[LT] Pasiūlymas yra iš puslaidininkinės elektronikos srities, o būtent daugiafunkcinių puslaidininkinių įtaisų (DFPĮ) bei schemų su jais, ir gali būti vartojamas elektroninėse automatikos sistemose, įvairių signalų generatoriuose bei impulsų formuotuvuose, o taip pat signalų maišymo, dauginimo ir keitimo įrenginiuose, ir t. t. Pasiūlytuose DFPĮ yra kitaip padarytos darinių konstrukcijos, taikant integrinės elektronikos technologijas, lauko ir dvipolio tranzistorių, bei p–n sandūrų nuskurdintų sričių užtrumpinimo veikos principus. Palyginus su analogu, pasiūlyti DFPĮ variantai pasižymi didesnėmis valdymo funkcinėmis savybėmis, didesne veikimo sparta – perjungimų frontai t(r, f ) ≤ 1 ns, integriniu išpildymu ir galimybe veikti įvairios paskirties elektroniniuose įrenginiuose: stiprintuvuose, generatoriuose, impulsų formuotuvuose, dažnio keitikliuose ir maišikliuose.
[EN] Pasiūlymas yra iš puslaidininkinės elektronikos srities, o būtent daugiafunkcinių puslaidininkinių įtaisų (DFPĮ) bei schemų su jais, ir gali būti vartojamas elektroninėse automatikos sistemose, įvairių signalų generatoriuose bei impulsų formuotuvuose, o taip pat signalų maišymo, dauginimo ir keitimo įrenginiuose, ir t. t. Pasiūlytuose DFPĮ yra kitaip padarytos darinių konstrukcijos, taikant integrinės elektronikos technologijas, lauko ir dvipolio tranzistorių, bei p–n sandūrų nuskurdintų sričių užtrumpinimo veikos principus. Palyginus su analogu, pasiūlyti DFPĮ variantai pasižymi didesnėmis valdymo funkcinėmis savybėmis, didesne veikimo sparta – perjungimų frontai t(r, f ) ≤ 1 ns, integriniu išpildymu ir galimybe veikti įvairios paskirties elektroniniuose įrenginiuose: stiprintuvuose, generatoriuose, impulsų formuotuvuose, dažnio keitikliuose ir maišikliuose.
[0001] Pasiūlymas yra iš puslaidininkinės elektronikos srities, o būtent daugiafunkcinių (kelių funkcijų, multifunkcinių) puslaidininkinių įtaisų (DFPĮ (KFPĮ, MFPĮ)), turinčių keturis ir daugiau kontaktų-išvadų – gnybtų, ir gali būti vartojami įvairios paskirties greitaveikėse impulsinės elektronikos įrenginiuose – stiprintuvuose, dažnių maišikliuose-keitikliuose, harmoninių ir impulsinių signalų generatoriuose, impulsų formuotuvuose, ir t. t.
[0002] Analogas yra dvipolio tranzistoriaus (DT) planarinis darinys, pavyzdžiui, sudarytas iš trijų vienas ant kito suformuotų n–p–n laidumų sluoksnių (1–3), čia n– elektroninio laidumo (1; 3) ir p– skylinio laidumo (2) puslaidininkiai, tarp kurių yra sudarytos dvi p–n sandūros: emiterinė (1-2) ir kolektorinė (2-3). Donorinėmis priemaišomis Nd 1 stipriai legiruotas pirmasis n+– sluoksnis (1) – padėklas yra kolektorius (K), ant šio sluoksnio suformuotas donorinėmis priemaišomis Nd 2 silpnai legiruotas n–– sluoksnis – kolektoriaus K silpnai legiruota sritis, kurioje yra suformuotas akceptorinėmis priemaišomis Na vidutiniškai stipriai legiruotas p– sluoksnis (2) – bazė (B), kurio storis WB < LB – šalutinių krūvininkų – elektronų np difuzijos nuotolis, ir kartu WB > dpn [(2-1); (2-3)] o – atitinkamų p–n sandūrų (2-1) ir (2-3) nuskurdintų sričių p– sluoksnyje (2) neutralūs storiai, kai p–n sandūras (2-1) ir (2-3) neveikia įtampos Upn = 0, ir p– sluoksnis (2) yra suformuota donorinėmis priemaišomis Nd 3 stipriai legiruota n+– sritis (3) – emiteris (E), ir n+– kolektoriaus (1), p– bazės (2) ir n+– emiterio (3) sritys turi prijungtus ominius kontaktus-išvadus, atitinkamai K, B ir E (Geršunskis B. S. Elektronikos pagrindai.- V.: Mokslas, 1981, 324 p., iliustr.– 161 p. 10.6 pav.).
[0003] Analogo impulsų formuotuvo schema yra sudaryta su n–p–n laidumo DT įjungtu bendro emiterio (BE) pakopoje, kurioje apkrovos rezistorius Ra yra įjungtas tarp K ir maitinimo pastoviosios įtampos εo šaltinio pirmojo, pavyzdžiui, teigiamo polio ("+"), o kitas – neigiamas polius ("–") yra sujungtas su E, išėjimo gnybtas Uiš yra K (Geršunskis B. S. Elektronikos pagrindai. - V.: Mokslas, 1981, 324 p., iliustr.– 173 p. 10.14, b).
[0004] Analogo trukumas yra tai, jog DT impulsinė greitaveika yra ribojama soties reiškinio, kada išjungimo trukmė Δt iš yra didinama šalutinių krūvininkų išsiurbimo laiko ts, kuris atsiranda dėl šalutinių krūvininkų, sukauptų DT soties veikoje kolektorinėje p–n sandūroje. Kitas analogo trukumas yra santykinai maža įėjimo grandinės Uin varža DT soties veikoje. Dar kitas analogo trukumas yra tai, kad formuotuvo schema su DT gali veikti tik su vieno poliškumo maitinimo šaltinio įtampa εo.
[0005] Analogo trūkumams pašalinti, DFPĮ, sudarytame iš trijų vienas ant kito suformuotų, pavyzdžiui, puslaidininkinių (P) n+–p–n laidumų sluoksnių (1–3), kai n+– (E) ir p– (B) sluoksniai (1; 2) turi atitinkamus kontaktus-išvadus E (1.1) ir B (2.1), p– sluoksnio (2) storis WB tenkina sąlygas: dpn [(2-1); (2-3)] o < WB < LB, DFPĮ yra padarytas kitaip, o būtent, pirmajame variante p– sluoksnis (2) turi du kontaktus-išvadus B1 (2.1) ir B2 (2.2), kurie yra sudaryti p– sluoksnio (2) priešinguose kraštuose, neturinčiose sąlyčio su n+– ir n– sluoksniais (1) ir (3). Ant trečiojo – kolektoriaus (K)-ištakos (S) n– sluoksnio (3) yra suformuotas ketvirtasis – kanalo p– sluoksnis (4), kurio paviršiuje priešinguose kraštuose yra suformuotos dvi vienodos santakų (D(1; 2)) n+– sritys (5) ir (6) su atitinkamais santakų kontaktais-išvadais D1 (5.1) ir D2 (6.1). Santakų D(1; 2) atitinkamos n+– sritys (5) ir (6) yra nutolusios viena nuo kitos atstumu l1 > dpn [(4-5); (4-6)] max – atitinkamų p–n sandūrų (4-5) ir (4-6) nuskurdintų sričių p– sluoksnyje (2) maksimalūs storiai, kai p–n sandūras atgaline kryptimi veikia elektrinio pramušimo įtampos |–Upn| ≥ Upn max, ir kartu nutolusios nuo n– sluoksnio (3) atstumu l2 > dpn [(4-(5; 6)); (4-3)] max – atitinkamų p–n sandūrų (4-(5; 6)) ir (4-3) nuskurdintų sričių p– sluoksnyje (2) maksimalūs storiai, kai p–n sandūras atgaline kryptimi veikia elektrinio pramušimo įtampos |–Upn| ≥ Upn max, ir kartu n– sluoksnio (3) storis l3 > dpn [(3-4); (3-2)] max – atitinkamų p–n sandūrų (3-4) ir (3-2) nuskurdintų sričių n– sluoksnyje (3) maksimalūs storiai, kai p–n sandūras atgaline kryptimi veikia elektrinio pramušimo įtampos |–Upn| ≥ Upn max. Ant kanalo p– sluoksnio (4) paviršių, esančių tarp n– sluoksnio (3) ir atitinkamų n+– sričių (5) ir (6) yra suformuoti atitinkami dielektriniai (D) sluoksniai (7.1) ir (7.2), ir ant jų paviršių yra suformuoti atitinkami metalo (M) sluoksniai (8.1) ir (8.2), sudarantys lauko (vienpolių) tranzistorių (VT(1; 2)) MOP (MDP) užtūrų (G(1; 2)) atitinkamus kontaktus-išvadus G1 (8.1) ir G2 (8.2), ir taip yra suformuoti atitinkami MOP (MDP) VT(1; 2) dariniai su "normaliai uždarytais" – indukuotais n i – kanalais, čia: O – oksidas, D – dielektrikas.
[0006] Analogo trūkumams pašalinti, DFPĮ yra padarytas kitaip, o būtent, antrajame variante kanalo p– sluoksnio (4) paviršiuose po atitinkamomis MOP (MDP) užtūromis G(1; 2) (8.1; 8.2) tarp n– sluoksnio (3) ir atitinkamų n+– sričių (5) ir (6) yra suformuotos atitinkamų įterptų kanalų n– sritys (9.1) ir (9.2), kurios elektriškai sujungia n– sluoksnį (3) su atitinkamomis n+– sritimis (5) ir (6), ir taip yra suformuoti atitinkami MOP (MDP) VT(1; 2) dariniai su "normaliai atidarytais" n– kanalais. Visi kiti DFPĮ parametrai atitinka pirmojo DFPĮ varianto parametrus.
[0007] Analogo trūkumams pašalinti, DFPĮ yra padarytas kitaip, o būtent, trečiajame variante bazės (B) p– sluoksnio (2) storis WB > LB ir kartu tenkina sąlygas:
[0008] dpn [(2-1); (2-3)] o < WB < dpn (2-1; 2-3) max – atitinkamų p–n sandūrų 2-1 ir 2-3 nuskurdintų sričių p– sluoksnyje (2) maksimalūs storiai, kai p–n sandūras atgaline kryptimi veikia elektrinio pramušimo įtampos |–Upn| ≥ Upn max, ir taip yra suformuotas puslaidininkinio tetrodo (PT) darinys, o visi kiti DFPĮ parametrai atitinka pirmojo ir antrojo DFPĮ variantų parametrus.
[0009] Visų variantų DFPĮ konstrukcijos yra padarytos kitaip, o būtent planarinės (paviršinės) technologijos būdu yra suformuotas "horizontalios" konstrukcijos DFPĮ, pavyzdžiui, ant dielektrinio šilumai laidaus padėklo (10) yra suformuotas stačiakampio formos dep storio, D pločio ir L ilgio epitaksinis p– sluoksnis 2, kurio viename krašte D per visą storį dep yra suformuota stačiakampė n+– sritys (1) su kontaktu-išvadu E (1.1), o kitame krašte D simetriškai priešais n+– sritį (1) atstumu (WB + l3 + l2) per visą storį dep atstumu l1 viena nuo kitos yra suformuotos vienodos dvi stačiakampės n+– sritys (5) ir (6) su atitinkamais kontaktais-išvadais D1 (5.1) ir D2 (6.1), ir n+– sričių (1), (5) ir (6) kraštinės yra lygiagrečios L ir D kraštinėms. Kraštinės L krytimi atstumu WB nuo n+– srities (1) per visą storį dep yra suformuota l3 pločio ir D ilgio stačiakampė n– sritis (3), kurios kraštinės l3 ir D yra atitinkamai lygiagrečios kraštinėms L ir D. Tarp n+– srities (1) ir n– sritis (3) suformuotos WB pločio p– srities (2) priešinguose galuose šalia kraštinių L yra suformuotos atitinkamos vienodos stačiakampės p+– sritys (2.1) ir (2.2) su atitinkamais kontaktais-išvadais B1 (2.1) ir B2 (2.2). Išilgai kraštinės D priešinguose n+– srities (1) galuose per visą storį dep yra suformuotos atitinkamos izoliacinės n– sritys (11) ir (12), užimančios visą atstumą nuo n+– srities (1) atitinkamo galo iki atitinkamos kraštinės L. Tarp n– srities (3) ir n+– sričių (5), bei (6), suformuotos l2 pločio p– srities (4) paviršiuje yra suformuotas dielektrinis sluoksnis (7) ir ant šio paviršiaus per visą plotį l2 priešais atitinkamą n+– sritį (5), bei (6), yra suformuoti atitinkami metalo (M) sluoksniai (8.1) ir (8.2), sudarantys atitinkamų užtūrų G(1; 2) kontaktus-išvadus (8.1) ir (8.2), o kitame DFPĮ variante p– srities (4) paviršiuje po atitinkamo metalo sluoksniu (8.1) ir (8.2) yra suformuotos atitinkamos n– sritys (9.1), bei (9.2), kurios elektriškai sujungia n– sluoksnį (3) su atitinkamomis n+– sritimis (5) ir (6).
