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LT - VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON HALBLEITERSCHEIBEN MIT AUS DER GASPHASE ABGESCHIEDENER EPITAKTISCHER SCHICHT IN EINER ABSCHEIDEKAMMER
EN - METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFERS HAVING AN EPITAXIAL LAYER DEPOSITED FROM THE GAS PHASE IN A DEPOSITION CHAMBER

Teisinis statusas

Patentas neįsigaliojo (pagal EPK)

Bibliografiniai duomenys
Tarptautinės patentų klasifikacijos indeksai (TPK)
(51) INT.CL. H01L 21/68 (2006.01)
H01L 21/68 (2013.01)
Europos patentas
(11) Patento numeris 4075488
(13) Dokumento rūšis T
(96) Europos patento paraiškos numeris 21167990.7
Europos patento paraiškos padavimo data 2021-04-13
(97) Europos patento paraiškos paskelbimo data 2022-10-19
(45) Paskelbimo apie Europos patento išdavimą data 2024-02-28
(46) Apibrėžties vertimo paskelbimo data
Išradėjai
(72)
Stettner, Thomas , DE
Savininkas
(73) Siltronic AG , Einsteinstraße 172 Tower B / Blue Tower, 81677 München, DE
Pavadinimas
(54) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON HALBLEITERSCHEIBEN MIT AUS DER GASPHASE ABGESCHIEDENER EPITAKTISCHER SCHICHT IN EINER ABSCHEIDEKAMMER
  METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFERS HAVING AN EPITAXIAL LAYER DEPOSITED FROM THE GAS PHASE IN A DEPOSITION CHAMBER