|
|
|
|
|
Teisinis statusas
Patento paraiška atmesta (po ekspertizės IS)
| (51) | INT.CL.: (2006.01) |
C30B 25/02 H01L 21/02 |
| (11) | Patento numeris | |
| (13) | Dokumento rūšis | A |
| (21) | Paraiškos numeris | 2001 099 |
| (22) | Paraiškos padavimo data | 2001-10-11 |
| (41) | Paraiškos paskelbimo data | |
| (45) | Patento paskelbimo data |
| (86) | Numeris | PCT/RU00/00062 |
| Data | 2000-02-24 |
| (71) |
NITRIDES EPITAXIAL WAFER TECHNOLOGY COMPANY LIMITED,
111/6, St. Lucia Street, Valletta VLT09,
MT
|
| (72) |
Vladimir Semenovich ABRAMOV, RU
Vladimir Alexeevich GORBYLEV, RU Alexandr Grogorievich KIM, RU Georgy Georgievich CHUMBURIDZE, RU |
| (73) |
NITRIDES EPITAXIAL WAFER TECHNOLOGY COMPANY LIMITED,
111/6, St. Lucia Street, Valletta VLT09,
MT
|
| (74) |
Marius JAKULIS - JASON,
AAA Law, A. Goštauto g. 40B, Verslo centras "Dvyniai", LT-03163 Vilnius,
LT
|
| (54) | Kristalinių galio nitrido epitaksialinių heterostruktūrų auginimo būdas |