[0010] Visų variantų DFPĮ konstrukcijos yra padarytos kitaip, o būtent planarinės (paviršinės) technologijos būdu yra suformuotas "vertikalios" konstrukcijos DFPĮ, pavyzdžiui, ant n+– laidumo puslaidininkinio kristalo (1) – įtaiso padėklo paviršiaus suformuoto p– laidumo epitaksinio dep storio sluoksnio (2) paviršiaus simetriškai per vidurį yra suformuota stačiakampė n– sritis (3), kurios įterpimo į epitaksinį p– sluoksnį 2 gylis h3 = dep – WB, ir ilgoji kraštinė L3 > D3 – plotis. Simetriškai per vidurį stačiakampėje n– srityje (3) yra suformuota stačiakampė p– sritis (4), kurios įterpimo į epitaksinį p– sluoksnį 2 gylis h4 = h3 – l3, ir kraštinės L4 < L3 ir D4 < D3 yra atitinkamai lygiagrečios kraštinėms L3 ir D3. Simetriškai per vidurį stačiakampėje p– srityje (4) atstumu l1 viena nuo kitos yra suformuotos dvi vienodos stačiakampės n+– sritys (5) ir (6), kurių įterpimo į epitaksinį p– sluoksnį 2 gyliai h(5; 6) < h4, ir atitinkamos kraštinės L(5; 6) < L4, bei D(5; 6) < D4, yra atitinkamai lygiagrečios kraštinėms L4 ir D4, o n+– sričių (5) ir (6) paviršiuose yra suformuoti atitinkami santakų D(1; 2) kontaktai-išvadai (5.1) ir (6.1). Tarp n– srities (3) ir n+– sričių (5), bei (6), suformuotos l2 pločio p– srities (4) paviršiuje yra suformuoti dielektriniai sluoksniai (7.1) ir (7.2), ir ant jų paviršių per visą plotį l2 priešais atitinkamą n+– sritį (5), bei (6), yra suformuoti atitinkami metalo (M) sluoksniai (8.1) ir (8.2), sudarantys atitinkamų užtūrų G(1; 2) kontaktus-išvadus (8.1) ir (8.2), o kitame DFPĮ variante p– srities (4) paviršiuje po atitinkamo metalo sluoksniu (8.1) ir (8.2) yra suformuotos atitinkamos n– sritys (9.1), bei (9.2), kurios elektriškai sujungia n– sluoksnį (3) su atitinkamomis n+– sritimis (5) ir (6). Epitaksinio p– sluoksnio (2) paviršiuje priešinguose n– srities (3) pusėse šalia D3 kraštinių yra suformuotos p+– sritys (2.1) ir (2.2) su atitinkamais kontaktais-išvadais B(1; 2). Ant n+– kristalo (1) laisvojo paviršiaus yra suformuotas kontaktas-išvadas E (1.1), arba kitame variante epitaksinio p– sluoksnio (2) paviršiuje priešinguose n– srities (3) pusėse šalia L3 kraštinių per visą storį dep yra suformuotos n+– sritys (1.11) ir (1.12) su atitinkamais kontaktais-išvadais E(1; 2).
[0011] Visų variantų DFPĮ konstrukcijos yra padarytos kitaip, o būtent planarinės (paviršinės) technologijos būdu yra suformuotas "horizontalios" konstrukcijos DFPĮ su suformuotais atitinkamais MOP (MDP) VT(1–N) dariniais, su "normaliai atidarytais" arba "normaliai uždarytais" n– kanalais, kai N = 3, 4, 5, ... , o visi kiti DFPĮ parametrai atitinka "horizontalios" konstrukcijos DFPĮ varianto parametrus, kai N = 2. Kai N ≥ 3, MOP (MDP) VT(1–N) darinių atitinkamų santakų D(1–N) atitinkamos vienodos stačiakampės n+– sritys (5(1–N)) su atitinkamais kontaktais-išvadais D(1–N) (6(1–N)) atstumu l1 viena nuo kitos yra suformuotos p– sluoksnyje (2) per visą storį dep ir simetriškai priešais atstumu (WB + l3 + l2) iki n+– srities (1), o n+– sričių (5(1–N)) kraštinės yra lygiagrečios L ir D kraštinėms.
[0012] Visų variantų DFPĮ konstrukcijos yra padarytos kitaip, o būtent planarinės (paviršinės) technologijos būdu yra suformuotas "vertikalios" konstrukcijos DFPĮ su suformuotais atitinkamais MOP (MDP) VT(1–N) dariniais, su "normaliai atidarytais" arba "normaliai uždarytais" n– kanalais, kai N ≥ 3, o visi kiti DFPĮ parametrai atitinka "vertikalios" konstrukcijos DFPĮ varianto parametrus, kai N = 2. Kai N ≥ 3, DFPĮ p– sluoksnyje (2) gylyje h5 < h4 yra suformuotos MOP (MDP) VT(1–N ) darinių atitinkamų santakų D(1–N) atitinkamos vienodos stačiakampės n+– sritys (5(1–N )) su atitinkamais kontaktais-išvadais D(1–N) (6(1–N )), kurios yra išdėstytos atstumu l1 viena nuo kitos simetriškai poromis (51)-(5(N/2 + 1)), (52)-(5(N/2 + 2)), ... , (5N/2)-(5N), ir atstumu l2 iki šalia esančių n– srities (3) atitinkamų priešpriešinių kraštų paviršiuje, o n+– sričių (5(1–N )) kraštinės yra lygiagrečios L ir D kraštinėms. Tarp n– srities (3) ir atitinkamų šalia esančių n+– sričių (5(1–N )) suformuotos l2 pločio p– srities (4) paviršiuje yra suformuoti atitinkami dielektriniai sluoksniai (7.(1–N )) ir ant jų paviršių per visą plotį l2 priešais atitinkamą n+– sritį (5(1–N )) yra suformuoti atitinkami metalo (M) sluoksniai (8.(1–N )), sudarantys atitinkamų užtūrų G(1–N ) kontaktus-išvadus (8.(1–N )), o kitame DFPĮ variante p– srities (4) paviršiuje po atitinkamo metalo sluoksniu (8.(1–N )) yra suformuotos atitinkamos n– sritys (9.(1–N )) – kanalai, kurie elektriškai sujungia n– sluoksnį (3) su atitinkamomis n+– sritimis (5(1–N )). Epitaksinio p– sluoksnio (2) paviršiuje priešinguose n– srities (3) pusėse šalia atitinkamų D3 kraštinių yra suformuotos p+– sritys (2.1) ir (2.2) su atitinkamais kontaktais-išvadais B(1; 2). Ant n+– kristalo (1) laisvojo paviršiaus yra suformuotas kontaktas-išvadas E (1.1), arba kitame variante epitaksinio p– sluoksnio (2) paviršiuje priešinguose n– srities (3) pusėse šalia atitinkamų L3 kraštinių per visą storį dep yra suformuotos n+– sritys (1.11) ir (1.12) su atitinkamais kontaktais-išvadais E(1; 2).
[0013] Analogo trūkumams pašalinti stiprintuvas (diferencinis (skirtuminis))-dažnių ω in (1–3) maišiklis yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su, pavyzdžiui, n–p–n laidumo DT ir "normaliai uždarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) dariniais, turinčiais atitinkamus kontaktus-išvadus: E, B(1; 2), G(1; 2) ir D(1; 2). DT kontaktai-išvadai B(1; 2) per pirmąjį rezistorių R1 yra sujungti su "žeme" (┴) – įtaiso nulinio potencialo šina, ir kartu per antrąjį rezistorių R2 – su maitinimo pastoviosios įtampos ε1 pirmojo šaltinio teigiamo (+) poliškumo gnybtu "+", o neigiamo (–) poliškumo gnybtas "–" – su "žeme", ir kartu per pirmąjį kondensatorių C1 – su pirmuoju įėjimo gnybtu Uin 1. DT kontaktas-išvadas E per pirmąjį apkrovos rezistorių Ra 1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per antrąjį kondensatorių C2 – su pirmuoju išėjimo gnybtu Uiš 1. VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai G(1; 2) per atitinkamus trečiąjį ir ketvirtąjį rezistorius R(3; 4) yra sujungti su "žeme", ir kartu per atitinkamus penktąjį ir šeštąjį rezistorius R(5; 6) – su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+", ir kartu per atitinkamus trečiąjį ir ketvirtąjį kondensatorius C(3; 4) – su atitinkamais antruoju ir trečiuoju įėjimų gnybtais Uin (2; 3). VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai D(1; 2) per atitinkamus antrąjį ir trečiąjį apkrovų rezistorius Ra (2; 3) yra sujungti su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+", ir kartu per atitinkamus penktąjį ir šeštąjį kondensatorius C(5; 6) – su atitinkamais antruoju ir trečiuoju išėjimų gnybtais Uiš (2; 3).
[0014] Analogo trūkumams pašalinti stiprintuvas (diferencinis (skirtuminis))-dažnių ω in (1–3) maišiklis yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su, pavyzdžiui, n–p–n laidumo DT ir "normaliai atidarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) dariniais, turinčiais atitinkamus kontaktus-išvadus: E, B(1; 2), G(1; 2) ir D(1; 2). DT kontaktai-išvadai B(1; 2) per R1 yra sujungti su "žeme" ir kartu per R2 – su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", ir kartu per C1 – su gnybtu Uin 1. DT kontaktas-išvadas E per Ra 1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C2 – su gnybtu Uiš 1. VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai G(1; 2) per atitinkamus R(3; 4) yra sujungti su "žeme" ir kartu per atitinkamus R(5; 6) – su pastoviosios įtampos ε2 antrojo šaltinio gnybtu "–", o gnybtas "+" – su "žeme", ir kartu per atitinkamus C(3; 4) – su atitinkamais gnybtais Uin (2; 3). VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai D(1; 2) per atitinkamus Ra (2; 3) yra sujungti su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+" ir kartu per atitinkamus C(5; 6) – su atitinkamais gnybtais Uiš (2; 3).
[0015] Analogo trūkumams pašalinti impulsų formuotuvas yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su, pavyzdžiui, n–p–n laidumo PT ir "normaliai uždarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) dariniais, turinčiais atitinkamus kontaktus-išvadus: E, B(1; 2), G(1; 2) ir D(1; 2). PT kontaktas-išvadas E per Ra 1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C1 – su gnybtu Uiš 1, ir kartu per atitinkamus C(2; 3) – su atitinkamais kontaktais-išvadais G(1; 2), kurie per atitinkamus R(3; 4) – su "žeme", ir kartu per atitinkamus R(5; 6) – su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme". PT kontaktai-išvadai B(1; 2) per atitinkamus R(1; 2) yra sujungti su transformatoriaus (Tr) antrinės apvijos (II) išvadais, o Tr pirminės apvijos (I) išvadai – atitinkamai su gnybtu Uin 1 ir su "žeme". VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai D(1; 2) per atitinkamus Ra (2; 3) yra sujungti su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+", ir kartu per atitinkamus C(4; 5) – su atitinkamais gnybtais Uiš (2; 3).
[0016] Analogo trūkumams pašalinti impulsų formuotuvas yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su, pavyzdžiui, n–p–n laidumo PT ir "normaliai atidarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) dariniais, turinčiais atitinkamus kontaktus-išvadus: E, B(1; 2), G(1; 2) ir D(1; 2). PT kontaktas-išvadas E per Ra 1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C1 – su gnybtu Uiš 1, ir kartu per atitinkamus C(2; 3) – su atitinkamais kontaktais-išvadais G(1; 2), kurie per atitinkamus R(3; 4) – su "žeme", ir kartu per atitinkamus R(5; 6) – su įtampos ε2 šaltinio gnybtu "–", o gnybtas "+" – su "žeme". PT kontaktai-išvadai B(1; 2) per atitinkamus R(1; 2) yra sujungti su Tr apvijos (II) išvadais, o Tr apvijos (I) išvadai – atitinkamai su gnybtu Uin 1 ir su "žeme". VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai D(1; 2) per atitinkamus Ra (2; 3) yra sujungti su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", ir kartu per atitinkamus C(4; 5) – su atitinkamais gnybtais Uiš (2; 3).
