|
|
|
|
|
Teisinis statusas
Patentas galioja
| (51) | INT.CL.: (2025.01) |
C01B 33/00 C25D 13/02 B05D 7/00 |
| (11) | Patento numeris | 7118 |
| (13) | Dokumento rūšis | B |
| (21) | Paraiškos numeris | 2023 519 |
| (22) | Paraiškos padavimo data | 2023-05-19 |
| (41) | Paraiškos paskelbimo data | 2024-11-25 |
| (45) | Patento paskelbimo data | 2025-01-27 |
| (71) |
Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras,
Savanorių pr. 231, 02300 Vilnius,
LT
|
| (72) |
Eimutis JUZELIŪNAS, LT
Putinas KALINAUSKAS, LT Asta GRIGUCEVIČIENĖ, LT Konstantinas LEINARTAS, LT Laurynas STAIŠIŪNAS, LT |
| (73) |
Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras,
Savanorių pr. 231, 02300 Vilnius,
LT
|
| (74) |
Virgina Adolfina DRAUGELIENĖ,
UAB TARPINĖ, A.P.Kavoliuko g. 24-152, LT-04328 Vilnius,
LT
|
| (54) | Fotoelektrocheminis silicio pagrindu dangų formavimo joniniuose skysčiuose būdas |
| Mokėjimo data | Galiojimo metai | Suma | |
| 2025-04-17 | 3 | 81.00 EUR |
| 2026-05-19 |