n+– srities 4, arba 5, iki šalia esančios p– sluoksnio L kraštinės, ir taip pat tarp n+– srities 5, arba 4, ir šalia esančios p– sluoksnio L kraštinės p– sluoksnyje 2 per visą storį dep yra suformuota antroji izoliuojanti n– sritis 7.2, kurios ilgis D kryptimi yra padarytas nuo n+– srities 5, arba 4, iki šalia esančios p– sluoksnio L kraštinės.
[0019] DFPĮ abiejų variantų konstrukcija yra padaryta planarinės (paviršinės) technologijos būdu "vertikalios" konstrukcijos (Fig. 3), kurioje, pavyzdžiui, dp storio p– laidumo puslaidininkinio kristalo 2 – įtaiso padėklo 2 paviršiuje simetriškai centre yra suformuota stačiakampė n+– sritis 5, kurios ilgoji kraštinė – ilgis L1 > D1 – trumpoji kraštinė – plotis, ir L1, bei D1, yra lygiagrečios p– kristalo 2 kraštinėms, ir n+– srities 5 įterpimo į p– kristalą 2 gylis h1 <
[0020] < dp. Ant p– kristalo 2 ir n+– srities 5 paviršių yra suformuotas dep storio epitaksinis p– sluoksnis 2*, kurio paviršiuje virš n+– srities 5 yra suformuota stačiakampė n+– sritis 4 su kontaktu-išvadu 4.1 ir atitinkamomis atitinkamai lygiagrečiomis kraštinėmis L2 < L1 ir D2 ≅ D1, ir n+– srities 4 įterpimo į p– sluoksnį 2* gylis h2 < dep, o skirtumas (dep – h2) = WB. Epitaksiniame p– sluoksnyje 2* kraštinių L(1; 2) kryptimi virš n+– srities 5 atitinkamų galų yra suformuotos atitinkamos papildomos n+– sritys 5.1 ir 5.2 su atitinkamais kontaktais-išvadais 5.1 ir 5.2, ir n+– sričių 5.1 ir 5.2 įterpimo į epitaksinį p– sluoksnį 2* gylis h3 > dep, ir n+– sritys 5.1 ir 5.2 susilieja su n+– sritimi 5. Tarp atitinkamų šalia esančių n+– sričių 5.1 ir 4, bei 5.2 ir 4, epitaksiniame p– sluoksnyje 2* yra suformuotos atitinkamos p+– sritys 2.1 ir 2.2 su atitinkamais kontaktais-išvadais 2.1 ir 2.2, ir p+– sričių 2.1 ir 2.2 įterpimo į epitaksinį p– sluoksnį 2* gylis h4 ≤ h2. Šalia n+– sričių 5.1, 5.2, 4 ir p+– sričių 2.1 ir 2.2, iš abiejų pusių epitaksiniame p– sluoksnyje 2* yra suformuotos atitinkamos n– sritys 1 ir 3 su atitinkamais kontaktais-išvadais 1.1 ir 3.1, ir n– sričių 1 ir 3 įterpimo į epitaksinį p– sluoksnį 2* gylis h5 > dep + h1, ir n– sritys 1 ir 3 yra suformuotos atitinkamais atstumais l(1; 2) nuo atitinkamų n+– sričių 5.1, 5.2, 4 ir p+– sričių 2.1 ir 2.2.
[0021] Stiprintuvas dažnių ω (1–4) maišiklis (Fig. 4) yra padarytas su pirmojo varianto DFPĮ, turinčio dviejų diodų D(1; 2) ir n+–p–n+ laidumo DT darinius su atitinkamais kontaktais-išvadais: Kt(1; 2) (1.1; 3.1), B(1; 2)-A(1; 2) (2.1; 2.2), E (5.1) ir K (4.1). DFPĮ bendrieji kontaktai-išvadai B(1; 2)-A(1; 2) (2.1; 2.2) per atitinkamus C(1; 2) (11; 12) yra sujungti su atitinkamais gnybtais Uin (1; 2) (19; 20) ir kartu per atitinkamus R(1; 2) (1; 2) – su "žeme" 18, ir kartu per atitinkamus R(3; 4) (3; 4) – su įtampos εo šaltinio 17 gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme" 18. D(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai Kt(1; 2) (1.1; 3.1) per atitinkamus C(3; 4) (13; 14) yra sujungti su atitinkamais gnybtais Uin (3; 4) (21; 22) ir kartu per atitinkamus R(5; 6) (5; 6) – su "žeme" 18, ir kartu per atitinkamus R(7; 8) (7; 8) – su įtampos εo šaltinio 17 gnybtu "+". DT kontaktas-išvadas K (4.1) per C5 (15) yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 (23) ir kartu per Ra 1 (9) – su įtampos εo šaltinio 17 gnybtu "+", o kontaktas-išvadas E (5.1) per C6 (16) – su gnybtu Uiš 2 (24) ir kartu per Ra 2 (10) – su "žeme" 18.
[0022] Impulsų formuotuvas (Fig. 5) yra padarytas su pirmojo varianto DFPĮ, turinčio dviejų diodų D(1; 2) ir n+–p–n+ laidumo DT darinius su atitinkamais kontaktais-išvadais: Kt(1; 2) (1.1; 3.1), B(1; 2)-A(1; 2) (2.1; 2.2), E (5.1) ir K (4.1). DFPĮ bendrieji kontaktai-išvadai B(1; 2)-A(1; 2) (2.1; 2.2) per atitinkamus C(1; 2) (11; 12) yra sujungti su atitinkamais gnybtais Uin (1; 2) (19; 20) ir kartu per atitinkamus R(1; 2) (1; 2) – su "žeme" 18. D(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai Kt(1; 2) (1.1; 3.1) per atitinkamus R(3; 4) (3; 4) yra sujungti su "žeme" 18 ir kartu per atitinkamus R(5; 6) (5; 6) – su įtampos εo šaltinio 17 gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme" 18. DT kontaktas-išvadas K (4.1) per C3 (13) yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 (23) ir kartu per Ra 1 (9) – su įtampos εo šaltinio 17 gnybtu "+", o kontaktas-išvadas E (5.1) per C4 (14) – su gnybtu Uiš 2 (24) ir kartu per Ra 2 (10) – su "žeme" 18.