[0017] Analogo trūkumams pašalinti generatorius yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su, pavyzdžiui, n–p–n laidumo DT ir "normaliai uždarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) dariniais, turinčiais atitinkamus kontaktus-išvadus: E, B(1; 2), G(1; 2) ir D(1; 2). DT kontaktas-išvadas E per R1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C(1; 2), bei kitame variante ir per atitinkamus pirmąjį ir antrąjį induktorius L(1; 2) – su atitinkamais kontaktais-išvadais G(1; 2), kurie per atitinkamus R(4; 5) – su "žeme", ir kartu per atitinkamus R(6; 7) – su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme". DT kontaktai-išvadai B(1; 2) per R2 yra sujungti su "žeme" ir kartu per R3 – su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+", ir kartu per C5 – su moduliacijos įėjimo gnybtu Uin M. VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai D(1; 2) per atitinkamus Ra (1; 2) yra sujungti su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+" ir kartu per atitinkamus C(3; 4) – su atitinkamais gnybtais Uiš (1; 2).
[0018] Analogo trūkumams pašalinti generatorius yra padarytas kitaip, kuriame yra įjungtas DFPĮ su, pavyzdžiui, n–p–n laidumo DT ir "normaliai atidarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) dariniais, turinčiais atitinkamus kontaktus-išvadus: E, B(1; 2), G(1; 2) ir D(1; 2). DT kontaktas-išvadas E per R1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C(1; 2), bei kitame variante ir per atitinkamus induktorius L(1; 2) – su atitinkamais kontaktais-išvadais G(1; 2), kurie per atitinkamus R(4; 5) – su "žeme", ir kartu per atitinkamus R(6; 7) – su įtampos ε2 šaltinio gnybtu "–", o gnybtas "+" – su "žeme". DT kontaktai-išvadai B(1; 2) per R2 yra sujungti su "žeme" ir kartu per R3 – su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", ir kartu per C5 – su moduliacijos įėjimo gnybtu Uin M. VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai D(1; 2) per atitinkamus Ra (1; 2) yra sujungti su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+" ir kartu per atitinkamus C(3; 4) – su atitinkamais gnybtais Uiš (1; 2).
[0019] DFPĮ darinys ir jo konstrukcijų variantų atitinkami schemotechniniai žymenys, kai yra suformuoti tik N = 2 atitinkami VT(1; 2) dariniai yra parodyti Fig. 1, a–c, ir atitinkamai Fig. 2, a ir b, yra parodyti planarinės (paviršinės) technologijos būdu suformuoto "horizontalios" konstrukcijos DFPĮ atitinkamai vaizdas iš "viršaus" su atitinkamais kontaktais-išvadais, ir vertikalus pjūvis, o Fig. 3, a ir b, yra parodytas planarinės (paviršinės) technologijos būdu suformuoto "vertikalios" konstrukcijos DFPĮ vertikalus pjūvis ir planarinis vaizdas iš "viršaus" su atitinkamais kontaktais-išvadais. Fig. 4, a ir b, yra parodyti "horizontalios" ir "vertikalios" konstrukcijos DFPĮ planariniai vaizdai iš "viršaus" su atitinkamais kontaktais-išvadais, kai yra suformuoti N ≥ 3 atitinkami VT(1–N ) dariniai. Fig. 5–Fig. 7 yra parodytos įvairios elektroninės schemos su DFPĮ, kai N = 2, o Fig. 8 ir Fig. 9 yra parodytos atitinkamų schemų su DFPĮ įėjimuose Uin (1; 2; ...) ir išėjimuose Uiš (1; 2; 3; ...) veikiančių atitinkamų signalų u(in, iš) (1; 2; ...) (t) laikinės t diagramos. Fig. 1–Fig. 4 skaičiais ir simboliais yra pažymėta: 1–4 – atitinkamai pirmasis (1)– ketvirtasis (4), pavyzdžiui, n+–p–n–p laidumų puslaidininkiniai sluoksniai; 1.1, 2.1 ir 2.2 – kontaktai-išvadai, atitinkamai E, B1 ir B2; 5 ir 6 – n+– laidumų sritys; 5.1 ir 6.1 – kontaktai-išvadai, atitinkamai D1 ir D2; 5(1–N) ir 6(1–N) – n+– laidumų sritys su atitinkamais kontaktais-išvadais D(1–N ); 7, 7.(1–N ) – dielektrinis (ai) sluoksnis (ai); 8.(1–N ) – metalo (M) sluoksniai, atitinkamų užtūrų G(1–N ) kontaktai-išvadai; 9.(1–N ) – įterptų kanalų n– sritys, arba indukuotų kanalų n i – sritys; 10 – dielektrinis šilumai laidaus padėklas. Fig. 5–Fig. 7 skaičiais ir simboliais yra pažymėta: 1–7 – pirmasis–septintasis rezistoriai R(1–7); 8–10 – pirmasis–trečiasis apkrovų rezistoriai Ra (1–3); 11–16 – pirmasis–šeštasis kondensatoriai C(1–6); 17 – "žemė" – įtaiso nulinio potencialo šina; 18 ir 19 – pirmasis ir antrasis maitinimo pastoviųjų įtampų ε(1; 2) šaltiniai; 20–22 – pirmasis–trečiasis įtaiso įėjimų gnybtai Uin (1–3); 23–25 – pirmasis–trečiasis įtaiso išėjimų gnybtai Uiš (1–3); 26–28 – transformatorius (Tr), pirminė (I) ir antrinė (II) apvijos; 29 – įtaiso moduliacinis įėjimo gnybtas Uin M; 30 ir 31 – pirmasis ir antrasis induktoriai L(1; 2).
[0020] DFPĮ konstrukcijos pirmasis variantas (Fig. 1, a) yra sudarytas iš keturių vienas ant kito suformuotų, pavyzdžiui, n+–p–n–p laidumų sluoksnių (1–4), kai n+– ir p– sluoksniai (1; 2) sudaro DT darinio emiterį E ir bazę B su atitinkamais kontaktais-išvadais E (1.1) ir B(1; 2) (2.1; 2.2), ir p– sluoksnio (2) storis WB < LB, o p– sluoksnio (2) kontaktai-išvadai B1 (2.1) ir B2 (2.2) yra sudaryti p– sluoksnio (2) priešinguose kraštuose, neturinčiose sąlyčio su n+– ir n– sluoksniais (1) ir (3), kai n– sluoksnis (3) sudaro DT darinio kolektorių (K) be kontakto-išvado, ir kartu VT(1; 2) darinių ištakas (S) be kontakto-išvado. Ant n– sluoksnio (3) yra suformuotas VT(1; 2) darinių kanalų p– sluoksnis (4), kurio paviršiuje priešinguose kraštuose yra suformuotos dvi vienodos santakų (D(1; 2)) n+– sritys (5) ir (6) su atitinkamais kontaktais-išvadais D(1; 2) (5.1; 6.1), ir n+– sritys (5; 6), yra nutolusios viena nuo kitos atstumu l1 > dpn (4-5; 4-6) max, ir kartu nutolusios nuo n– sluoksnio (3) atstumu l2 > dpn [4-(5; 6); 4-3) max, ir kartu n– sluoksnio (3) storis l3 > dpn (3-4; 3-2) max. Ant p– sluoksnio (4) paviršių, esančių tarp n– sluoksnio (3) ir atitinkamų n+– sričių (5; 6) yra suformuoti atitinkami dielektriniai (D) sluoksniai (7.1) ir (7.2), ir ant jų paviršių yra suformuoti atitinkami metalo (M) sluoksniai (8.1) ir (8.2), sudarantys VT(1; 2) darinių MOP (MDP) užtūrų G(1; 2) atitinkamus kontaktus-išvadus (8.1; 8.2), ir taip yra suformuoti atitinkami MOP (MDP) VT(1; 2) dariniai su "normaliai uždarytais" – indukuotais n i – kanalais. Atitinkami n+– sluoksniai ir sritys (1; 5; 6) yra stipriai legiruotos donorinėmis priemaišomis Nd (1; 5; 6) = (1019–1021) cm–3, n– sluoksnis (3) yra vidutiniškai stipriai legiruotos donorinėmis priemaišomis Nd (3) = (1017–1019) cm–3, p– sluoksniai (2; 4) yra padarytas vidutiniškai stipriai legiruoti akceptorinėmis priemaišomis Na (2; 4) = (1017–1019) cm–3, o p– sluoksnyje (2) atitinkamos sritys p+– (2.1; 2.2) yra stipriai legiruotos akceptorinėmis priemaišomis Na (2.1; 2.2) =
[0021] = (1019–1021) cm–3.
[0022] DFPĮ konstrukcijos antrasis variantas (Fig. 1, a) yra sudarytas analogiškai DFPĮ konstrukcijos pirmajam variantui (Fig. 1, a), kai antrajame variante p– sluoksnio (4) paviršiuose po atitinkamomis MOP (MDP) užtūromis G(1; 2) (8.1; 8.2) tarp n– sluoksnio (3) ir atitinkamų n+– sričių (5; 6) yra suformuotos atitinkamų įterptų kanalų n– sritys (9.1) ir (9.2), kurios elektriškai sujungia n– sluoksnį (3) su atitinkamomis n+– sritimis (5; 6), ir taip yra suformuoti atitinkami MOP (MDP) VT(1; 2) dariniai su "normaliai atidarytais" n– kanalais, o visi kiti DFPĮ antrojo varianto konstrukciniai parametrai atitinka pirmojo DFPĮ varianto konstrukcijos parametrus.
[0023] DFPĮ konstrukcijos trečiasis variantas (Fig. 1, a) yra sudarytas analogiškai DFPĮ konstrukcijos pirmajam ir antrajam variantams (Fig. 1, a), kai trečiajame variante p– sluoksnio (2) storis WB > LB ir kartu WB < dpn (2-1; 2-3) max, ir taip vietoje DT darinio yra suformuotas PT darinys, o visi kiti DFPĮ trečioji varianto konstrukciniai parametrai atitinka pirmojo ir antrojo DFPĮ variantų parametrus.
[0024] Visų variantų DFPĮ konstrukcijos yra padarytos planarinės (paviršinės) technologijos būdu "horizontalios" konstrukcijos (Fig. 2), kai, pavyzdžiui, ant dielektrinio šilumai laidaus padėklo (10) yra suformuotas stačiakampio formos dep storio, D pločio ir L ilgio epitaksinis p– sluoksnis 2, kurio viename krašte D per visą storį dep yra suformuota stačiakampė n+– sritys (1) su kontaktu-išvadu E (1.1), o kitame krašte D simetriškai priešais n+– sritį (1) atstumu (WB + l3 + + l2) per visą storį dep atstumu l1 viena nuo kitos yra suformuotos vienodos dvi stačiakampės n+– sritys (5; 6), su atitinkamais kontaktais-išvadais D1 (5.1) ir D2 (6.1), ir n+– sričių (1; 5; 6) kraštinės yra lygiagrečios L ir D kraštinėms. Kraštinės L krytimi atstumu WB nuo n+– srities (1) per visą storį dep yra suformuota l3 pločio ir D ilgio stačiakampė n– sritis (3), kurios kraštinės l3 ir D yra atitinkamai lygiagrečios kraštinėms L ir D. Tarp n+– srities (1) ir n– sritis (3) suformuotos WB pločio p– srities (2) priešinguose galuose šalia kraštinių L yra suformuotos atitinkamos vienodos stačiakampės p+– sritys (2.1) ir (2.2) su atitinkamais kontaktais-išvadais B1 (2.1) ir B2 (2.2). Išilgai kraštinės D priešinguose n+– srities (1) galuose per visą storį dep yra suformuotos atitinkamos izoliacinės n– sritys (11; 12), užimančios visą atstumą nuo n+– srities (1) atitinkamo galo iki atitinkamos kraštinės L. Tarp n– srities (3) ir n+– sričių (5; 6) suformuotos l2 pločio p– srities (4) paviršiuje yra suformuotas dielektrinis sluoksnis (7) ir ant šio paviršiaus per visą plotį l2 priešais atitinkamą n+– sritį (5), bei (6), yra suformuoti atitinkami metalo (M) sluoksniai (8.1) ir (8.2), sudarantys atitinkamų užtūrų G(1; 2) kontaktu-išvadus (8.1; 8.2), o kitame DFPĮ variante p– srities (4) paviršiuje po atitinkamo metalo sluoksniu (8.1) ir (8.2) yra suformuotos atitinkamos n– sritys (9.1), bei (9.2), kurios elektriškai sujungia n– sluoksnį (3) su atitinkamomis n+– sritimis (5; 6).
