LT - Puslaidininkinis elementas, turintis legiruotas p/n struktūras, ir būdas jas izoliuoti naudojant ultratrumpus ultravioletinius lazerio impulsus
EN - SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING DOPED P/N STRUCTURES AND METHOD TO ISOLATE THEM USING ULTRA SHORT ULTRAVIOLET LASER PULSES
Teisinis statusas
Patentas panaikintas (nesumokėtas metų mokestis)
Bibliografiniai duomenys
Tarptautinės patentų klasifikacijos indeksai (TPK)
| (51) |
INT.CL.: (2011.01) |
H01L 21/00
B23K 26/00
|
Patentas
| (11) |
Patento numeris |
5937 |
| (13) |
Dokumento rūšis |
B |
| (21) |
Paraiškos numeris |
2011 078 |
| (22) |
Paraiškos padavimo data |
2011-09-01 |
| (41) |
Paraiškos paskelbimo data |
2013-03-25 |
| (45) |
Patento paskelbimo data |
2013-05-27 |
Pareiškėjas
| (71) |
UAB "Precizika - MET SC",
Žirmūnų g. 139, LT-09120 Vilnius,
LT
|
Išradėjai
| (72) |
Julius JANUŠONIS, LT
Valdemaras JUZUMAS, LT
Karolis ŠULINSKAS, LT
|
Savininkas
| (73) |
UAB "Precizika - MET SC",
Žirmūnų g. 139, LT-09120 Vilnius,
LT
|
Patentinis patikėtinis/atstovas
| (74) |
Darius JANUŠONIS,
UAB "Precizika-MET SC", Žirmūnų g. 139, LT-09120 Vilnius,
LT
|
Pavadinimas
| (54) |
Puslaidininkinis elementas, turintis legiruotas p/n struktūras, ir būdas jas izoliuoti naudojant ultratrumpus ultravioletinius lazerio impulsus
|
Paskutinis metų mokestis
|
Mokėjimo data |
Galiojimo metai |
Suma |
|
2014-07-29 |
4 |
320.00
LTL
|
Teisinis statusas
|
Patentas panaikintas (nesumokėtas metų mokestis)
|
|
|
Patento panaikinimo data |
2015-09-01 |