[0023] Impulsų formuotuvas (Fig. 6) yra padarytas su antrojo varianto DFPĮ, turinčio dviejų diodų D(1; 2) ir n+–p–n+ laidumo PT darinius su atitinkamais kontaktais-išvadais: Kt(1; 2) (1.1; 3.1), B(1; 2)-A(1; 2) (2.1; 2.2), E (5.1) ir K (4.1). DFPĮ bendrieji kontaktai-išvadai B(1; 2)-A(1; 2) (2.1; 2.2) yra laisvi, o D(1; 2) kontaktai-išvadai Kt(1; 2) (1.1; 3.1) per R(1; 2) (1; 2) yra sujungti su Tr (25) apvijos II (27) išvadais, kai Tr (25) apvijos I (26) išvadai – su gnybtu Uin 1 (19) ir – su "žeme" 18. PT kontaktas-išvadas K (4.1) per C1 (11) yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 (23) ir kartu per Ra 1 (9) – su įtampos εo šaltinio 17 gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme" 18, ir kontaktas-išvadas E (5.1) per C2 (12) – su gnybtu Uiš 2 (24) ir kartu per Ra 2 (10) – su "žeme" 18.
[0024] Impulsų formuotuvas su antrojo varianto DFPĮ, turinčio dviejų diodų D(1; 2) ir n+–p–n+ laidumo PT darinius su atitinkamais kontaktais-išvadais: Kt(1; 2) (1.1; 3.1), B(1; 2)-A(1; 2) (2.1; 2.2), E (5.1) ir K (4.1). D(1; 2) kontaktai-išvadai Kt(1; 2) (1.1; 3.1) yra laisvi, o DFPĮ bendrieji kontaktai-išvadai B(1; 2)-A(1; 2) (2.1; 2.2) per R(1; 2) (1; 2) yra sujungti su Tr (25) apvijos II (27) išvadais, kai Tr (25) apvijos I (26) išvadai – su gnybtu Uin 1 (19) ir – su "žeme" 18. PT kontaktas-išvadas K (4.1) per C1 (11) yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 (23) ir kartu per Ra 1 (9) – su įtampos εo šaltinio 17 gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme" 18, ir kontaktas-išvadas E (5.1) per C2 (12) – su gnybtu Uiš 2 (24) ir kartu per Ra 2 (10) – su "žeme" 18.
[0025] Relaksacinių virpesių generatorius su antrojo varianto DFPĮ, turinčio dviejų diodų D(1; 2) ir n+–p–n+ laidumo PT, arba DT, darinius su atitinkamais kontaktais-išvadais: Kt(1; 2) (1.1; 3.1), B(1; 2)-A(1; 2) (2.1; 2.2), E (5.1) ir K (4.1). DFPĮ bendrieji kontaktai-išvadai B(1; 2)-A(1; 2) (2.1; 2.2) yra laisvi, o D(1; 2) kontaktai-išvadai Kt(1; 2) (1.1; 3.1) per C2 (12) yra sujungti su "žeme" 18 ir kartu – su PT kontaktu-išvadu K (4.1), kuris per C1 (11) – su gnybtu Uiš 1 (23) ir kartu per Ra 1 (9) – su įtampos εo šaltinio 17 gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme" 18, ir PT kontaktas-išvadas E (5.1) – su "žeme" 18.
[0026] Stiprintuvas-dažnių ω in (1–4) maišiklis (Fig. 4) su pirmojo varianto DFPĮ (Fig. 1, a, b–Fig. 3) veikia tokiu būdu.
[0027] Įjungia maitinimo šaltinio 17 įtampą εo ir DT veikos tašką "c" – {IK o, UKE o} išėjimo voltamperinėje charakteristikoje (VACh) nustato apkrovos (Ra 1 + Ra 2) tiesės viduryje, kai DT veikia bendro emiterio (BE) arba emiterinio kartotuvo (EK) veikose, čia: IK o ir UKE o – DT kolektoriaus K (4.1) srovės ir kontaktų-išvadų K-E (4.1; 5.1) įtampa veikos taške "c", ir tuo tikslu parenka įtampos εo vertę, bei rezistorinių daliklių R(1; 2)||R(3; 4) (1–4) atitinkamas dalinimo vertes k1 = k2 = R(1; 2) /(R(1; 2) + R(3; 4)), esant pasirinktoms Ra (1; 2) (9; 10) vertėms, ir taip pat rezistorinių daliklių R(5; 6)||R(7; 8) (5–8) atitinkamas dalinimo vertes k3 = k4 = R(5; 6) /(R(5; 6) + R(7; 8)).