[0025] Visų variantų DFPĮ konstrukcijos yra padarytos planarinės (paviršinės) technologijos būdu "vertikalios" konstrukcijos (Fig. 3), kai, pavyzdžiui, ant n+– laidumo puslaidininkinio kristalo (1) – įtaiso padėklo paviršiaus suformuoto epitaksinio p– laidumo dep storio sluoksnio (2) paviršiaus simetriškai per vidurį yra suformuota stačiakampė n– sritis (3), kurios įterpimo į epitaksinį p– sluoksnį 2 gylis h3 = dep – WB, ir ilgoji kraštinė L3 > D3 – plotis. Simetriškai per vidurį stačiakampėje n– srityje (3) yra suformuota stačiakampė p– sritis (4), kurios įterpimo į epitaksinį p– sluoksnį 2 gylis h4 = h3 – l3, ir kraštinės L4 < L3 ir D4 < D3 yra atitinkamai lygiagrečios kraštinėms L3 ir D3. Simetriškai per vidurį stačiakampėje p– srityje (4) atstumu l1 viena nuo kitos yra suformuotos dvi vienodos stačiakampės n+– sritys (5; 6), kurių įterpimo į epitaksinį p– sluoksnį 2 gyliai h(5; 6) < h4, ir atitinkamos kraštinės L(5; 6) < L4, bei D(5; 6) < D4, yra atitinkamai lygiagrečios kraštinėms L4 ir D4, o n+– sričių (5; 6) paviršiuose yra suformuoti atitinkami santakų D(1; 2) kontaktai-išvadai (5.1) ir (6.1). Tarp n– srities (3) ir n+– sričių (5; 6) suformuotos l2 pločio p– srities (4) paviršiuje yra suformuoti dielektriniai sluoksniai (7.1) ir (7.2), ir ant jų paviršių per visą plotį l2 priešais atitinkamą n+– sritį (5), bei (6), yra suformuoti atitinkami metalo (M) sluoksniai (8.1) ir (8.2), sudarantys atitinkamų užtūrų G(1; 2) kontaktus-išvadus (8.1; 8.2), o kitame DFPĮ variante p– srities (4) paviršiuje po atitinkamo metalo sluoksniu (8.1) ir (8.2) yra suformuotos atitinkamos n– sritys (9.1; 9.2), kurios elektriškai sujungia n– sluoksnį (3) su atitinkamomis n+– sritimis (5; 6). Epitaksinio p– sluoksnio (2) paviršiuje priešinguose n– srities (3) pusėse šalia D3 kraštinių yra suformuotos p+– sritys (2.1; 2.2) su atitinkamais kontaktais-išvadais B(1; 2). Ant n+– kristalo (1) laisvojo paviršiaus yra suformuotas kontaktas-išvadas E (1.1), arba kitame variante epitaksinio p– sluoksnio (2) paviršiuje priešinguose n– srities (3) pusėse šalia L3 kraštinių per visą storį dep yra suformuotos n+– sritys (1.11) ir (1.12) su atitinkamais kontaktais-išvadais E(1; 2).
[0026] Visų variantų DFPĮ yra padaryti planarinės (paviršinės) technologijos būdu "horizontalios" konstrukcijos (Fig. 4, a) su suformuotais atitinkamais MOP (MDP) VT(1–N) dariniais, su "normaliai atidarytais" arba "normaliai uždarytais" n– kanalais, kai N ≥ 3, o visi kiti DFPĮ parametrai atitinka "horizontalios" konstrukcijos DFPĮ varianto parametrus, kai N = 2. Kai N ≥ 3, MOP (MDP) VT(1–N) darinių atitinkamų santakų D(1–N) atitinkamos vienodos stačiakampės n+– sritys (5(1–N)) su atitinkamais kontaktais-išvadais D(1–N) (6(1–N)) atstumu l1 viena nuo kitos yra suformuotos p– sluoksnyje (2) per visą storį dep ir atstumu (WB + l3 + l2) simetriškai priešais iki n+– srities (1), o n+– sričių (5(1–N)) kraštinės yra lygiagrečios L ir D kraštinėms.
[0027] Visų variantų DFPĮ konstrukcijos yra padarytos planarinės (paviršinės) technologijos būdu "vertikalios" konstrukcijos (Fig. 4, b) su suformuotais atitinkamais MOP (MDP) VT(1–N) dariniais, su "normaliai atidarytais" arba "normaliai uždarytais" n– kanalais, kai N ≥ 3, o visi kiti DFPĮ parametrai atitinka "vertikalios" konstrukcijos DFPĮ varianto parametrus, kai N = 2. Kai N ≥ 3, DFPĮ p– sluoksnyje (2) gylyje h5 < h4 yra suformuotos MOP (MDP) VT(1–N ) darinių atitinkamų santakų D(1–N) atitinkamos vienodos stačiakampės n+– sritys (5(1–N )) su atitinkamais kontaktais-išvadais D(1–N) (6(1–N )), kurios yra išdėstytos atstumu l1 viena nuo kitos simetriškai poromis (51)-(5(N/2 + 1)), (52)-(5(N/2 + 2)), ... , (5N/2)-(5N), ir atstumu l2 iki šalia esančių n– srities (3) atitinkamų priešpriešinių kraštų paviršiuje, o n+– sričių (5(1–N )) kraštinės yra lygiagrečios L ir D kraštinėms. Tarp n– srities (3) ir atitinkamų šalia esančių n+– sričių (5(1–N )) suformuotos l2 pločio p– srities (4) paviršiuje yra suformuoti atitinkami dielektriniai sluoksniai (7.(1–N )) ir ant jų paviršių per visą plotį l2 priešais atitinkamą n+– sritį (5(1–N )) yra suformuoti atitinkami metalo (M) sluoksniai (8.(1–N )), sudarantys atitinkamų užtūrų G(1–N ) kontaktus-išvadus (8.(1–N )), o kitame DFPĮ variante p– srities (4) paviršiuje po atitinkamo metalo sluoksniu (8.(1–N )) yra suformuotos atitinkamos n– sritys (9.(1–N )) – kanalai, kurie elektriškai sujungia n– sluoksnį (3) su atitinkamomis n+– sritimis (5(1–N )). Epitaksinio p– sluoksnio (2) paviršiuje priešinguose n– srities (3) pusėse šalia atitinkamų D3 kraštinių yra suformuotos p+– sritys (2.1) ir (2.2) su atitinkamais kontaktais-išvadais B(1; 2). Ant n+– kristalo (1) laisvojo paviršiaus yra suformuotas kontaktas-išvadas E (1.1), arba kitame variante epitaksinio p– sluoksnio (2) paviršiuje priešinguose n– srities (3) pusėse šalia atitinkamų L3 kraštinių per visą storį dep yra suformuotos n+– sritys (1.11) ir (1.12) su atitinkamais kontaktais-išvadais E(1; 2).
[0028] Stiprintuvas (diferencinis (skirtuminis))-dažnių ω in (1–3) maišiklis (Fig. 5) yra padarytas su DFPĮ, turinčiu, pavyzdžiui, n–p–n laidumo DT ir "normaliai uždarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) darinius su atitinkamais kontaktais-išvadais: E (1.1), B(1; 2) (2.1; 2.2), G(1; 2) (8,1; 8.2) ir D(1; 2) (5,1; 6.1). DT kontaktai-išvadai B(1; 2) (2.1; 2.2) per R1 (1) yra sujungtas su "žeme" (17) ir kartu per R2 – su įtampos ε1 šaltinio (18) gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme" (17), ir kartu per C1 (11) – su gnybtu Uin 1 (20). DT kontaktas-išvadas E (1.1) per Ra 1 (8) yra sujungtas su "žeme" (17) ir kartu per C2 (12) – su gnybtu Uiš 1 (23), arba U*in 1. VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai G(1; 2) (8.1; 8.2) per atitinkamus R(3; 4) (3; 4) yra sujungti su "žeme" (17) ir kartu per atitinkamus R(5; 6) (5; 6) – su įtampos ε1 šaltinio (18) gnybtu "+", ir kartu per atitinkamus C(3; 4) (13; 14) – su atitinkamais gnybtais Uin (2; 3) (21, 22). VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai D(1; 2) (5.1; 6.1) per atitinkamus Ra (2; 3) (9; 10) yra sujungti su įtampos ε1 šaltinio (18) gnybtu "+" ir kartu per atitinkamus C(5; 6) (15; 16) – su atitinkamais gnybtais Uiš (2; 3) (24; 25).
[0029] Analogo trūkumams pašalinti stiprintuvas (diferencinis (skirtuminis))-dažnių ω in (1–3) maišiklis (Fig. 5) yra padarytas su DFPĮ, turinčiu, pavyzdžiui, n–p–n laidumo DT ir "normaliai atidarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) darinius su atitinkamais kontaktais-išvadais: E (1.1), B(1; 2) (2.1; 2.2), G(1; 2) (8,1; 8.2) ir D(1; 2) (5,1; 6.1). DT kontaktai-išvadai B(1; 2) (2.1; 2.2) per R1 (1) yra sujungtas su "žeme" (17) ir kartu per R2 (2) – su įtampos ε1 šaltinio (18) gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme" (17), ir kartu per C1 (11) – su gnybtu Uin 1 (20). DT kontaktas-išvadas E (1.1) per Ra 1 (8) yra sujungtas su "žeme" (17), ir kartu per C2 (12) – su gnybtu Uiš 1 (23), arba U*in 1. VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai G(1; 2) (8.1; 8.2) per atitinkamus R(3; 4) (3; 4) yra sujungti su "žeme" (17) ir kartu per atitinkamus R(5; 6) (5; 6) – su įtampos ε2 šaltinio (19) gnybtu "–", o gnybtas "+" – su "žeme" (17), ir kartu per atitinkamus C(3; 4) (13; 14) – su atitinkamais gnybtais Uin (2; 3) (21; 22). VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai D(1; 2) (5.1; 6.1) per atitinkamus Ra (2; 3) (9; 10) yra sujungti su įtampos ε1 šaltinio (18) gnybtu "+" ir kartu per atitinkamus C(5; 6) (15; 16) – su atitinkamais gnybtais Uiš (2; 3) (24; 25).
[0030] Impulsų formuotuvas (Fig. 6) yra padarytas su DFPĮ, turinčiu, pavyzdžiui, n–p–n laidumo PT ir "normaliai uždarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) darinius su atitinkamais kontaktais-išvadais: E (1.1), B(1; 2) (2.1; 2.2), G(1; 2) (8,1; 8.2) ir D(1; 2) (5,1; 6.1). PT kontaktas-išvadas E (1.1) per Ra 1 (8) yra sujungtas su "žeme" (17) ir kartu per C1 (11) – su gnybtu Uiš 1 (23), ir kartu per atitinkamus C(2; 3) (12; 13) – su atitinkamais kontaktais-išvadais G(1; 2) (8.1; 8.2), kurie per atitinkamus R(3; 4) (3; 4) – su "žeme" (17), ir kartu per atitinkamus R(5; 6) (5; 6) – su įtampos ε1 šaltinio (18) gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme". PT kontaktai-išvadai B(1; 2) (2.1; 2.2) per atitinkamus R(1; 2) (1; 2) yra sujungti su Tr (26) apvijos II (28) išvadais, o Tr (26) apvijos I (27) išvadai – atitinkamai su gnybtu Uin 1 (20) ir su "žeme" (17). VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai D(1; 2) (5.1; 6.1) per atitinkamus Ra (2; 3) (9; 10) yra sujungti su įtampos ε1 šaltinio (17) gnybtu "+", ir kartu per atitinkamus C(4; 5) (14; 15) – su atitinkamais gnybtais Uiš (2; 3) (24; 25).
[0031] Impulsų formuotuvas (Fig. 6) yra padarytas su DFPĮ, turinčiu, pavyzdžiui, n–p–n laidumo PT ir "normaliai atidarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) darinius su atitinkamais kontaktais-išvadais: E (1.1), B(1; 2) (2.1; 2.2), G(1; 2) (8,1; 8.2) ir D(1; 2) (5,1; 6.1). PT kontaktas-išvadas E (1.1) per Ra 1 (8) yra sujungtas su "žeme" (17) ir kartu per C1 (11) – su gnybtu Uiš 1 (23), ir kartu per atitinkamus C(2; 3) (12; 13) – su atitinkamais kontaktais-išvadais G(1; 2) (8.1; 8.2), kurie per atitinkamus R(3; 4) (3; 4) – su "žeme" (17), ir kartu per atitinkamus R(5; 6) (5; 6) – su įtampos ε2 šaltinio (19) gnybtu "–", o gnybtas "+" – su "žeme" (17). PT kontaktai-išvadai B(1; 2) (2.1; 2.2) per atitinkamus R(1; 2) (1; 2) yra sujungti su Tr (26) apvijos II (28) išvadais, o Tr (26) apvijos I (28) išvadai – atitinkamai su gnybtu Uin 1 (20) ir su "žeme" (17). VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai D(1; 2) (5.1; 6.1) per atitinkamus Ra (2; 3) (9; 10) yra sujungti su įtampos ε1 šaltinio (18) gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme" (17), ir kartu per atitinkamus C(4; 5) (14; 15) – su atitinkamais gnybtais Uiš (2; 3) (24; 25).
