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Teisinis statusas
Patentas neįsigaliojo (pagal EPK)
(51) | INT.CL. | H01L 21/68 | (2006.01) |
H01L 21/68 | (2013.01) |
(11) | Patento numeris | 4075488 |
(13) | Dokumento rūšis | T |
(96) | Europos patento paraiškos numeris | 21167990.7 |
Europos patento paraiškos padavimo data | 2021-04-13 | |
(97) | Europos patento paraiškos paskelbimo data | 2022-10-19 |
(45) | Paskelbimo apie Europos patento išdavimą data | 2024-02-28 |
(46) | Apibrėžties vertimo paskelbimo data |
(72) |
Stettner, Thomas , DE
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(73) |
Siltronic AG ,
Einsteinstraße 172 Tower B / Blue Tower, 81677 München,
DE
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(54) | VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON HALBLEITERSCHEIBEN MIT AUS DER GASPHASE ABGESCHIEDENER EPITAKTISCHER SCHICHT IN EINER ABSCHEIDEKAMMER |
METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFERS HAVING AN EPITAXIAL LAYER DEPOSITED FROM THE GAS PHASE IN A DEPOSITION CHAMBER |