[0028] Kai poveikio signalą u in (1; 2) (t) = Uo in (1; 2)•sin (ω in (1; 2)•t), čia: Uo in (1; 2) – amplitudės;
[0029] ω in (1; 2) – cikliniai dažniai, paduoda tik į atitinkamą gnybtą Uin (1; 2) (19; 20), tai šiuo atveju gnybtuose Uiš (1; 2) (23; 24) atitinkami signalai u iš (1; 2) (t) ≅ Ku (1; 2) (1; 2)•u in (1; 2) (t) ir atitinkami diferencialiniai stiprinimo koeficientai Ku (1; 2) (1; 2) yra:
[0030]
[0031] čia: Uo iš (1; 2) – gnybte Uiš (1; 2) (23; 24) įtampos u iš (1; 2) (t) amplitudė; S = IK /φ T – DT diferencialinis statumas, čia: φ T – temperatūrinis koeficientas, ir iš čia, kai: Ra 1 10 kΩ, Ra 2 = 1 kΩ, IK = 10 mA ir φ T = 0,026 V, gauname Ku 1 (1; 2) ≅ 3,85•103, o srovės diferencialinis stiprinimo koeficientas Ki 1 (1; 2) ≅ β ≅ β o ≡ 100 – DT bazės B pastoviosios srovės IB stiprinimo koeficiento priimta vertė (IK = β o•IB), ir iš čia galios Piš 1 (1; 2) diferencialinis stiprinimo koeficientas Kp 1 (1; 2) = Ku 1 (1; 2)•Ki 1 (1; 2) ≅ 3,85•105.
[0032] Gnybte Uiš 2 (24) įtampos diferencialinis stiprinimo koeficientas Ku 2 (1; 2) ≅ 1, nes DT veikia EK pakopoje, srovės diferencialinis stiprinimo koeficientas Ki 2 (1; 2) ≅ β ≅ β o ≡ 100 ir galios Piš 2 (1; 2) diferencialinis stiprinimo koeficientas Kp 2 (1; 2) ≅ 100.
[0033] Kai poveikio signalą u in (3; 4) (t) = Uo in (3; 4)•sin (ω in (3; 4)•t), čia: Uo in (3; 4) – amplitudės;
[0034] ω in (3; 4) – cikliniai dažniai, paduoda tik į atitinkamą gnybtą Uin (3; 4) (21; 22), tai šiuo atveju gnybtuose Uiš (1; 2) (23; 24) atitinkami signalai u iš (1; 2) (3; 4) (t) ≅ Ku (1; 2) (3; 4)•u in (3; 4) (t) ir atitinkami diferencialiniai stiprinimo koeficientai Ku (1; 2) (3; 4) yra:
[0035]
[0036] čia: S* ≈ ΔRb'b /RB o – DT bazės B (2) varžos RB pokyčio ΔRb'b diferencialinis statumas, čia: RB o – varžos RB vertė veikos taške "c", ir pokytis ΔRb'b atsiranda dėl diodų D(1; 2) atitinkamų p–n+ sandūrų 2-1 ir 2-3 nuskurdintų sričių p– sluoksnyje 2 storių dpn (1; 3) kitimo, kurį lemia atitinkamų įtampų u in (3; 4) (t) poveikis, ir kartu pokytis ΔRb'b lemia DT bazės B (2) srovių iB (1; 2) (t) atitinkamuose kontaktuose-išvaduose B1 (2.1) ir B2 ( 2.2) atitinkamus pokyčius ΔIB (1; 2) ~
[0037] ~ 1/ΔRb'b.
[0038] Schemos Fig. 4 gnybtuose Uiš (1; 2) (23; 24) atitinkamų signalų u iš (1; 2) (t) fazės φ iš (1; 2) o atžvilgiu atitinkamų signalų u in (1–4) (t) gnybtuose Uin (1–4) (19–22) yra:
[0039]
[0040] o atitinkamų signalų u iš (1; 2) (t) atitinkamos amplitudės Uo iš (1; 2) yra:
[0041]
[0042] čia: UKE s ir RKE s – liekamoji soties įtampa ir varža tarp kontaktų-išvadų K (4.1) ir E (5.1) "visiškai atidarytame" DT.
[0043] Kai schemoje (Fig. 4) poveikių signalus u in (1–4) (t) = Uo in (1–4)•sin (ω in (1–4)•t) paduoda kartu į du, arba tys, arba į visus atitinkamus gnybtus Uin (1–4) (19–22), tai šiais atvejais schema (Fig. 4) veikia kaip signalų u in (1–4) (t) maišiklis ir gnybtuose Uiš (1; 2) (23; 24) yra formuojami neharmoniniai sudėtinio spektro atitinkami sustiprinti signalai u iš (1; 2) [1-(2; 3; 4)] (t), nes šiuo atveju DT diferencialiniai statumai S ir S* yra signalų u in (1–4) (t) funkcijos, ir iš čia signalų
[0044] u iš (1; 2) [1-(2; 3; 4)] (t) harmonikas sudaro atitinkami kombinaciniai dažniai ω iš (1; 2) (1–4) k :
[0045]
[0046] čia: n, m, e, v = 1; 2; 3;… , ir tai praplečia įtaiso funkcines savybes.
[0047] Impulsų formuotuvas (Fig. 5) su pirmojo varianto DFPĮ (Fig. 1, a, b–Fig. 3) veikia tokiu būdu.
[0048] Įjungia maitinimo šaltinio 17 įtampą εo ir DT veikos tašką "a" – {Is K, εo} išėjimo VACh nustato apkrovos (Ra 1 + Ra 2) tiesės atkirtos taške "a" – DT veikia BE (arba EK) schemose ir yra "išjungtoje" – "uždarytoje" būsenoje, kurioje DT, kartu ir PT, kontaktų-išvadų K-E (4.1; 5.1) varža RKE (t) = RKE max = (0,1–1) MΩ, ir daugiau. Nustato rezistorinių daliklių R(3; 4)||R(5; 6) (3–6) atitinkamas dalinimo vertes k1 = k2 = R(3; 4) /(R(3; 4) + R(5; 6)).