[0032] Generatorius (Fig. 7) yra padarytas su DFPĮ, turinčiu, pavyzdžiui, n–p–n laidumo DT ir "normaliai uždarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) darinius, turinčius atitinkamus kontaktus-išvadus: E (1.1), B(1; 2) (2.1; 2.2), G(1; 2) (8.1; 8.2) ir D(1; 2) (5.1; 6.1). DT kontaktas-išvadas E (1.1) per R1 (1) yra sujungtas su "žeme" (17) ir kartu per C(1; 2) (11;12), bei kitame variante ir per atitinkamus induktorius L(1; 2) (30; 31) – su atitinkamais kontaktais-išvadais G(1; 2) (8.1; 8.2), kurie per atitinkamus R(4; 5) (4; 5) – su "žeme" (17), ir kartu per atitinkamus R(6; 7) (6; 7) – su įtampos ε1 šaltinio (18) gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme" (17). DT kontaktai-išvadai B(1; 2) (2.1; 2.2) per R2 (2) yra sujungti su "žeme" (17) ir kartu per R3 (3) – su įtampos ε1 šaltinio (18) gnybtu "+", ir kartu per C5 (15) – su gnybtu Uin M (29). VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai D(1; 2) (5.1; 6.1) per atitinkamus Ra (1; 2) (8; 9) yra sujungti su įtampos ε1 šaltinio (18) gnybtu "+" ir kartu per atitinkamus C(3; 4) (13; 14) – su atitinkamais gnybtais Uiš (1; 2) (23; 24).
[0033] Generatorius (Fig. 7) yra padarytas su DFPĮ turinčiu, pavyzdžiui, n–p–n laidumo DT ir "normaliai atidarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) darinius, turinčius atitinkamus kontaktus-išvadus: E (1.1), B(1; 2) (2.1; 2.2), G(1; 2) (8.1; 8.2) ir D(1; 2) (5.1; 6.1). DT kontaktas-išvadas E (1.1) per R1 (1) yra sujungtas su "žeme" (17) ir kartu per C(1; 2) (11;12), bei kitame variante ir per atitinkamus induktorius L(1; 2) (30; 31) – su atitinkamais kontaktais-išvadais G(1; 2) (8.1; 8.2), kurie per atitinkamus R(4; 5) (4; 5) – su "žeme" (17), ir kartu per atitinkamus R(6; 7) (6; 7) – su įtampos ε2 šaltinio (19) gnybtu "–", o gnybtas "+" – su "žeme" (17). DT kontaktai-išvadai B(1; 2) (2.1; 2.2) per R2 (2) yra sujungti su "žeme" (17) ir kartu per R3 (3) – su įtampos ε1 šaltinio (18) gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme" (17), ir kartu per C5 (15) – su gnybtu Uin M (29). VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai D(1; 2) (5.1; 6.1) per atitinkamus Ra (1; 2) (8; 9) yra sujungti su įtampos ε1 šaltinio (18) gnybtu "+" ir kartu per atitinkamus C(3; 4) (13; 14) – su atitinkamais gnybtais Uiš (1; 2) (23; 24).
[0034] Stiprintuvas (diferencinis (skirtuminis))-dažnių ω in (1–3) maišiklis (Fig. 5) su DFPĮ, turinčiu, pavyzdžiui, n–p–n laidumo DT ir "normaliai uždarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) darinius, veikia tokiu būdu.
[0035] Įjungia maitinimo šaltinio (18) įtampą ε1 ir DT veikos tašką "cDT" –{IK o, UKE o} išėjimo voltamperinėje charakteristikoje (VACh) nustato apkrovos [Ra 1 + (RSD 1 o + Ra 2)||(RSD 2 o + Ra 3)] tiesės viduryje, o VT(1; 2) veikos taškus "cVT (1; 2)" –{ID (1; 2) o, UDS (1; 2) o} – išėjimų VACh apkrovų (Ra (2; 3) + RKE o+ Ra 1) tiesių viduriuose, kai DT veikia bendro emiterio (BE) arba emiterinio kartotuvo (EK) pakopose, o VT(1; 2) – bendros užtūros (BU) arba bendros ištakos (BI) pakopose, čia: RKE o ir RSD (1; 2) o – DT ir VT(1; 2) atitinkamų kontaktų K-E ir S-D(1; 2) varžos atitinkamuose veikų taškuose "cDT" ir "cVT (1; 2)"; IK o = α o•IE o ir UKE o – DT kolektoriaus K ir emiterio E (1.1) srovės, bei K-E įtampa veikos taške "cDT", ir tuo tikslu, esant parinktoms įtampos ε1 (18) ir Ra 1 (8) vertėms, parenka rezistorinio daliklio R1||R2 (1; 2) atitinkamą ε1 (18) dalinimo vertę k1 =
[0036] = R1 /(R1 + R2); ID (1; 2) o = IS (1; 2) o ≅ IK o /2 ir UDS (1; 2) o – VT(1; 2) santakų D(1; 2) (5.1; 6.1) ir ištakų S srovės, bei D(1; 2)-S įtampos veikos taškuose "cVT (1; 2)", ir tuo tikslu, esant parinktoms ε1 (18) ir Ra (2; 3) (9; 10) vertėms, parenka rezistorinių daliklių R(3; 4)||R(5; 6) (3–6) atitinkamas ε1 dalinimo vertes: k(2; 3) = R(3; 4) /(R(3; 4) + R(5; 6)).
[0037] Kai poveikio signalą u in 1 (t) = Uo in 1•sin (ω in 1•t), čia: Uo in 1 – amplitudė; ω in 1 – ciklinis dažnis, paduoda tik į gnybtą Uin 1 (20), tai šiuo atveju gnybtuose Uiš (1–3) (23–25) atitinkami signalai u iš (1–3) (t) ≅ Ku (1–3) (1)•u in 1 (t) ir atitinkami diferencialiniai stiprinimo koeficientai
[0038] Ku (1–3) (1) yra:
[0039]
[0040] čia: Uo iš (1–3) – gnybtuose Uiš (1–3) (23–25) įtampų u iš (1–3) (t) amplitudės; SDT = IK /φ T – DT diferencialinis statumas, čia: φ T = k•T /q – temperatūrinis koeficientas, čia: k – Bolcmono konstanta; T – absoliutinė temperatūra; q – elementarusis krūvis; Sg (1; 2) ≅ 2•ID (1; 2) o /Us (1; 2) – VT(1; 2) diferencialiniai statumai BU schemose, čia: Us (1; 2) – VT(1; 2) užtūrų G(1; 2)-ištakų S slenkstinės valdymo įtampos, kai VT(1; 2) yra "uždarytose" būsenose ir todėl RSD (1; 2) =
[0041] = RSD (1; 2) max = (0,1–1) MΩ, ir daugiau, ir iš čia, kai: Ra 1 = 1 kΩ, Ra (2; 3) = 10 kΩ, RSD (1; 2) o = 300 Ω, IK o = 10 mA, ID (1; 2) o = IK o /2 = 5 mA, Us (1; 2) = 1V ir φ T = 0,026 V, gauname: Ku (2; 3) (1) ≅
[0042] ≅ 1,98•102, o srovės i in 1 (t) diferencialiniai stiprinimo koeficientai: Ki 1 (1) ≅ β ≅ β o ≡ 100 – DT bazės B pastoviosios srovės IB stiprinimo koeficiento priimta vertė (IK = β o•IB); Ki (2; 3) (1) ≅
[0043] ≅ Ki 1 (1) /2 ≅ 50, ir iš čia galios Piš (1–3) (1) diferencialiniai stiprinimo koeficientai: Kp 1 (1) =
[0044] = Ku 1 (1)•Ki 1 (1) ≅ 100; Kp (2; 3) (1) = Ku (2; 3) (1)•Ki (2; 3) (1) ≅ 9,9•103.
[0045] Kai poveikio signalą u*in 1 (t) = U *o in 1•sin (ω *in 1•t), čia: U *o in 1 – amplitudė; ω *in 1 – ciklinis dažnis, paduoda tik į gnybtą U*in 1 (23), tai šiuo atveju gnybtuose Uiš (2; 3) (24; 25) atitinkami signalai u iš (2; 3) (t) ≅ Ku (2; 3) (1*)•u*in 1 (t) ir atitinkami diferencialiniai stiprinimo koeficientai Ku (2; 3) (1*) yra:
[0046]
[0047] ir iš čia, kai visi parametrai yra tie patys, gauname: Ku (2; 3) (1*) ≅ 1,9•105, srovės i*in 1 (t) diferencialiniai stiprinimo koeficientai: Ki (2; 3) (1*) ≅ 0,5, ir iš čia galios Piš (2; 3) (1*) diferencialiniai stiprinimo koeficientai: Kp (2; 3) (1*) = Ku (2; 3) (1*)•Ki (2; 3) (1*) ≅ 9,5•104.
[0048] Kai poveikio signalą u in (2; 3) (t) = Uo in (2; 3)•sin (ω in (2; 3)•t), čia: Uo in (2; 3) – amplitudė;
[0049] ω in (2; 3) – ciklinis dažnis, paduoda tik į atitinkamą gnybtą Uin (2; 3) (21; 22), tai šiuo atveju gnybtuose Uiš (1–3) (23–25) atitinkami signalai u iš (1–3) (t) ≅ Ku (1–3) (2; 3)•u in (2; 3) (t) ir atitinkami diferencialiniai stiprinimo koeficientai Ku (1–3) (2; 3) yra:
[0050]
[0051]
[0052] čia: S(s, g) (1; 2) ≡ Sg (1; 2) – VT(1; 2) diferencialiniai statumai BI ir BU schemose, ir iš čia, kai RKE o =
[0053] = 300 Ω, o visi kiti parametrai yra tie patys, gauname: Ku (2; 3) (2; 3) ≅ 88,5, o srovės i in (2; 3) (t) diferencialiniai stiprinimo koeficientai: Ki (2; 3) (2; 3) ≅ (IK o /2)/(u in (2; 3) (t)/R(3; 4)), ir iš čia galios
[0054] Piš (2; 3) (2; 3) diferencialiniai stiprinimo koeficientai: Kp (2; 3) (2; 3) ≅ Ku (2; 3) (2; 3)•Ki (2; 3) (2; 3).
[0055] Kai poveikių signalus u in 2 (t) = Uo in 2-3•sin (ω in 2-3•t) ir u in 3 (t) = Uo in 2-3•sin (ω in 2-3•t π) kartu paduoda į atitinkamus gnybtus Uin (2; 3) (21; 22), tai šiuo atveju gnybtuose Uiš (2–3) (24; 25) diferencinė (skirtuminė) įtampa u iš 2–3 (t) = 2•Ku (2; 3) (2; 3)•u in 2-3 (t) ≅ 2•88,5 = 177.
[0056] Schemos Fig. 5 išėjimų gnybtuose Uiš (1–3) (23–25) atitinkamų signalų u iš (1–3) (t) fazės
[0057] φ iš (1–3) o atžvilgiu atitinkamų signalų u in (1–3) (t) įėjimų gnybtuose Uin (1–3) (20–22) yra:
[0058]
[0059] Kai schemoje (Fig. 5) poveikių signalus u in (1–3) (t) paduoda kartu poromis arba visus į atitinkamus gnybtus Uin (1–3) (20; 22), tai šiuo atveju schema (Fig. 5) veikia kaip signalų
[0060] u in (1–3) (t) maišiklis ir gnybtuose Uiš (1–3) (23–25) yra formuojami neharmoniniai sudėtinio spektro atitinkami sustiprinti signalai u iš (1–3) (1-2; 1-3; 2-3, 1-2-3) (t), nes šiuo atveju DT ir VT(1; 2) diferencialiniai statumai S(DT; VT(1; 2)) (u in (1–3) (t)) – signalų u in (1–3) (t) funkcijos, ir iš čia signalų
[0061] u iš (1–3) (1-2; 1-3; 2-3, 1-2-3) (t) harmonikas sudaro atitinkami kombinaciniai dažniai ω iš (1–3) k :
[0062]
[0063] čia: n, m, e = 1; 2; 3;… , ir tai praplečia įtaiso funkcines savybes.
[0064] Kai stiprintuvas (diferencinis (skirtuminis))-dažnių ω in (1–3) maišiklis (Fig. 5) yra padarytas su DFPĮ, turinčiu, pavyzdžiui, n–p–n laidumo DT ir "normaliai atidarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) darinius, tai šiuo atveju normalią veiką užtikrina įjungdami papildomą pastoviosios įtampos ε2 šaltinį 19 ir VT(1; 2) veikos taškus "cVT (1; 2)" –{ID (1; 2) o, UDS (1; 2) o} – išėjimų VACh apkrovų (Ra (2; 3) + RKE o + Ra 1) tiesių viduriuose nustato parinkdami rezistorinių dalikliu
[0065] R(3; 4)||R(5; 6) (3–6) atitinkamas ε2 dalinimo vertes: k(2; 3) = R(3; 4) /(R(3; 4) + R(5; 6)), ir šiuo atveju schema (Fig. 5) veikia taip pat ir turi tokius pat parametrus.