[0049] Kai laiko t momentu to = 0 poveikio signalą u in (1; 2) (t) = Uo in (1; 2)•sin (ω in (1; 2)•t) (Fig. 9, a), čia: Uo in (1; 2) – amplitudės; ω in (1; 2) – cikliniai dažniai, paduoda tik į atitinkamą gnybtą Uin 1 (19) arba – tik į atitinkamą gnybtą Uin 2 (20), tai šiais atvejais teigiamo pusperiodžio metu signalai Uo in (1; 2) > u in (1; 2) (t) > 0 – didėja, ir todėl DT yra "atidaromas", ir laiko momentu t1 yra "visiškai atidaromas" – yra "įjungtoje" – "atidarytoje" būsenoje, kurioje RKE (t) = RKE min =
[0050] = (1–10) Ω, ir mažiau, ir gnybtuose Uiš (1; 2) (23; 24) yra formuojami atitinkamų impulsinių signalų u iš (1; 2) (t) atitinkami frontai t(f 1, r 2) (Fig. 9, b ir c, čia diagramos u iš (1; 2) (t) yra parodytos nesant C(3; 4 ) (13; 14). Laiko momentu t2 ≥ T(1; 2) /4, čia: T(1; 2) = 2•π /ω in (1; 2) – periodai, signalai Uo in (1; 2) > u in (1; 2) (t) > 0 – mažėja, ir todėl DT yra "uždaromas", ir laiko momentu t2 yra "visiškai uždaromas" – yra "išjungtoje" – "uždarytoje" būsenoje, ir šio proceso metu gnybtuose Uiš (1; 2) (23; 24) yra formuojami atitinkamų impulsinių signalų u iš (1; 2) (t) atitinkami frontai t(r 1, f 2) (Fig. 9, b ir c). Laiko momentu t3 ≥ T(1; 2) /2 signalai |–Uo in (1; 2)| > u in (1; 2) (t) < 0 – mažėja, ir todėl DT iki laiko momento t3 ≤ 3•T(1; 2) /2 yra "uždarytoje" būsenoje, ir laiko momentu t3, kai
[0051] |–u in (1; 2) (t3)| ≥ Us – slenkstinė įtampa, kai įvyksta n+–p sandūrų 1-2 ir 3-2 (Fig. 1, a) atitinkamų nuskurdintų sričių p– sluoksnyje 2 sąlytis (susiliejimas) su atitinkamų n+– sričių 4 ir 5 atitinkamų n+–p sandūrų 4-2 ir 5-2 atitinkamomis nuskurdintomis sritimis, DT santykinai sparčiai – per 1 ns, ir sparčiau, "persijungia" į "atidarytą" būseną, ir šio proceso metu gnybtuose Uiš (1; 2) (23; 24) yra formuojami atitinkamų impulsinių signalų u iš (1; 2) (t) atitinkami frontai t(f 1, r 2) (Fig. 9, b ir c). Laiko momentu t4, kai |–u in (1; 2) (t4)| ≤ Us, DT santykinai sparčiai – per 1 ns, ir sparčiau, "persijungia" į "uždarytą" būseną, ir šio proceso metu gnybtuose Uiš (1; 2) (23; 24) yra formuojami atitinkamų impulsinių signalų u iš (1; 2) (t) atitinkami frontai t(r 1, f 2) (Fig. 9, b ir c). Laiko momentu t5 ≥ T(1; 2), kai u in (1; 2) (t) > 0, DT yra "atidaromas" ir procesai kartojasi – gnybtuose Uiš (1; 2) (23; 24) yra formuojami atitinkami impulsiniai signalai u iš (1; 2) (t) su atitinkamais dažniais ω iš (1; 2) = 2•ω in (1; 2), ir su atitinkamomis amplitudėmis Uo iš (1; 2):
[0052]
[0053] čia: UKE s ir RKE s – liekamoji soties įtampa ir varža "atidarytame" DT tarp atitinkamų kontaktų-išvadų K (4.1) ir E (5.1).
[0054] Schemos Fig. 5 gnybtuose Uiš (1; 2) (23; 24) atitinkamų signalų u iš (1; 2) (t) fazės φ iš (1; 2) o atžvilgiu atitinkamų signalų u in (1; 2) (t) gnybtuose Uin (1; 2) (19; 20) yra:
[0055]
[0056] Kai schemoje (Fig. 5) poveikių signalus u in (1; 2) (t) = Uo in (1; 2)•sin (ω in (1; 2)•t) su amplitudėmis Uo in (1; 2) < Us paduoda kartu į abu gnybtus Uin (1; 2) (19; 20), tai šiuo atveju schema (Fig. 5) veikia kaip signalų u in (1; 2) (t) maišiklis ir gnybtuose Uiš (1; 2) (23; 24) yra formuojami neharmoniniai sudėtinio spektro atitinkami sustiprinti signalai u iš (1; 2) (1-2) (t), nes šiuo atveju DT statumai S ir S* yra signalų u in (1; 2) (t) funkcijos, ir iš čia signalų u iš (1; 2) (1-2) (t) harmonikas sudaro atitinkami kombinaciniai dažniai ω iš (1; 2) (1-2) k :
[0057]
[0058] čia: n, m = 1; 2; 3;… , ir tai praplečia įtaiso funkcines savybes.
[0059] Iš Fig. 9, b ir c, matome, kad impulsų u iš (1; 2) (t) atitinkamų pusperiodžių trukmės
[0060] (t(1; 3; 5; ...) – t(2; 4; 6; ...)) priklauso nuo "atidarytose" būsenoje DT "įsitinimo" koeficiento Ks =
[0061] = iB(1; 2) s (t) /IB(1; 2) o, čia: IB(1; 2) o – DT bazės B (2) kontaktų-išvadų B(1; 2) (2.1; 2.2) srovių iB(1; 2) (t) vertės, kai kontaktuose-išvaduose K-B(1; 2) (4.1; (2.1; 2.2)) įtampos UK-B(1; 2) ≅ 0; iB(1; 2) s (t) ≥
[0062] ≥ IB(1; 2) o – srovių iB(1; 2) (t) vertės, kai UK-B(1; 2) ≅ < 0, ir, kai Ks ≤ 1, trukmės (t(1; 3; 5; ...) – t(2; 4; 6; ...)) yra minimalios, o kai Ks > 1, trukmės (t(1; 3; 5; ...) – t(2; 4; 6; ...)) padidėja nepusiausvyrinių šalutinių krūvininkų np išsiurbimo iš DT bazės delsos laiku ts ~ Ks > 1, ir tai Fig. 9, b ir c, yra parodyta taškinėmis kreivėmis. Trukme ts sumažina padidindami koeficientų k1 = k2 vertes, nes tai, dėl dioduose D(1; 2) padidėjusių n+–p sandūrų 1-2 ir 3-1 nuskurdintų sričių p– sluoksnyje 2 storių dpn (1; 3), lemia spartesnį krūvininkų np išsiurbimą iš DT bazės B (2).
[0063] Impulsų formuotuvas (Fig. 6) su antrojo varianto DFPĮ (Fig. 1, a, b–Fig. 3) veikia tokiu būdu.
[0064] Įjungia maitinimo šaltinio 17 įtampą εo ir PT veikos tašką "a" – {Is K, εo} išėjimo VACh nustato apkrovos (Ra 1 + Ra 2) tiesės atkirtos taške "a" – PT veikia BE (arba EK) schemose "rakto" veikoje, kai PT iš pradinės (to = 0) "išjungtos" – "uždarytos" būsenos santykinai sparčiai – per 1 ns, ir sparčiau, yra "perjungiamas" į "įjungtą" – "atidarytą" būseną, ir atvirkščiai.
[0065] Kai laiko t momentu to = 0 poveikio signalą u in 1 (t) = Uo in 1•sin (ω in 1•t) (Fig. 10, a) paduoda į gnybtą Uin 1 (19), tai Tr (15) apvijos II (27) grandine teka srovė i BB (t) ≅ 0, nes vienas iš D(1; 2) yra "uždarytoje" būsenoje. "Uždaryto" D(1; 2) atitinkamais laikų momentais t(1; 3; 5; ...), kai |± u in 1 (t(1; 3; 5; ...))| ≥ Us, DT santykinai sparčiai – per 1 ns, ir sparčiau, "persijungia" į "atidarytą" būseną, ir šių procesų metu gnybtuose Uiš (1; 2) (23; 24) yra formuojami atitinkamų impulsinių signalų u iš (1; 2) (t) atitinkami frontai t(f 1, r 2) (Fig. 10, b ir c, čia diagramos u iš (1; 2) (t) yra parodytos nesant C(1; 2 ) (11; 12)). "Atidaryto" D(1; 2) atitinkamais laikų momentais t(2; 4; 6; ...), kai |± u in 1 (t(2; 4; 6; ...)| ≤ Us, DT santykinai sparčiai – per 1 ns, ir sparčiau, "persijungia" į "uždarytą" būseną, ir šių procesų metu gnybtuose Uiš (1; 2) (23; 24) yra formuojami atitinkamų impulsinių signalų u iš (1; 2) (t) atitinkami frontai t(r 1, f 2) (Fig. 10, b ir c), ir gnybtuose Uiš (1; 2) (23; 24) yra formuojami atitinkami impulsiniai signalai u iš (1; 2) (t) su atitinkamais dažniais ω iš (1; 2) = = 2•ω in 1, ir su atitinkamomis amplitudėmis Uo iš (1; 2) ((12, (13)), ir atitinkamomis fazėmis φ iš (1; 2) o ((14, (15)), atžvilgiu signalo u in 1 (t) gnybte Uin 1 (19). Šiuo atveju schemoje Fig. 6 nėra delsos laiko
[0066] ts = 0.
[0067] Impulsų formuotuvas (Fig. 7) su antrojo varianto DFPĮ (Fig. 1, a, b–Fig. 3) veikia tokiu būdu.
[0068] Įjungia maitinimo šaltinio 17 įtampą εo ir PT veikos tašką "a" – {Is K, εo} išėjimo VACh nustato apkrovos (Ra 1 + Ra 2) tiesės atkirtos taške "a" – PT veikia BE (arba EK) schemose "rakto" veikoje.