[0066] Impulsų formuotuvas (Fig. 6) su DFPĮ, turinčiu, pavyzdžiui, n–p–n laidumo PT ir "normaliai uždarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) darinius, veikia tokiu būdu.
[0067] Įjungia maitinimo šaltinio (18) įtampą ε1 ir DT, bei VT(1; 2), atitinkami veikos taškai "aDT" –{Is K, ε1} ir "cVT (1; 2)" –{Is K /2, 0}, atitinkamų išėjimo VACh atitinkamose apkrovų tiesėse nusistato atkirtos "aDT" ir aktyviųjų veikų "cVT (1; 2)" taškuose, ir todėl DT yra "išjungtoje" – "uždarytoje" būsenoje, kurioje kontaktų K-E varža RKE (t) = RKE max = (0,1–1) MΩ, ir daugiau, o VT(1; 2) yra "normaliai atidarytose" būsenose, kuriose kontaktų, kuriose jų atitinkamų kontaktų D(1; 2)-S atitinkamos varžos RDS (1; 2) (t) = RDS (1; 2) o = (0,1–1) kΩ, ir todėl teka atitinkamos srovės: 2•ID (1; 2) o ≅ IK o ≡ Is K = (10–100) µA, ir mažiau – DT kolektoriaus-emiterio (K-E) atgalinė soties srovė. VT(1; 2) "normaliai atidarytas" būsenas nustato parinkdami rezistorinių daliklių R(3; 4)||R(5; 6) (3–6) atitinkamas ε1 dalinimo vertes k(2; 3) iš sąlygos: Us (1; 2) < UG (1; 2) o < 2•Us (1; 2), kai UG (1; 2) o = k(2; 3)•ε1, čia: Us (1; 2) – užtūrų G(1; 2) (8.1; 8.2) slenkstinės įtampos, kai VT(1; 2) yra "pradarytose" būsenose, kuriose ID (1; 2) ≅ 0,1•ID (1; 2) max. Laiko t pradiniu momentu to = 0 į gnybtą Uin 1 (20) paduoda, pavyzdžiui, harmoninį signalą u in 1 (t) = Uo in 1•sin (ω in 1•t) (Fig. 8, a) su amplitude Uo in 1 ≥ Uin s – slenkstinė įtampa, kai PT kontaktais-išvadais B(1; 2) (2.1; 2.2) tekanti srovė i BB (t) ≥ IBB s – slenkstinė srovė, kai PT bazės p– sluoksnyje (2) (Fig. 1, a) įvyksta p–n sandūrų 1-2 ir 3-2 nuskurdintų sričių sąlytis (susiliejimas), ir todėl PT persijungia į "įjungtą" – "atidarytą" būseną, kurioje varža RKE (t) = RKE min = (1–10) Ω, ir mažiau. Iš čia išplaukia schemos (Fig. 6) valdymo grandinės Uin 1 (20) parametrų apskaičiavimo išraiškos: Uin s•k21 /(R1 + R2 + RBB s) =
[0068] = IBB s, k21 = n2 /n1, čia: RBB s – PT kontaktų-išvadų B(1; 2) (2.1; 2.2) varža "įjungtoje" būsenoje; n1 ir n2 – Tr (26) atitinkamai apvijų I (17) ir II (28) vijų skaičius. Signalo
[0069] u in 1 (t) > 0 – teigiamo pusperiodžio T1 /2 = π /ω in 1 metu laiko momentu t1 įtampa u in 1 (t1) ≥ Uin s (Fig. 8, a) ir per "atidarytus" PT ir VT(1; 2) pradeda tekėti atitinkamos srovės: 2•i D (1; 2) (t) ≅ i K (t), ir todėl gnybte Uiš 1 (23) atsiranda įtampa Δu iš 1 (t) = i K (t)•Ra 1 > 0, kuri per C(2; 3) (12; 13) patenka į atitinkamas užtūras G(1; 2) (8.1; 8.2) ir dar labiau "atidaro" VT(1; 2), o tai lemia srovių 2•i D (1; 2) (t) ≅ i K (t) spartesnį didėjimą – veikia teigiamasis grįžtamasis rišis, ir todėl PT ir VT(1; 2) santykinai sparčiai per 1 ns, ir mažiau, persijungia į visiškai "atidarytas" būsenas, o šio proceso metu gnybtuose Uiš (1–3) (23–25) yra formuojami atitinkamų signalu u iš (1–3) (t) frontai t(r 1; f (2; 3)) (Fig. 8, b ir c). Laiko momentu t2 įtampa u in 1 (t1) ≤ Uin s (Fig. 8, a) ir PT "išsijungia" – persijungia į visiškai "uždarytą" būseną, nes p–n sandūrų 1-2 ir 3-2 nuskurdintų sričių p– sluoksnyje (2) (Fig. 1, a) sąlytis išnyksta, ir todėl RKE (t2) = RKE max, o tai lemia atitinkamų srovių 2•i D (1; 2) (t) ≅ i K (t) mažėjimą –Δi K (t), ir todėl gnybte Uiš 1 (23) atsiranda įtampa –Δu iš 1 (t) = –Δi K (t)•Ra 1 < 0, kuri per C(2; 3) (12; 13) patenka į atitinkamas užtūras G(1; 2) (8.1; 8.2) ir "uždaro" VT(1; 2), o tai lemia srovių 2•i D (1; 2) (t) ≅ i K (t) spartesnį mažėjimą – veikia teigiamasis grįžtamasis rišis, ir todėl PT ir VT(1; 2) santykinai sparčiai per 1 ns, ir mažiau, persijungia į visiškai "uždarytas" būsenas, o šio proceso metu gnybtuose Uiš (1–3) (23–25) yra formuojami atitinkamų signalu u iš (1–3) (t) frontai t(f 1; r (2; 3)) (Fig. 8, b ir c). Signalo u in 1 (t) < 0 – neigiamo pusperiodžio T1 /2 metu laiko momentu t3 įtampa |–u in 1 (t1)| ≥ |–Uin s| (Fig. 8, a) ir PT yra "atidaromas", o laiko momentu t4 įtampa |–u in 1 (t1)| ≤ |–Uin s| (Fig. 8, a) ir PT yra "uždaromas", ir procesai kartojasi – schemos (Fig. 6) gnybtuose Uiš (1–3) (23–25) yra formuojami atitinkamų signalu u iš (1–3) (t) impulsai (Fig. 8, b ir c) su atitinkamomis amplitudėmis Uo iš (1–3):
[0070]
[0071] čia: RDS (1; 2) min – visiškai "atidarytų" VT(1; 2) varžos RDS (1; 2) (t) = RDS (1; 2) min = (1–10) Ω, ir mažiau; dažniais ω iš (1–3) = 2•ω in 1; ir fazėmis |φ iš 1 o – φ iš (2; 3) o| = 180° (π rad).
[0072] Kai impulsų formuotuvas (Fig. 6) yra padarytas su DFPĮ, turinčiu, pavyzdžiui, n–p–n laidumo PT ir "normaliai atidarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) darinius, tai šiuo atveju normalią veiką užtikrina įjungdami papildomą pastoviosios įtampos ε2 šaltinį 19 ir VT(1; 2) veikos taškus "cVT (1; 2)" –{ID (1; 2) o, UDS (1; 2) o} – išėjimų VACh apkrovų (Ra (2; 3) + RKE o + Ra 1) tiesių viduriuose nustato parinkdami rezistorinių dalikliu R(3; 4)||R(5; 6) (3–6) atitinkamas ε2 dalinimo vertes: k(2; 3) = R(3; 4) /(R(3; 4) + R(5; 6)), ir šiuo atveju schema (Fig. 6) veikia taip pat ir turi tokius pat parametrus.
[0073] Generatorius (Fig. 7) su DFPĮ, turinčiu, pavyzdžiui, n–p–n laidumo DT ir "normaliai uždarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) darinius, veikia tokiu būdu.
[0074] Įjungia maitinimo šaltinio (18) įtampą ε1 ir DT, bei VT(1; 2), veikos taškus "cDT" – {IK o, UKE o} ir "cVT (1; 2)" –{ID (1; 2) o, UDS (1; 2) o} atitinkamų išėjimų VACh atitinkamose apkrovų [R1 + (RSD 1 o + Ra 1)||(RSD 2 o + Ra 2)] ir (Ra (2; 3) + RKE o+ Ra 1) tiesėse nustoto viduryje, ir tuo tikslu, esant parinktoms įtampos ε1 (18) ir R(1; a 1; a 2) (1; 8; 9) vertėms, parenka rezistorinių daliklių R2||R3 (2; 3), R(4; 5)||R(6; 7) (4–7) atitinkamas ε1 (18) dalinimo vertes: k*1 = R2 /(R1 + R3) ir k*(2; 3) = R(4; 5) /(R(4; 5) + R(6; 7)). Dėl fliuktuacijų, pavyzdžiui, DT bazės B kontakto-išvado B(1; 2) (2.1; 2.2) įtampa "žemės" (┴) (17) atžvilgiu UB┴ o = k*1•ε1 > 0 laiko momentu to padidėja dydžiu ΔUB << UB┴ o, ir todėl padidėja DT kolektoriaus (K) srovė i K (t) = IK o + ΔIK, o tai lemia DT emiterio E (1.1) įtampos u E┴ (t) = (IK o + ΔIK)•R1 /α o padidėjimą dydžiu ΔUE┴ = ΔIK•R1 /α o > 0, čia: α o = IK /IE – DT emiterio E srovės perdavimo koeficientas. Įtampos pokytis ΔUE┴ per C(1; 2) (11; 12) patenka į atitinkamus kontaktus-išvadus G(1; 2) (8.1; 8.2) ir papildomai "pradaro" VT(1; 2), o tai lemia srovės i K (t) ir kartu įtampos u E┴ (t) dar spartesnį didėjimą – veikia teigiamasis grįžtamasis rišis, ir todėl DT, bei VT(1; 2), santykinai sparčiai per 1 ns, ir mažiau, persijungia į visiškai "atidarytas" būsenas, o šio proceso metu gnybtuose Uiš (1; 2) (23; 24) yra formuojami atitinkamų signalu u iš (1; 2) (t) frontai t f (1; 2) (Fig. 9). Laiko momentu t1 srovė i K (t) sumažėja dydžiu –ΔIK ir dėl teigiamojo grįžtamojo ryšio DT, bei VT(1; 2), santykinai sparčiai per 1 ns, ir mažiau, persijungia į visiškai "uždarytas" būsenas, o šio proceso metu gnybtuose Uiš (1; 2) (23; 24) yra formuojami atitinkamų signalu u iš (1; 2) (t) frontai t r (1; 2) (Fig. 9). Toliau procesai kartojasi ir schemos (Fig. 7) gnybtuose Uiš (1; 2) (23; 24) yra formuojami atitinkamų signalu u iš (1; 2) (t) impulsai (Fig. 9) su atitinkamomis amplitudėmis Uo iš (1; 2):
[0075]
[0076]
[0077] Kai DT, bei VT(1; 2), yra visiškai "atidarytose" būsenose, ir tai Fig. 9 atitinka laiko tarpai Δt1 ≅ t1 – t0 ≅ t3 – t2 ≅ t5 – t4, ir t. t., DT gali būti soties būsenoje, kurioje įtampa UKB ≤ 0, ir todėl abi p–n sandūros 3-2 ir 1-2 (Fig.1, a) yra "atidarytos" – įjungtos tiesioginėmis kryptimis, ir tai lemia nepusiausvyrinių šalutinių krūvininkų – elektronų np kaupimą bazėje B – p– sluoksnyje (2), ir kartu skylių pn kaupimą kolektoriuje K – n– sluoksnyje (3), o tai lemia didesne trukmę Δt1 dėl np ir pn išsiurbimo laiko ts, "persijungiant" DT iš visiškai "atidarytos" būsenos į visiškai "uždarytą" būseną. Kai DT, bei VT(1; 2), yra visiškai "uždarytose" būsenose, ir tai Fig. 9 atitinka laiko tarpai Δt2 ≅ t2 – t1 ≅ t4 – t3 ≅ t6 – t5, ir t. t., laikas ts = 0 ir todėl Δt2 < Δt1. Schemos (Fig. 7) gnybtuose Uiš (1; 2) (23; 24) generuojamų impulsinių signalų u iš (1; 2) (t) (Fig. 9) dažnis f iš (1; 2) ≅
[0078] ≅ 1/(Δt1 + Δt2) = 1/(t r (1; 2) + t f (1; 2) + ts). Frontų trukmes t (r, f ) (1; 2) lemia DT, bei VT(1; 2), ribiniai dažniai f T (DT, VT (1; 2)) ~ 1/(WB, l2).