[0069] Kai laiko t momentu to = 0 poveikio signalą u in 1 (t) = Uo in 1•sin (ω in 1•t) (Fig. 10, a) paduoda į gnybtą Uin 1 (19), tai Tr (15) apvijos II (27) grandine teka srovė |i BB (t)| > 0 su amplitude |Io BB| = k Tr•Uo in 1 /RBB > IBB s – PT bazės B (2) kontaktais-išvadais B(1; 2) (2.1; 2.2) tekančios srovės i BB (t) slenkstinė vertė, kai įvyksta atitinkamų n+–p sandūrų 4-2 ir 5-2 (Fig. 1, a) atitinkamų nuskurdintų sričių sąlytis p– sluoksnyje 2, ir todėl PT santykinai sparčiai – per 1 ns ir mažiau, persijungia iš pradinės, kai i BB (t) = 0, "uždarytos" būsenas į "atidarytą" būseną, čia:
[0070] k Tr = n2 /n1 – Tr (25) apvijų II (27) ir I (26) atitinkamų vijų n2 ir n1 skaičių santykis; RBB – PT bazės B (2) kontaktų-išvadų B(1; 2) (2.1; 2.2) momentinė varža. "Uždaryto" PT atitinkamais laikų momentais t(1; 3; 5; ...), kai |± u in 1 (t(1; 3; 5; ...))| ≥ Us ir tai atitinka srovę |i BB (t(1; 3; 5; ...))| ≥ IBB s, PT santykinai sparčiai – per 1 ns, ir sparčiau, "persijungia" į "atidarytą" būseną, ir šių procesų metu gnybtuose Uiš (1; 2) (23; 24) yra formuojami atitinkamų impulsinių signalų u iš (1; 2) (t) atitinkami frontai t(f 1, r 2) (Fig. 10, b ir c, čia diagramos u iš (1; 2) (t) yra parodytos nesant C(1; 2 ) (11; 12)). "Atidaryto" PT atitinkamais laikų momentais t(2; 4; 6; ...), kai |± u in 1 (t(2; 4; 6; ...))| ≤ Us, PT santykinai sparčiai – per 1 ns, ir sparčiau, "persijungia" į "uždarytą" būseną, ir šių procesų metu gnybtuose Uiš (1; 2) (23; 24) yra formuojami atitinkamų impulsinių signalų u iš (1; 2) (t) atitinkami frontai t(r 1, f 2) (Fig. 10, b ir c), ir gnybtuose Uiš (1; 2) (23; 24) yra formuojami atitinkami impulsiniai signalai u iš (1; 2) (t) su atitinkamais dažniais ω iš (1; 2) = 2•ω in 1, ir su atitinkamomis amplitudėmis Uo iš (1; 2) ((12, (13)), ir atitinkamomis fazėmis φ iš (1; 2) o ((14, (15)), atžvilgiu signalo u in 1 (t) gnybte Uin 1 (19). Šiuo atveju schemoje Fig. 7 nėra delsos laiko ts = 0.
[0071] Relaksacinių virpesių generatorius (Fig. 8) su antrojo varianto DFPĮ (Fig. 1, a, b–Fig. 3) veikia tokiu būdu.
[0072] Įjungia maitinimo šaltinio 17 įtampą εo ir PT veikos tašką "a" – {Is K, εo} išėjimo VACh nustato apkrovos Ra 1 tiesės atkirtos taške "a" – PT veikia BE (arba EK) schemose "rakto" veikoje, ir, padedant laiko t momentu to = 0, vyksta C2 (12) įkrovimo procesas (Fig. 11), kurio metu įtampa u C 2 (t) = εo [1 – exp (– t /τ RC)], čia: τ RC = Ra 1•C2 – laiko trukmės konstanta. Laiko momentu t1 įtampa u C 2 (t1) ≥ Us, nes nustatė būtiną veikos sąlygą: εo > Us, ir todėl PT santykinai sparčiai – per 1 ns ir mažiau, persijungia iš pradinės "uždarytos" būsenas į "atidarytą" būseną. Todėl per "atidarytą" PT vyksta santykinai spartus – per 1 ns, ir sparčiau, kondensatoriaus C2 (12) iškrovimo procesas ir įtampa u C 2 (t) = Us•exp (– t /τ*RC)] => 0, čia: τ*RC = RKE min•C2, ir laiko momentu t2 įtampa u C 2 (t2) = UKE s – PT kontaktų-išvadų K-E (4.1; 5.1) liekamoji – soties įtampa. Toliau procesai kartojasi ir schemos (Fig. 8) gnybte Uiš 1 (23) yra formuojami "pjūklo pavidalo" impulsiniai virpesiai u iš 1 (t) (Fig. 11) su amplitude Uo iš 1:
[0073]
[0074] ir su dažniu ω iš 1:
[0075]
[0076] Palyginus su analogu, pasiūlyti DFPĮ variantai pasižymi didesnėmis valdymo funkcinėmis savybėmis, didesne veikimo sparta – perjungimų frontai t(r, f ) ≤ 1 ns, integriniu išpildymu ir galimybe veikti įvairios paskirties elektroniniuose įrenginiuose: stiprintuvuose, impulsų formuotuvuose, dažnio keitikliuose ir maišikliuose.
1. Daugiafunkcinis puslaidininkinis įtaisas (DFPĮ) yra sudarytas iš trijų vidutiniškai stipriai legiruotų besikeičiančio elektroninio (n) ir skylinio (p) laidumo tipo, pavyzdžiui, n–p–n puslaidininkinių sluoksnių (1–3), sudarančių atitinkamai dvi p–n sandūras (1-2) ir (2-3), ir n– sluoksniai (1) ir (3) turi atitinkamus ominius kontaktus-išvadus (1.1) ir (3.1), o p– sluoksnyje (2) priešpriešiais šalia n– sluoksnių (1) ir (3) yra suformuotos dvi vienodos n– sritys (4) ir (5) su atitinkamais kontaktais-išvadais (4.1) ir (5.1), b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad pirmajame DFPĮ variante n+– sluoksniai (1) ir (3) yra padaryti stipriai legiruoti, p– sluoksnyje (2) atstumu WB < < LB – šalutinių krūvininkų – elektronų (np) p– sluoksnyje 2 difuzijos nuotolis, viena nuo kitos yra suformuotos dvi stipriai legiruotos n+– sritis (4) ir (5) su atitinkamais kontaktais-išvadais (4.1) ir (5.1), ir taip yra sudarytas n+–p–n+ dvipolio tranzistoriaus (DT) darinys (4-2-5), ir n+– sričių (4) ir (5) atitinkami atstumai l(1; 2) nuo atitinkamų n+– sluoksnių (1) ir (3) yra padaryti iš sąlygos: dpn (1-2; 2-3) 0 < l(1; 2) < dpn (1-2; 2-3) max, čia: dpn (1-2; 2-3) 0 – atitinkamų p–n sandūrų (1-2) ir (2-3) nuskurdintų sričių p– sluoksnyje (2) neutralūs storiai, kai p–n sandūrose nėra poveikio įtampų Upn = 0; dpn (1-2; 2-3) max – atitinkamų p–n sandūrų (1-2) ir (2-3) nuskurdintų sričių p– sluoksnyje (2) maksimalūs storiai, kai p–n sandūras atgaline kryptimi veikia elektrinio pramušimo įtampos |–Upn| ≥ Upn max, tarp n+– sluoksnio (1) (arba (3)) ir n+– srities (4) (arba (5)), bei n+– sluoksnio (3) (arba (1)) ir n+– srities (5) (arba (4)), p– sluoksnyje (2) yra suformuotos atitinkamos papildomos stipriai legiruotos p+– sritys (2.1) ir (2.2) su atitinkamais kontaktais-išvadais (2.1) ir (2.2), ir kontaktai-išvadai: (1.1), bei (3.1), yra atitinkamų n+–p sandūrų (1-2) ir (3-2) – diodų (D(1; 2)) atitinkami katodai (Kt(1; 2)), o (2.1) ir (2.2) – atitinkamai anodai (A(1; 2)) ir kartu DT darinio bazės (B) kontaktai-išvadai (B(1; 2)), sudarydami DFPĮ bendruosius kontaktus-išvadus: B(1; 2)-A(1; 2), o (4.1) ir (5.1) – atitinkamai DT darinio kolektorius (K) ir emiteris (E), arba E ir K.
2. DFPĮ pagal punktą 1, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad antrajame DFPĮ variante yra sudaryta sąlyga: dpn (4-2; 5-2) max > WB > LB, ir taip yra sudarytas n+–p–n+ puslaidininkinio tetrodo (PT) darinys (4-2-5), čia: dpn (4-2; 5-2) max – atitinkamų p–n sandūrų (4-2) ir (5-2) nuskurdintų sričių p– sluoksnyje (2) maksimalūs storiai, kai p–n sandūras atgaline kryptimi veikia elektrinio pramušimo įtampos |–Upn| ≥ Upn max.
3. DFPĮ pagal punktus 1 ir 2, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DFPĮ yra padarytas "horizontalios" konstrukcijos planarinės (paviršinės) technologijos būdu, pavyzdžiui, ant dielektrinio šilumai laidaus padėklo yra suformuotas epitaksinis stačiakampio formos dep storio, D pločio ir L ilgio p– sluoksnis (2), kurio priešinguose kraštuose išilgai L per visą storį dep yra suformuotos dvi stačiakampės n+– sritys: (1) ir (3), su atitinkamais kontaktais-išvadais (1.1) ir (3.1), ir n+– sričių (1) ir (3) kraštinės yra lygiagrečios L i D kraštinėms, viduryje tarp n+– sričių (1) ir (3) per visą storį dep yra suformuotos dvi stačiakampės n+– sritis (4) ir (5) su atitinkamais kontaktais-išvadais (4.1) ir (5.1), ir n+– sritys (4) ir (5) yra suformuotos atitinkamais atstumais l(1; 2) nuo atitinkamų n+– sričių (1) ir (3), ir atstumu WB tarp n+– sričių (4) ir (5), ir n+– sričių (4) ir (5) kraštinės yra lygiagrečios L i D kraštinėms, šalia n+– sričių (1) ir (4), arba (1) ir (5), bei (3) ir (4), arba (3) ir (5), p– sluoksnyje (2) per visą storį dep yra suformuotos atitinkamos stačiakampės p+– sritys (2.1) ir (2.2) su atitinkamais kontaktais-išvadais (2.1) ir (2.2), ir p+– sričių (2.1), bei (2.2) kraštinės yra lygiagrečios L i D kraštinėms, tarp p+– sričių (2.1) ir (2.2) p– sluoksnyje (2) per visą storį dep yra suformuota pirmoji izoliuojanti n– sritis (7.1), kurios ilgis D kryptimi yra padarytas nuo n+– srities (4), arba (5), iki šalia esančios p– sluoksnio (2) L kraštinės, ir taip pat tarp n+– srities (5), arba (4), ir šalia esančios p– sluoksnio (2) L kraštinės per visą storį dep yra suformuota antroji izoliuojanti n– sritis (7.2), kurios ilgis D kryptimi yra padarytas nuo n+– srities (5), arba (4), iki šalia esančios p– sluoksnio (2) L kraštinės.
4. DFPĮ pagal punktus 1 ir 2, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DFPĮ yra padarytas "vertikalios" konstrukcijos planarinės (paviršinės) technologijos būdu, pavyzdžiui, dp storio p– laidumo puslaidininkinio kristalo (2) – įtaiso padėklo (2) paviršiuje simetriškai per vidurį yra suformuota stačiakampė n+– sritis (5), kurios ilgoji kraštinė L1 > D1 – plotis, ir L1, bei D1, yra lygiagrečios p– kristalo (2) kraštinėms, ir n+– srities (5) įterpimo į p– kristalą (2) gylis h1 < dp, ant p– kristalo (2) ir n+– srities (5) paviršių yra suformuotas epitaksinis dep storio p– sluoksnis (2*), kurio paviršiuje virš n+– srities (5) yra suformuota stačiakampė n+– sritis (4) su kontaktu-išvadu (4.1) ir atitinkamomis kraštinėmis L2 < L1, bei D2 ≅ D1, kai L2, bei D2, yra lygiagrečios L1 ir D1, o n+– srities (4) įterpimo į p– sluoksnį (2*) gylis h2 < dep, ir skirtumas (dep – h2) = WB, epitaksiniame p– sluoksnyje (2*) kraštinių L(1; 2) kryptimi virš n+– srities (5) galų yra suformuotos atitinkamos papildomos n+– sritys (5.1) ir (5.2) su atitinkamais kontaktais-išvadais (5.1) ir (5.2), o n+– sričių (5.1) ir (5.2) įterpimo į epitaksinį p– sluoksnį (2*) gylis h3 > dep, ir n+– sritys (5.1) ir (5.2) susilieja su n+– sritimi (5), tarp atitinkamų šalia esančių n+– sričių (5.1) ir (4), bei (5.2) ir (4), epitaksiniame p– sluoksnyje (2*) yra suformuotos atitinkamos p+– sritys (2.1) ir (2.2) su atitinkamais kontaktais-išvadais (2.1) ir (2.2), o p+– sričių (2.1) ir (2.2) įterpimo į epitaksinį p– sluoksnį (2*) gylis h4 ≤ h2, šalia n+– sričių (5.1), (5.2), (4) ir p+– sričių (2.1) ir (2.2), iš abiejų pusių epitaksiniame p– sluoksnyje (2*) yra suformuotos atitinkamos n– sritys (1) ir (3) su atitinkamais kontaktais-išvadais (1.1) ir (3.1), o n– sričių (1) ir (3) įterpimo į epitaksinį p– sluoksnį (2*) gylis h5 > dep + h1, ir n– sritys (1) ir (3) yra suformuotos atitinkamais atstumais l(1; 2) nuo atitinkamų n+– sričių (5.1), (5.2), (4) ir p+– sričių (2.1) ir (2.2).