[0079] Kai į gnybtą Uin M (29) paduoda moduliacijos signalą u in M (t), generuojamų signalų u iš (1; 2) (t) (Fig. 9) parametrai yra valdomi, pavyzdžiui, formuoja Δt RI ≥ Δt1 + Δt2 trukmės radijo impulsus, kai pauzės laike Δt p videoimpulsai u in M (t) < 0 su amplitude Uo in M ≥ 1V, ir generacijos laike Δt RI videoimpulsai u in M (t) = 0.
[0080] Schemos (Fig. 7) kitame variante su įjungtais induktoriais L(1; 2) (30; 31) gnybtuose Uiš (1; 2) (23; 24) yra generuojami atitinkami harmoniniai signalai u iš (1; 2) (t) ≅ Uo iš (1; 2)sin (ω iš (1; 2)•t) su atitinkamais cikliniais dažniais ω iš (1; 2) ≅ (L(1; 2)•C(1; 2))–0,5, ir tai padidina įtaiso funkcines savybes. Šiuo atveju moduliacijos signalų u in M (t) taip pat moduliuoja signalų u iš (1; 2) (t) parametrus, pavyzdžiui, formuoja radijo impulsus arba atlieka signalų u iš (1; 2) (t) amplitudinę moduliaciją, ir tai papildomai padidina įtaiso funkcines savybes.
[0081] Kai generatorius (Fig. 7) yra padarytas su DFPĮ, turinčiu, pavyzdžiui, n–p–n laidumo DT ir "normaliai atidarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) darinius, tai šiuo atveju normalią veiką užtikrina įjungdami papildomą pastoviosios įtampos ε2 šaltinį (19) ir VT(1; 2) veikos taškus "cVT (1; 2)" –{ID (1; 2) o, UDS (1; 2) o} – išėjimų VACh apkrovų (Ra (1; 2) + RKE o + R1) tiesių viduriuose nustato parinkdami rezistorinių dalikliu R(4; 5)||R(6; 7) (4–7) atitinkamas ε2 dalinimo vertes: k*(2; 3) = R(4; 5) /(R(4; 5) + R(6; 7)), ir šiuo atveju schema (Fig. 7) veikia taip pat ir turi tokius pat parametrus.
[0082] Kai schemos (Fig. 5– Fig. 7) yra padarytos su DFPĮ, turinčiais, pavyzdžiui, n–p–n laidumo DT arba PT, ir N ≥ 3 VT(1–N ) darinių, tai visais šiais atvejais atitinkamos schemos (Fig. 5– Fig. 7) veikia taip pat su atitinkamais įėjimų gnybtais: Uin (1; 1–N ) (Fig. 5), bei atitinkamais išėjimų gnybtais: Uiš (1; 1–N ) (Fig. 5) ir Uiš (1–N ) (Fig. 6 ir Fig. 7), ir tai padidina įtaisų funkcines savybes.
[0083] Palyginus su analogu, pasiūlyti DFPĮ variantai pasižymi didesnėmis valdymo funkcinėmis savybėmis, didesne veikimo sparta – perjungimų frontai t(r, f ) ≤ 1 ns, integriniu išpildymu ir galimybe veikti įvairios paskirties elektroniniuose įrenginiuose: stiprintuvuose, impulsų formuotuvuose, generatoriuose, dažnio keitikliuose ir maišikliuose.
1. Daugiafunkcinis puslaidininkinis įtaisas (DFPĮ) yra sudarytas iš: pirmojo (1) elektroninio (n) laidumo stipriai legiruoto n+– sluoksnio – emiterio (E) ir vidutiniškai stipriai legiruotų antrojo (2) skylinio (p) laidumo p– sluoksnio – bazės, bei trečiojo (3) n– sluoksnio – kolektoriaus (K), sudarančių n+–p–n puslaidininkinį (P) darinį (1–3) su dvejomis p–n sandūromis (1-2) ir (2-3), kuriame p– sluoksnio (2) storis WB < LB – šalutinių krūvininkų – elektronų np difuzijos nuotolis p– sluoksnyje (2), ir kartu WB > dpn [(2-1); (2-3)] o – atitinkamų p–n sandūrų (2-1) ir (2-3) nuskurdintų sričių p– sluoksnyje (2) neutralūs storiai, kai p–n sandūras (2-1) ir (2-3) neveikia įtampos Upn [(2-1); (2-3)] = 0, ir sluoksniai (1)–(3) turi atitinkamus ominius kontaktus-išvadus: (1.1) – emiterio (E), (2.1) – bazės (B1) ir (3.1) – kolektoriaus (K), sudarančių dvipolio tranzistoriaus (DT) darinį, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad pirmajame variante p– sluoksnis (2) turi du kontaktus-išvadus B1 (2.1) ir B2 (2.2), kurie yra sudaryti p– sluoksnio (2) priešinguose kraštuose, neturinčiose sąlyčio su n+– ir n– sluoksniais (1) ir (3), ant n– sluoksnio (3) – K, kartu ir ištaka (S), yra suformuotas ketvirtasis (4) p– sluoksnis – kanalas, kurio paviršiuje priešinguose kraštuose yra suformuotos dvi vienodos penktoji (5) ir šeštoji (6) n+– sritys – santakos (D(1; 2)) su atitinkamais kontaktais-išvadais D1 (5.1) ir D2 (6.1), ir n+– sritys (5; 6) yra nutolusios viena nuo kitos atstumu l1 > dpn [(4-5); (4-6)] max – atitinkamų p–n sandūrų (4-5) ir (4-6) nuskurdintų sričių p– sluoksnyje (2) maksimalūs storiai, kai p–n sandūras (4-5) ir (4-6) atgaline kryptimi veikia elektrinio pramušimo įtampos |–Upn [(4-5); (4-6)]| ≥ Upn [(4-5); (4-6)] max, ir kartu n+– sritys (5; 6) yra nutolusios nuo n– sluoksnio (3) atstumu l2 > dpn [(4-(5; 6); (4-3)] max – atitinkamų p–n sandūrų (4-(5; 6)) ir (4-3) nuskurdintų sričių p– sluoksnyje (2) maksimalūs storiai, kai p–n sandūras (4-(5; 6)) ir (4-3) atgaline kryptimi veikia elektrinio pramušimo įtampos |–Upn [(4-(5; 6)), (4-3)]| ≥ Upn [(4-(5; 6)), (4-3)] max, ir n– sluoksnio (3) storis l3 > dpn [(3-4), (3-2)] max – atitinkamų p–n sandūrų (3-4) ir (3-2) nuskurdintų sričių n– sluoksnyje (3) maksimalūs storiai, kai p–n sandūras (3-4) ir (3-2) atgaline kryptimi veikia elektrinio pramušimo įtampos |–Upn [(3-4); (3-2)]| ≥ Upn [(3-4); (3-2)] max, ant p– sluoksnio (4) – kanalo paviršių, esančių tarp n– sluoksnio (3) ir atitinkamų n+– sričių (5) ir (6) yra suformuoti atitinkami dielektriniai (D) sluoksniai (7.1) ir (7.2), ir ant jų paviršių yra suformuoti atitinkami metalo (M) sluoksniai (8.1) ir (8.2), sudarantys lauko (vienpolių) tranzistorių (VT(1; 2)) MDP (MOP) užtūrų (G(1; 2)) atitinkamus kontaktus-išvadus G1 (8.1) ir G2 (8.2), ir taip yra suformuoti atitinkami MOP (MDP) VT(1; 2) dariniai su "normaliai uždarytais" – indukuotais n i – kanalais, čia: O – oksidas.
2. DFPĮ pagal punktą 1, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad antrajame variante p– sluoksnio (4) – kanalo paviršiuose po atitinkamomis MOP (MDP) užtūromis G(1; 2) (8.1; 8.2) tarp n– sluoksnio (3) ir atitinkamų n+– sričių (5) ir (6) yra suformuotos atitinkamų įterptų kanalų n– sritys (9.1) ir (9.2), kurios elektriškai sujungia n– sluoksnį (3) su atitinkamomis n+– sritimis (5) ir (6), ir taip yra suformuoti atitinkami MOP (MDP) VT(1; 2) dariniai su "normaliai atidarytais" – įterptais n– kanalais.
3. DFPĮ pagal punktus 1 ir 2, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad trečiajame ir ketvirtajame variantuose p– sluoksnio (2) – bazės (B) storis WB > LB ir kartu yra tenkinamos sąlygos:
dpn [(2-1); (2-3)] o < WB < dpn [(2-1); (2-3)] max – atitinkamų p–n sandūrų (2-1) ir (2-3) nuskurdintų sričių p– sluoksnyje (2) neutralūs ir maksimalūs storiai, kai p–n sandūras (2-1) ir (2-3) neveikia ir atgaline kryptimi veikia elektrinio pramušimo įtampos |–Upn [(2-1); (2-3)]| ≥ Upn [(2-1); (2-3)] max, ir taip yra suformuotas puslaidininkinio tetrodo (PT) darinys.
4. DFPĮ pagal punktus 1–3, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DFPĮ yra padarytas "horizontalios" konstrukcijos planarinės (paviršinės) technologijos būdu, pavyzdžiui, ant dielektrinio šilumai laidaus padėklo (10) yra suformuotas stačiakampio formos dep storio, D pločio ir L ilgio epitaksinis p– sluoksnis 2, kurio viename krašte D per visą storį dep yra suformuota stačiakampė n+– sritys (1) su kontaktu-išvadu E (1.1), o kitame krašte D simetriškai priešais n+– sritį (1) atstumu (WB + l3 + l2) per visą storį dep atstumu l1 viena nuo kitos yra suformuotos vienodos dvi stačiakampės n+– sritys (5) ir (6) su atitinkamais kontaktais-išvadais D1 (5.1) ir D2 (6.1), ir n+– sričių (1), (5) ir (6) kraštinės yra lygiagrečios L ir D kraštinėms, kraštinės L krytimi atstumu WB nuo n+– srities (1) per visą storį dep yra suformuota l3 pločio ir D ilgio stačiakampė n– sritis (3), kurios kraštinės l3 ir D yra atitinkamai lygiagrečios kraštinėms L ir D, tarp n+– srities (1) ir n– sritis (3) suformuotos WB pločio p– srities (2) priešinguose galuose šalia kraštinių L yra suformuotos atitinkamos vienodos stačiakampės p+– sritys (2.1) ir (2.2) su atitinkamais kontaktais-išvadais B1 (2.1) ir B2 (2.2), išilgai kraštinės D priešinguose n+– srities (1) galuose per visą storį dep yra suformuotos atitinkamos izoliacinės n– sritys (11) ir (12), užimančios visą atstumą nuo n+– srities (1) atitinkamo galo iki atitinkamos kraštinės L, tarp n– srities (3) ir n+– sričių (5), bei (6), suformuotos l2 pločio p– srities (4) paviršiuje yra suformuotas dielektrinis sluoksnis (7) ir ant šio paviršiaus per visą plotį l2 priešais atitinkamą n+– sritį (5), bei (6), yra suformuoti atitinkami metalo (M) sluoksniai (8.1) ir (8.2), sudarantys atitinkamų užtūrų G(1; 2) kontaktus-išvadus (8.1) ir (8.2), o kitame DFPĮ variante p– srities (4) paviršiuje po atitinkamu M sluoksniu (8.1) ir (8.2) yra suformuotos atitinkamos n– sritys (9.1), bei (9.2), kurios elektriškai sujungia n– sluoksnį (3) su atitinkamomis n+– sritimis (5) ir (6).