5. Stiprintuvas-dažnių maišiklis su DFPĮ pagal punktus 1, 3 ir 4, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DFPĮ bendrieji kontaktai-išvadai B(1; 2)-A(1; 2) per atitinkamus kondensatorius C(1; 2) – pirmąjį C1 ir antrąjį C2, yra sujungti su atitinkamais įtaiso įėjimų gnybtais Uin (1; 2) – pirmąjį Uin 1 ir antrąjį Uin 2, ir kartu per atitinkamus rezistorius R(1; 2) – pirmąjį R1 ir antrąjį R2 – su "žeme" – įtaiso nulinio potencialo šina, ir kartu per atitinkamus rezistorius R(3; 4) – trečiąjį R3 ir ketvirtąjį R4 – su pastovios įtampos εo maitinimo šaltinio teigiamo poliškumo gnybtu "+", o neigiamo poliškumo gnybtas "–" – su "žeme", D(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai Kt(1; 2) per atitinkamus kondensatorius C(3; 4) – trečiąjį C3 ir ketvirtąjį C4, yra sujungti su atitinkamais įtaiso įėjimų gnybtais Uin (3; 4) – trečiuoju Uin 3 ir ketvirtuoju Uin 4, ir kartu per atitinkamus rezistorius R(5; 6) – penktąjį R5 ir šeštąjį R6 – su "žeme", ir kartu per atitinkamus rezistorius R(7; 8) – septintąjį R7 ir aštuntąjį R8 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", DT kontaktas-išvadas K per penktąjį kondensatorių C5 yra sujungtas su įtaiso pirmojo išėjimo gnybtu Uiš 1 ir kartu per pirmąjį apkrovos rezistorių Ra 1 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", o kontaktas-išvadas E per šeštąjį kondensatorių C6 – su įtaiso antrojo išėjimo gnybtu Uiš 2 ir kartu per antrąjį apkrovos rezistorių Ra 2 – su "žeme".
6. Impulsų formuotuvas su DFPĮ pagal punktus 1, 3 ir 4, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DFPĮ bendrieji kontaktai-išvadai B(1; 2)-A(1; 2) per atitinkamus C(1; 2) yra sujungti su atitinkamais gnybtais Uin (1; 2) ir kartu per atitinkamus R(1; 2) – su "žeme", D(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai Kt(1; 2) per atitinkamus R(3; 4) yra sujungti su "žeme" ir kartu per atitinkamus R(5; 6) – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", DT kontaktas-išvadas K per C3 yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 1 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", o kontaktas-išvadas E per C4 – su gnybtu Uiš 2 ir kartu per Ra 2 – su "žeme".
7. Impulsų formuotuvas su DFPĮ pagal punktus 2–4, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DFPĮ bendrieji kontaktai-išvadai B(1; 2)-A(1; 2) yra laisvi, o D(1; 2) kontaktai-išvadai Kt(1; 2) per R(1; 2) yra sujungti su transformatoriaus (Tr) antrinės apvijos (II) išvadais, kai Tr pirminės apvijos (I) išvadai – su gnybtu Uin 1 ir – su "žeme", PT kontaktas-išvadas K per C1 yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 1 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", ir kontaktas-išvadas E per C2 – su gnybtu Uiš 2 ir kartu per Ra 2 – su "žeme".
8. Impulsų formuotuvas su DFPĮ pagal punktus 2–4, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad D(1; 2) kontaktai-išvadai Kt(1; 2) yra laisvi, o DFPĮ bendrieji kontaktai-išvadai B(1; 2)-A(1; 2) per R(1; 2) yra sujungti su Tr apvijos II išvadais, kai Tr apvijos I išvadai – su gnybtu Uin 1 ir – su "žeme", PT kontaktas-išvadas K per C1 yra sujungtas su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 1 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", ir kontaktas-išvadas E per C2 – su gnybtu Uiš 2 ir kartu per Ra 2 – su "žeme".
9. Relaksacinių virpesių generatorius su DFPĮ pagal punktus 2–4, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DFPĮ bendrieji kontaktai-išvadai B(1; 2)-A(1; 2) yra laisvi, o D(1; 2) kontaktai-išvadai Kt(1; 2) per C2 yra sujungti su "žeme" ir kartu – su PT kontaktu-išvadu K, kuris per C1 – su gnybtu Uiš 1 ir kartu per Ra 1 – su įtampos εo šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", ir PT kontaktas-išvadas E – su "žeme".