5. DFPĮ pagal punktus 1–3, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DFPĮ yra padarytas "vertikalios" konstrukcijos planarinės (paviršinės) technologijos būdu, pavyzdžiui, ant n+– laidumo puslaidininkinio kristalo (1) – įtaiso padėklo paviršiaus suformuoto p– laidumo epitaksinio dep storio sluoksnio (2) paviršiaus simetriškai per vidurį yra suformuota stačiakampė n– sritis (3), kurios įterpimo į epitaksinį p– sluoksnį 2 gylis h3 = dep – WB, ir ilgoji kraštinė L3 > D3 – plotis, simetriškai per vidurį stačiakampėje n– srityje (3) yra suformuota stačiakampė p– sritis (4), kurios įterpimo į epitaksinį p– sluoksnį 2 gylis h4 = h3 – l3, ir kraštinės L4 < L3 ir D4 < D3 yra atitinkamai lygiagrečios kraštinėms L3 ir D3, simetriškai per vidurį stačiakampėje p– srityje (4) atstumu l1 viena nuo kitos yra suformuotos dvi vienodos stačiakampės n+– sritys (5) ir (6), kurių įterpimo į epitaksinį p– sluoksnį 2 gyliai h(5; 6) < h4, ir atitinkamos kraštinės L(5; 6) < L4, bei D(5; 6) < D4, yra atitinkamai lygiagrečios kraštinėms L4 ir D4, o n+– sričių (5) ir (6) paviršiuose yra suformuoti atitinkami santakų D(1; 2) ominiai kontaktai-išvadai (5.1) ir (6.1), tarp n– srities (3) ir n+– sričių (5), bei (6), suformuotos l2 pločio p– srities (4) paviršiuje yra suformuoti dielektriniai sluoksniai (7.1) ir (7.2), ir ant jų paviršių per visą plotį l2 priešais atitinkamą n+– sritį (5), bei (6), yra suformuoti atitinkami metalo (M) sluoksniai (8.1) ir (8.2), sudarantys atitinkamų izoliuotų užtūrų G(1; 2) kontaktus-išvadus (8.1) ir (8.2), o kitame DFPĮ variante p– srities (4) paviršiuje po atitinkamu M sluoksniu (8.1) ir (8.2) yra suformuotos atitinkamos n– sritys (9.1), bei (9.2), kurios elektriškai sujungia n– sluoksnį (3) su atitinkamomis n+– sritimis (5) ir (6), epitaksinio p– sluoksnio (2) paviršiuje priešinguose n– srities (3) pusėse šalia D3 kraštinių yra suformuotos p+– sritys (2.1) ir (2.2) su atitinkamais kontaktais-išvadais B(1; 2), ant n+– kristalo (1) laisvojo paviršiaus yra suformuotas kontaktas-išvadas E (1.1), arba kitame variante epitaksinio p– sluoksnio (2) paviršiuje priešinguose n– srities (3) pusėse šalia L3 kraštinių per visą storį dep yra suformuotos n+– sritys (1.11) ir (1.12) su atitinkamais kontaktais-išvadais E(1; 2).
6. DFPĮ pagal punktą 4, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad yra suformuoti MOP (MDP) VT(1–N) dariniai su "normaliai atidarytais" arba "normaliai uždarytais" n– kanalais, kai sveiki skaičiai N ≥ 3, ir atitinkamų santakų D(1–N) atitinkamos vienodos stačiakampės n+– sritys (5(1–N)) su atitinkamais kontaktais-išvadais (6(1–N)) atstumu l1 viena nuo kitos yra suformuotos p– sluoksnyje (2) per visą storį dep ir simetriškai priešais n+– sritį (1) atstumu (WB + l3 + l2) iki jos, o n+– sričių (5(1–N)) kraštinės yra lygiagrečios L ir D kraštinėms.
7. DFPĮ pagal punktą 5, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad p– sluoksnyje (2) gylyje h5 < h4 yra suformuotos MOP (MDP) VT(1–N ) darinių atitinkamų santakų D(1–N) atitinkamos vienodos stačiakampės n+– sritys (5(1–N )) su atitinkamais kontaktais-išvadais (6(1–N )), kurios yra išdėstytos atstumu l1 viena nuo kitos simetriškai poromis (51)-(5(N/2 + 1)), (52)-(5(N/2 + 2)), ... , (5N/2)-(5N), ir atstumu l2 iki šalia esančių n– srities (3) atitinkamų priešpriešinių kraštų p– sluoksnio (2) paviršiuje, ir n+– sričių (5(1–N )) kraštinės yra lygiagrečios L ir D kraštinėms, tarp n– srities (3) ir atitinkamų šalia esančių n+– sričių (5(1–N )) suformuotos l2 pločio p– srities (4) paviršiuje yra suformuoti atitinkami dielektriniai sluoksniai (7.(1–N )) ir ant jų paviršių per visą plotį l2 priešais atitinkamą n+– sritį (5(1–N )) yra suformuoti atitinkami metalo (M) sluoksniai (8.(1–N )), sudarantys atitinkamų užtūrų G(1–N ) kontaktus-išvadus (8.(1–N )), o kitame DFPĮ variante p– srities (4) paviršiuje po atitinkamu M sluoksniu (8.(1–N )) yra suformuotos atitinkamos n– sritys (9.(1–N )) – kanalai, kurie elektriškai sujungia n– sluoksnį (3) su atitinkamomis n+– sritimis
(5(1–N )), epitaksinio p– sluoksnio (2) paviršiuje priešinguose n– srities (3) pusėse šalia atitinkamų D3 kraštinių yra suformuotos p+– sritys (2.1) ir (2.2) su atitinkamais kontaktais-išvadais B(1; 2), ant n+– kristalo (1) laisvojo paviršiaus yra suformuotas kontaktas-išvadas E (1.1), arba kitame variante epitaksinio p– sluoksnio (2) paviršiuje priešinguose n– srities (3) pusėse šalia atitinkamų L3 kraštinių per visą storį dep yra suformuotos n+– sritys (1.11) ir (1.12) su atitinkamais kontaktais-išvadais E(1; 2).
8. Stiprintuvas (diferencinis (skirtuminis))-dažnių ω in (1–3) maišiklis su DFPĮ pagal punktus 1, 4 ir 5, ir su "normaliai uždarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) dariniais, turinčiais atitinkamus kontaktus-išvadus:
E (1.1), B(1; 2) (2.1; 2.2), G(1; 2) (8,1; 8.2) ir D(1; 2) (5,1; 6.1),
b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DT kontaktai-išvadai B(1; 2) per pirmąjį rezistorių R1 yra sujungti su "žeme" (┴) – įtaiso nulinio potencialo šina, ir kartu per antrąjį rezistorių R2 – su maitinimo pastoviosios įtampos ε1 pirmojo šaltinio teigiamo (+) poliškumo gnybtu "+", o neigiamo (–) poliškumo gnybtas "–" – su "žeme", ir kartu per pirmąjį kondensatorių C1 – su pirmuoju įėjimo gnybtu Uin 1, DT kontaktas-išvadas E per pirmąjį apkrovos rezistorių Ra 1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per antrąjį kondensatorių C2 – su pirmuoju išėjimo gnybtu Uiš 1, VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai G(1; 2) per atitinkamus trečiąjį ir ketvirtąjį rezistorius R(3; 4) yra sujungti su "žeme", ir kartu per atitinkamus penktąjį ir šeštąjį rezistorius R(5; 6) – su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+", ir kartu per atitinkamus trečiąjį ir ketvirtąjį kondensatorius C(3; 4) – su atitinkamais antruoju ir trečiuoju įėjimų gnybtais Uin (2; 3), VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai D(1; 2) per atitinkamus antrąjį ir trečiąjį apkrovų rezistorius Ra (2; 3) yra sujungti su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+", ir kartu per atitinkamus penktąjį ir šeštąjį kondensatorius C(5; 6) – su atitinkamais antruoju ir trečiuoju išėjimų gnybtais Uiš (2; 3).
9. Stiprintuvas (diferencinis (skirtuminis))-dažnių ω in (1–3) maišiklis su DFPĮ pagal punktus 1, 4 ir 5, ir su "normaliai atidarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) dariniais, turinčiais atitinkamus kontaktus-išvadus: E (1.1), B(1; 2) (2.1; 2.2), G(1; 2) (8,1; 8.2) ir D(1; 2) (5,1; 6.1),
b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DT kontaktai-išvadai B(1; 2) per R1 yra sujungti su "žeme" ir kartu per R2 – su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", ir kartu per C1 – su gnybtu Uin 1, DT kontaktas-išvadas E per Ra 1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C2 – su gnybtu Uiš 1, VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai G(1; 2) per atitinkamus R(3; 4) yra sujungti su "žeme" ir kartu per atitinkamus R(5; 6) – su pastoviosios įtampos ε2 antrojo šaltinio gnybtu "–", o gnybtas "+" – su "žeme", ir kartu per atitinkamus C(3; 4) – su atitinkamais gnybtais Uin (2; 3), VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai D(1; 2) per atitinkamus Ra (2; 3) yra sujungti su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+" ir kartu per atitinkamus C(5; 6) – su atitinkamais gnybtais Uiš (2; 3).
10. Impulsų formuotuvas su DFPĮ pagal punktus 3, 4 ir 5, ir su "normaliai uždarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) dariniais, turinčiais atitinkamus kontaktus-išvadus: E (1.1), B(1; 2) (2.1; 2.2), G(1; 2) (8,1; 8.2) ir D(1; 2) (5,1; 6.1), b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad PT kontaktas-išvadas E per Ra 1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C1 – su gnybtu Uiš 1, ir kartu per atitinkamus C(2; 3) – su atitinkamais kontaktais-išvadais G(1; 2), kurie per atitinkamus R(3; 4) – su "žeme", ir kartu per atitinkamus R(5; 6) – su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", PT kontaktai-išvadai B(1; 2) per atitinkamus R(1; 2) yra sujungti su transformatoriaus (Tr) antrinės apvijos (II) išvadais, o Tr pirminės apvijos (I) išvadai – atitinkamai su gnybtu Uin 1 ir su "žeme", VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai D(1; 2) per atitinkamus Ra (2; 3) yra sujungti su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+", ir kartu per atitinkamus C(4; 5) – su atitinkamais gnybtais Uiš (2; 3).
11. Impulsų formuotuvas su DFPĮ pagal punktus 3, 4 ir 5, ir su "normaliai atidarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) dariniais, turinčiais atitinkamus kontaktus-išvadus: E (1.1), B(1; 2) (2.1; 2.2), G(1; 2) (8,1; 8.2) ir D(1; 2) (5,1; 6.1), b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad PT kontaktas-išvadas E per Ra 1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C1 – su gnybtu Uiš 1, ir kartu per atitinkamus C(2; 3) – su atitinkamais kontaktais-išvadais G(1; 2), kurie per atitinkamus R(3; 4) – su "žeme", ir kartu per atitinkamus R(5; 6) – su įtampos ε2 šaltinio gnybtu "–", o gnybtas "+" – su "žeme", PT kontaktai-išvadai B(1; 2) per atitinkamus R(1; 2) yra sujungti su Tr apvijos (II) išvadais, o Tr apvijos (I) išvadai – atitinkamai su gnybtu Uin 1 ir su "žeme", VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai D(1; 2) per atitinkamus Ra (2; 3) yra sujungti su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", ir kartu per atitinkamus C(4; 5) – su atitinkamais gnybtais Uiš (2; 3).
12. Generatorius su DFPĮ pagal punktus 1, 4 ir 5, ir su "normaliai uždarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) dariniais, turinčiais atitinkamus kontaktus-išvadus: E (1.1), B(1; 2) (2.1; 2.2), G(1; 2) (8,1; 8.2) ir D(1; 2) (5,1; 6.1), b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DT kontaktas-išvadas E per R1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C(1; 2), bei kitame variante ir per atitinkamus pirmąjį ir antrąjį induktorius L(1; 2) – su atitinkamais kontaktais-išvadais G(1; 2), kurie per atitinkamus
R(4; 5) – su "žeme", ir kartu per atitinkamus R(6; 7) – su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", DT kontaktai-išvadai B(1; 2) per R2 yra sujungti su "žeme" ir kartu per R3 – su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+", ir kartu per C5 – su moduliacijos įėjimo gnybtu Uin M, VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai D(1; 2) per atitinkamus Ra (1; 2) yra sujungti su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+" ir kartu per atitinkamus C(3; 4) – su atitinkamais gnybtais Uiš (1; 2).
13. Generatorius su DFPĮ pagal punktus 1, 4 ir 5, ir su "normaliai atidarytų" n– kanalų MOP (MDP) VT(1; 2) dariniais, turinčiais atitinkamus kontaktus-išvadus: E (1.1), B(1; 2) (2.1; 2.2), G(1; 2) (8,1; 8.2) ir D(1; 2) (5,1; 6.1), b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad DT kontaktas-išvadas E per R1 yra sujungtas su "žeme" ir kartu per C(1; 2), bei kitame variante ir per atitinkamus induktorius L(1; 2) – su atitinkamais kontaktais-išvadais G(1; 2), kurie per atitinkamus R(4; 5) – su "žeme", ir kartu per atitinkamus R(6; 7) – su įtampos ε2 šaltinio gnybtu "–", o gnybtas "+" – su "žeme", DT kontaktai-išvadai B(1; 2) per R2 yra sujungti su "žeme" ir kartu per R3 – su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+", o gnybtas "–" – su "žeme", ir kartu per C5 – su moduliacijos įėjimo gnybtu Uin M, VT(1; 2) atitinkami kontaktai-išvadai D(1; 2) per atitinkamus Ra (1; 2) yra sujungti su įtampos ε1 šaltinio gnybtu "+" ir kartu per atitinkamus C(3; 4) – su atitinkamais gnybtais Uiš (1; 2).